Bezeichnung/Code SMD Bauteil

[René Dietinger (Gast)]

Hallo Community

Ich suche mittlerweile schon seit Tagen im Netz und finde leider keine 
Lösung. Kann mir jemand sagen um welches Bauteil es sich hier handelt? 
Das einzige was ich bis jetzt gefunden habe ist das es sich vermutlich 
um einen Transistor (NPN, RF, 2SC5599, 2SC5600) handeln soll. Ich habe 
leider keine Ahnung. Dieser befindet sich vor einem USB-C Anschluss auf 
einem Board einer Powerbank. Die Bezeichnung auf der Platine lautet Q. 
Auf der rechten Seite sieht man das einer fehlt (Q4). Dieser befindet 
sich vor einer Micro USB Buchse. Welches Ersatzteil benötige ich. Danke 
für eure Hilfe.

Hochachtungsvoll

[René Dietinger (Gast)]

Danke für das verschieben in das richtige Forum.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

René Dietinger schrieb:
> Auf der rechten Seite sieht man das einer fehlt (Q4).
Und was verleitet dich zur Annahme, dass 1. da schon mal einer drauf war 
und 2. dass das der gleich ist wie der daneben?

> Das einzige was ich bis jetzt gefunden habe ist das es sich vermutlich
> um einen Transistor (NPN, RF, 2SC5599, 2SC5600) handeln soll.
Nach was hast du da gesucht? Ist das Marking TV835?

[H. H. (Gast)]

Sieht nach p-MOSFET aus.

[René Dietinger (Gast)]

Hi Lothar M.

Ich danke dir für deine Antwort.

Zu 1. Ich habe dieses Teil selbst entfernt. Einige Bilder im Anhang. Der 
Chip (IP5328) hat einen Kurzschluss. Dieser wird getauscht. Auf den 
Bildern zu sehen ist dieser Transistor (TV835) etwas aufgebläht. Ich 
gehe davon aus das dieser auch defekt ist.

Zu 2. Welches ist es jetzt genau?

Zu 3. Nach SMD Codes. Da hab ich eine Tabelle gefunden.
http://www.griederbauteile.ch/download/Tabellen/SMD_Code_Catalog.pdf

Unter "Codes beginning with 'T'" hab ich das gefunden. Seite 58.

Danke

[René Dietinger (Gast)]

Hallo H. H.

Kann ich das irgendwie feststellen anhand des noch vorhandenen Bauteils?

Danke

[H. H. (Gast)]

René Dietinger schrieb:
> Hallo H. H.
>
> Kann ich das irgendwie feststellen anhand des noch vorhandenen Bauteils?
>
> Danke

Auslöten und messen. Einen ersten Hinweis liefert im eingelöteten 
Zustand die Messung der Body-Diode zwischen Source und Drain.

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

René Dietinger schrieb:
> Kann ich das irgendwie feststellen anhand des noch vorhandenen Bauteils?

Man sieht es eigentlich schon auf dem Bild im ersten Beitrag. Links 
unten Gate, rechts unten Source und oben Drain. Der Pulloff-Widerstand 
geht wie üblich von Gate nach Source, die der Pluseingang ist, und an 
Drain ist der Ausgang zur Buchse.
Da bleibt nur ein P-Channel.

[René Dietinger (Gast)]

H. H. schrieb:
> René Dietinger schrieb:
>> Hallo H. H.
>>
>> Kann ich das irgendwie feststellen anhand des noch vorhandenen Bauteils?
>>
>> Danke
>
> Auslöten und messen. Einen ersten Hinweis liefert im eingelöteten
> Zustand die Messung der Body-Diode zwischen Source und Drain.

Ich habe jetzt mal im eingeleöteten Zustand gemessen. Zwischen den oben 
und unten rechts habe ich mit dem Diodentester gemessen. Ein Wert von 
377 wird angezeigt. Wie wird im ausgebauten Zustand gemessen?

[René Dietinger (Gast)]

Matthias S. schrieb:
> René Dietinger schrieb:
>> Kann ich das irgendwie feststellen anhand des noch vorhandenen Bauteils?
>
> Man sieht es eigentlich schon auf dem Bild im ersten Beitrag. Links
> unten Gate, rechts unten Source und oben Drain. Der Pulloff-Widerstand
> geht wie üblich von Gate nach Source, die der Pluseingang ist, und an
> Drain ist der Ausgang zur Buchse.
> Da bleibt nur ein P-Channel.

Ok. Vielen dank. Aber welcher P-Channel. Bauteil, Datenblatt?

Danke

[H. H. (Gast)]

René Dietinger schrieb:
> Ein Wert von
> 377 wird angezeigt.

Und in Gegenrichtung?

[René Dietinger (Gast)]

H. H. schrieb:
> René Dietinger schrieb:
>> Ein Wert von
>> 377 wird angezeigt.
>
> Und in Gegenrichtung?

In der anderen Richtung habe ich keinen Durchgang.

[Michael B. (laberkopp)]

René Dietinger schrieb:
> TV835

https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rq5c030tptl-e.pdf

Wenn du gleich die richtige Bezeichnung hingeschrieben hättest statt 
einen als IV835 oder 1V835 unerkennbarem Bild...

H. H. schrieb:
> Sieht nach p-MOSFET aus.

Passt.

Und SOT23-3 statt SOT23.

[H. H. (Gast)]

Michael B. schrieb:
> 
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rq5c030tptl-e.pdf

Das Marking ist aber nicht von Rohm.

[René D. (dj_r)]

Michael B. schrieb:
> René Dietinger schrieb:
>> TV835
>
> 
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rq5c030tptl-e.pdf
>
> Wenn du gleich die richtige Bezeichnung hingeschrieben hättest statt
> einen als IV835 oder 1V835 unerkennbarem Bild...
>
> H. H. schrieb:
>> Sieht nach p-MOSFET aus.
>
> Passt.
>
> Und SOT23-3 statt SOT23.

Hallo Michael B.

Vielen vielen Dank. Aber was bedeutet 835?

[René D. (dj_r)]

H. H. schrieb:
> Michael B. schrieb:
>>
> 
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rq5c030tptl-e.pdf
>
> Das Marking ist aber nicht von Rohm.

Was bedeutet das jetzt? Ist das nicht das richtige Bauteil? Hilft ein 
Transitortester?

[René D. (dj_r)]

Habe mir jetzt einen Transistortester geliehen.

Jetzt bin ich komplett verwirrt. Wie es aussieht ist der vermeintlich 
defekte MOS gar nicht defekt. Erstes Bild ist der vermeintlich defekte. 
Zweites Bild ist der der noch eingelötet war vor dem USB-C Anschluss.

Wie seht ihr das?

[H. H. (Gast)]

Dj R. schrieb:
> Wie seht ihr das?

Nicht defekt, aber besser dennoch ersetzen.

[Axel R. (axlr)]

Such Dir doch bei Reichelt zB einen aus:
https://www.reichelt.de//446/index.html?ACTION=446&SEARCH=P%252dCh%2020V&START=0
Dann schaust Du, ob Du einen findest mit geringem RDS_on und passendem 
Gehäuse.
Zum Beispiel
https://www.reichelt.de/mosfet-p-ch-20v-4a-1-5w-sot-23-ao-3415a-p166474.html?&trstct=pos_1&nbc=1
Dann musst du nur noch nachschauen, weshalb der FET gestorben ist. Aber: 
weisst Du ja, wie Du geschrieben hattest.

[René D. (dj_r)]

H. H. schrieb:
> Dj R. schrieb:
>> Wie seht ihr das?
>
> Nicht defekt, aber besser dennoch ersetzen.

Ja klar wird ersetzt.

Vielen dank.

[René D. (dj_r)]

Axel R. schrieb:
> Such Dir doch bei Reichelt zB einen aus:
> https://www.reichelt.de//446/index.html?ACTION=446&SEARCH=P%252dCh%2020V&START=0
> Dann schaust Du, ob Du einen findest mit geringem RDS_on und passendem
> Gehäuse.
> Zum Beispiel
> 
https://www.reichelt.de/mosfet-p-ch-20v-4a-1-5w-sot-23-ao-3415a-p166474.html?&trstct=pos_1&nbc=1
> Dann musst du nur noch nachschauen, weshalb der FET gestorben ist. Aber:
> weisst Du ja, wie Du geschrieben hattest.

Alles klar. Vielen vielen dank. Was bedeutet eigentlich dieser RDS_on 
Wert. Kenn mich da nicht so ganz aus. Was bedeuten die Spannungen 20V - 
oder + Usb hat doch nur 5V. Kannst Du mir das etwas erläutern. Für mich 
hört sich das so an. Nimm irgendeinen hauptsache Grösse passt. Nach 
welchen Kriterien wähle ich. Gibt es da einen Standard wenn es um solche 
Powerbanks/Usb Anschlüsse geht?

Vielen Dank erstmal.

[H. H. (Gast)]

Dj R. schrieb:
> Was bedeutet eigentlich dieser RDS_on Wert.

Das ist der Kanalwiderstand im eingeschlteten Zustand, bei der 
entsprechenden Spannung am Gate.


> Was bedeuten die Spannungen 20V -

Maximale Spannung, die er schalten kann. Bei mehr kann er kaputt gehen.


> oder + Usb hat doch nur 5V.

Also 15V Reserve.

[René D. (dj_r)]

H. H. schrieb:
> Dj R. schrieb:
>> Was bedeutet eigentlich dieser RDS_on Wert.
>
> Das ist der Kanalwiderstand im eingeschlteten Zustand, bei der
> entsprechenden Spannung am Gate.
>
>> Was bedeuten die Spannungen 20V -
>
> Maximale Spannung, die er schalten kann. Bei mehr kann er kaputt gehen.
>
>> oder + Usb hat doch nur 5V.
>
> Also 15V Reserve.

Ok also niedriger RDS_on Wert = geringerer Eigenbedarf an Strom?

Bei Spannung (VDSS) Plus+ oder Minus- egal?

Verstehe ich das richtig da am USB-C der selbe verbaut ist und die 
Powerbank bis zu 12V geht ist das auch so richtig und es sind halt nur 
mehr 8V Reserve? Höherer Wert sinnlos? Könnte ja am USB-Micro also ein 
niedriger Wert verwendet werden?

Ich entschuldige mich für diese vielen Fragen da ja schon das 
eigentliche Thema erledigt ist aber mich interressiert es sehr. Und da 
hier doch so einige (Gurus) am werk sind frage ich.

Vielen vielen Dank

[H. H. (Gast)]

René D. schrieb:
> Ok also niedriger RDS_on Wert = geringerer Eigenbedarf an Strom?

Geringerer Spannungsabfall.


> Bei Spannung (VDSS) Plus+ oder Minus- egal?

Du brauchst einen p-MOSFET, und da ist der Wert per Definition negativ.


> Verstehe ich das richtig da am USB-C der selbe verbaut ist und die
> Powerbank bis zu 12V geht ist das auch so richtig und es sind halt nur
> mehr 8V Reserve? Höherer Wert sinnlos?

MOSFETs für höhere Spannung haben auch mehr Kanalwiderstand, bei 
gleicher Größe des Die.


> Könnte ja am USB-Micro also ein
> niedriger Wert verwendet werden?

Durchaus. Liefert das Ding denn am USB-C überhaupt mehr als 5V?

[René D. (dj_r)]

H. H. schrieb:
>> Könnte ja am USB-Micro also ein
>> niedriger Wert verwendet werden?
>
> Durchaus. Liefert das Ding denn am USB-C überhaupt mehr als 5V?

Ja. USB-C kann zum laden und entladen der Powerbank verwendet werden. 
Die beiden normalen USB Anschlüsse sind nur für das etladen vorgesehen. 
Der USB-Micro ist nur für das laden der Powerbank. Nur der 
vollständigkeithalber. Die Powerbank verfügt über

2 Normale USB Ausgänge DC 3,8-6V/3A 6,5-9V/2A 9-12V/1,5A.

Einen USB-C für beide Richtungen DC 5V/3A 9V/2A 12V/1,5A (PD3.0)

Einen USB-Micro nur Eingang DC5V/2A

Ich danke dir an dieser Stelle vielmals für deine Bemühngen und der 
Geduld. Vielen dank.

PS.: Auch den anderen die mir hier geholfen haben ein herzliches 
Dankeschön.