Parasitärer Bjt beim Mosfet

[Mr. Nobody (Gast)]

Ich habe eine Halbbrücke mit zwei Mosfets, einer der beiden ist leitend, 
der andere gesperrt. Dazwischen ist eine Totzeit die ich einstellen 
kann. Leider habe ich auch ohne Last am Ausgang eine extrem hohe 
Stromspitze.

Ich habe hier ein ESB von einem n Kanal Mosfet. Sehe ich das richtig, 
der parasitäre Bjt ist nur bei einem positiven Transienten mit zu hohem 
dU/dt aktiv, die Spannung am Gate beeinflusst ihn nicht?! Also es wäre 
keine Patentlösung das Gate des Mosfet negativ vorzuspannen?!

[Mike (Gast)]

Hast Du Details zu der Schaltung?
(Spannungen? Ströme? Schema? Mosfet-Typ?)

Bei einer H-Brücke mit sehr schnellen Mosfets (zB SiC mit hohem dU/dt) 
kann beim einschalten des "oberen" Transitors der untere über C.DG kurz 
mit einschalten, was den hohen Strompeak erklären könnte.

[Kore wa dono yō ni sadō shimasu ka (Gast)]

Mike schrieb:
> Bei einer H-Brücke mit sehr schnellen Mosfets (zB SiC mit hohem dU/dt)
> kann beim einschalten des "oberen" Transitors der untere über C.DG kurz
> mit einschalten, was den hohen Strompeak erklären könnte.

Welcher ist denn "der untere" (zugewiesen zum erstgenannten "oberen")?

Der im selben Brückenzweig (als Teil einer... Halbbrücke), oder etwa
der "diagonal (in diesem Fall halt diagonal darunter)" dazu liegende?

"kann über C_DG kurz einschalten" ist auch wenig aufschlußreich.

[Kore wa dono yō ni sadō shimasu ka? (Gast)]

(Sorry, noch weiß man nichts von der Relation zum/Brauchbarkeit im
Fall des TO - aber diese Fragen kamen mir halt sofort in den Sinn.)

[MaWin (Gast)]

Mr. Nobody schrieb:
> der parasitäre Bjt ist nur bei einem positiven Transienten mit zu hohem
> dU/dt aktiv, die Spannung am Gate beeinflusst ihn nicht?! Also es wäre
> keine Patentlösung das Gate des Mosfet negativ vorzuspannen?!

Dieser BJT ist gar nicht mit dem Gate verbunden, sondern mit dem Kanal. 
Falls sich im Kanal also Ladungsträger befinden, leiten die sich schnell 
ab und halten währenddessen den MOSFET leitend.