Jan schrieb:
> Ich weiss, dass Gate-Ringing beim Umschalten in letzter Konsequenz durch
> eine unerwünschte (parasitäre) Spannungsänderung am Source entsteht.
Nö. Die Spannungsänderung ist schon erwünscht, sonst würde der MOSFET ja
nicht schalten. Parasitär und unerwünscht ist eher die Gatekapazität und
die Induktivität der Zuleitung, welche zusammen einen schwingfähigen
LC-Kreis darstellt.
> Das
> kann man durch dicke und kurze Traces, gescheites Routine vermeiden.
Jaja, Dick Tracy läßt grüßen!
> Nun
> habe ich aber das Problem, dass nach dem Source noch ein 10mOhm Shunt
> zur Strommessung (für den LED-Treiber) kommt, den ich kaum umgehen kann.
Auch du Armer.
> Dort entsteht eine Spannungsänderung von 100mV beim Abschalten des FET =
> Gate-Ringing.
WIRKLICH? 100mV!
> Was kann man da machen?
Ich würde mit meinem Therapeuten sprechen.