Hallo Leute, in der Hochschule haben wir aktuell ein Projekt in welchem wir eine Drain Schaltung bzw. Verstärker entwickeln und aufbauen sollen. Mit ist klar das das Gate des Mosfet vorgespannt werden, so dass das Gate durchsteuert und so über dem Drainwiderstand ca. die hälfte der Betriebsspannung abfällt. Dann wird das Eingangssignal welches verstärkt werden soll, wird kapazitiv an das Gate eingekoppelt. Soweit so gut. Um Das ganze richtig auszulegen und die Verstärkung des eigentlichen Systems festzustellen, wird die Transkonduktanz benötigt. Mein Problem ist hier, dass ich mehrere Zusammenhänge gefunden habe, die diese beschreiben. GM=ID/UGS GM=2*ID/(VGS-VTH) Welcher Zusammenhang ist hier der Richtige? Kann mir da jemand weiterhelfen ?
Thomas schrieb: > Welcher Zusammenhang ist hier der Richtige? Eher der zweite, denn es interessiert die Steilheit im Arbeitspunkt, und der liegt jenseits und UGS(th). Aber: die Zahlen sind grobe Schätzwerte, auslegen kann man den Verstärker damit nicht. UGS(th) schwankt um 1:2 und GM ebenfalls. Eher aufbauen und mit Trimmpotis an das Exemplar anpassen.
Du meinst das es dann nur grobe Richtwerte sind und es dann besser ist in der Praxis aufzubauen und zu testen?
Thomas schrieb: > Du meinst das es dann nur grobe Richtwerte sind und es dann besser > ist in der Praxis aufzubauen und zu testen? Ja.
MaWin schrieb: > Thomas schrieb: >> Du meinst das es dann nur grobe Richtwerte sind und es dann besser >> ist in der Praxis aufzubauen und zu testen? > > Ja. Allerdings kann man eine Verstärkerschaltung mit MOSFET auch gegenkoppeln - mit einem Widerstand in der Source-Leitung. Im Prinzip genauso wie mit einem Bipolartransistor in Emitterschaltung. Dann werden die Eigenschaften (insbesondere die Spannungverstärkung) unabhängiger von den Exemplarstreuungen des aktiven Bauteils.
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