Hallo zusammen, ich habe einen IGBT mit integrierter antiparalleler Diode (Datenblatt im Anhang). Für die Berechnung der Schaltverluste benötige ich die Ein- und Ausschaltenergien sowohl des IGBTs als auch der Diode. Im Datenblatt werden nur die allgemeinen Ein- und Ausschaltenergien des IGBT erwähnt, aber es wird angegeben, dass die Energien auch die Verluste der reverse recovery der Diode enthalten. Meine Frage lautet: Bedeutet dies, dass die Energien Eon und Eoff das Modul bereits vollständig charakterisieren, einschließlich IGBT und Freilaufdiode? Und der zweite Teil der Frage: Wenn dies der Fall ist, kann nur der Gesamtverlust des Moduls bestimmt werden, aber nicht in die Anteile von IGBT und Diode aufgeteilt werden. Wie berechne ich dann den Wärmewiderstand zum Gehäuse? Kann ich einfach eine Parallelschaltung des thermischen IGBT-Widerstands und des thermischen Diodenwiderstands annehmen? (und dann mit der Gesamtleistung des Moduls multiplizieren) Vielen Dank im Voraus für eure Unterstützung!
AN1403 ist mir bekannt, aber das klärt die Unklarheiten die ich habe ja nicht...oder ich überlese immer etwas
Die hauptsächlichen Wärmeverluste entstehen während der IGBT den Strom des Lastkreises abwürgt, bzw. wenn er aufsteuert, der Strom bereits fliesst aber er noch nicht voll auf ist. Das ist derart von Deiner Schaltung abhängig das das IGBT DB dir das nicht sagen kann. Beliebig schnell ist gerade ein IGBT auch nicht. Den bekommst Du schnell auf, aber nicht schnell zu. Bei 2V VCEsat ist ein Fet unter Umständen die bessere Wahl. Hängt aber von Dingen ab die Du (noch) nicht erzählt hast.
Luca schrieb: > Im Datenblatt > werden nur die allgemeinen Ein- und Ausschaltenergien des IGBT erwähnt, > aber es wird angegeben, dass die Energien auch die Verluste der reverse > recovery der Diode enthalten. Meine Frage lautet: Welche Diode ist da gemeint? (Tipp: Es ist nicht die integrierte.) Wie, wann und wo entstehen durch sog. "Reverse Recovery" Verluste? DAS scheinst Du leider alles nicht zu wissen. Und ohne Kenntnis der Bedeutung von Reverse Recovery (und/oder wie "Freilauf" funktioniert - ich bin nicht sicher, liegt es an einem davon oder beidem) versteht man nicht bzw. weiß_man_nicht_automatisch was gemeint ist. Hier hapert es an ähnlicher Stelle, vielleicht hilft dieser Hinweis: Luca schrieb: > Freilaufdiode Für_welchen_Schalter (und bei welchen Endstufentopologien) kann diese Diode als Freilaufdiode wirken...?
Prokrastinator schrieb: > Hängt aber von Dingen ab die Du (noch) nicht erzählt hast. Genausogut könnte er allein theor. Verlustberechnung betreiben, denn ich "sehe" (lese zw. d. Zeilen) überhaupt nichts "projektbezogenes". Es könnte beides sein, aber ich tippe auf Theorie. Für beides fehlt aber mind. eine essentielle Grundlage zum Verständnis (was ich schon erwähnte, Mechanismen Freilauf und/oder Sperrerholung).
FRED schrieb: > ich tippe auf Theorie. Sollte der TO Lust auf Beratung haben, müsste er uns erzählen was er eigentlich machen will. Unterstelle ich das der IGBT im Schitt 10A sieht, wäre ein Mosfet mit 0,2R dem im Schaltbetrieb bei gleichen Kosten überlegen. Aber nichts genaues weiß man nicht und so wie sie gestellt wurde ist die Frage des TO auch nicht beantwortbar. Vielleicht kommt da ja noch was.
>Meine Frage lautet: Bedeutet dies, dass >die Energien Eon und Eoff das Modul bereits vollständig >charakterisieren, einschließlich IGBT und Freilaufdiode? Hallo Luca, Eon: beim Einschalten fließt durch den IGBT zusätzlich noch der Rückstrom der Freilaufdiode, das ist gemeint. http://www.zth-messtechnik.de/schaltmessung--doppelpuls-.html (Bild links unten) >Kann ich einfach eine Parallelschaltung des >thermischen IGBT-Widerstands und des thermischen Diodenwiderstands >annehmen? (und dann mit der Gesamtleistung des Moduls multiplizieren) Für eine genau Berechnung fehlt dir noch die thermische Verkopplung zw. IGBT und Diode ! Schau dir bei Infineon das PSpice-Modell an Datenblatt : •completeproductspectrumandPSpiceModels: Gruß Walter
Der IGBT wird einer Drehstrombrückenschaltung betrieben. Die Durchlassverluste sind ja kein Problem, hier kann ich Diode und IGBT ja schön getrennt über ihre Durchlasskennlinien betrachten. Die Schaltverluste charakterisieren sich beim IGBT ja durch die Ein- und Ausschaltenergie. Bei der Diode entstehen sie durch die recovery Energie beim Abschalten. Wenn ich es korrekt verstanden habe, entsteht die Messung von Eon und Eoff des IGBT Moduls ja mit einem zweiten identischen Modul. Und hierbei wird beim Einschalten des IGBT (bei der Messung als Low-Side), bzw. damit ja gleichzeitig das Sperren der High Side-Diode und damit wird dann ja auch die recovery Energie dieser Diode bei der Bestimmung von Eon mitbestimmt. Für die Anwendung in einer Halbbrücke kann ich dann doch für die Schaltverluste (und ja es geht hier um eine theoretische Betrachtung der Verluste) Eon und Eoff nutzen für jeden IGBT und berücksichtige damit dann gleichzeitig die Reverse Recovery Verluste der bei den Schaltvorgängen jeweils beteiligten Diode. Ist das soweit korrekt?
Und sorry mein Fehler: die IGBTs sollen in einer B6-Brücke betrieben werden (als Inverter). Ich hab immer im Kopf Drehstrombrücke, aber das ist ja so eigentlich nicht korrekt.
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