Ich möche bestimmen wie schnell ein kleiner mosfet mit 8nC gate charge an einen 74HCT geschaltet werden kann. Dazu die Frage wie viel strom kann der HCT liefern. Hat er eine interne Schaltung die den Io auf 25mA limitiert? Oder was ist das RDS on des Fets im HCT (mit welchem Io kann man rechnen?)
Mosfet schrieb: > Dazu die Frage wie viel strom kann der HCT liefern. Hat er eine interne > Schaltung die den Io auf 25mA limitiert? Da kannst du mal von etwa 40mA im Kurzschlussfall ausgehen. Der genaue Wert variiert je nach Hersteller, Versorgungsspannung und Temperatur. Wenn man sie dauerhaft (mit DC) so hoch belastet riskiert man allerdings, dass die Ausgänge irgendwann kaputt gehen. Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten.
Der Anwendungsfall: ich muss ein (anderes) Signal auf 0 ziehen wenn das Eingangssignal 0 ist. Und das Signal sein lassen falls 1. Das ganze möglichst schnell. Meine Idee war 74hc00 (inverter) + kleinsignalmosfet. Existieren hier elegantere lösungen? (zb invertierender Mosfettreiber der einen separaten sink Ausgang hat?). (das signal darf nicht gesourced werden).
Mosfet schrieb: > Ich möche bestimmen wie schnell ein kleiner mosfet mit 8nC gate charge > an einen 74HCT geschaltet werden kann. Schnell genug, wenn man nicht gerade mit 100kHz PWM machen will. Beitrag "Re: Transistor, 1A, 4MHz Schaltfrequenz" > Dazu die Frage wie viel strom kann der HCT liefern. Hat er eine interne > Schaltung die den Io auf 25mA limitiert? Nicht ganz. > Oder was ist das RDS on des > Fets im HCT (mit welchem Io kann man rechnen?) Das steht im Familiendatenblatt bzw. User Guide. Siehe Anhang, Seite 34 HCT ist ausgangsseitig wie HC.
Mosfet schrieb: > Der Anwendungsfall: ich muss ein (anderes) Signal auf 0 ziehen wenn das > Eingangssignal 0 ist. Und das Signal sein lassen falls 1. Was ist das für ein Gefasel? > Das ganze > möglichst schnell. Dito. Möglichst schnell können auch 3.14ps sein . . . >Meine Idee war 74hc00 (inverter) + kleinsignalmosfet. Quark. > Existieren hier elegantere lösungen? (zb invertierender Mosfettreiber > der einen separaten sink Ausgang hat?). (das signal darf nicht gesourced > werden). Jaja, das liebe Denglisch. Menschenskinder, sag doch gleich, daß du einen Open Kollektor/Open Drain Ausgang suchst! Den gibt es bereits, sei es ein einfacher MOSFET als BSS138 oder als Gatter 74HC07.
Möglichst schnell: Minimum spezifikation unter 100ns, gewünscht unter 50ns. Sinkleisting >250mA Der BSS ist nur ein Mosfet und invertiert nicht (meine idee war ja sowas in Konbination mir 74hct00). 74HC07 invertiert auch nicht und mangelt sinkleistung.
Stefan F. schrieb: > Oder ein simpler NPN Transistor mit Widerstand vor der Basis. Wie schnell wird das, wenn man mittels 74hct und 680R Rb betreibt?
Mosfet schrieb: > Wie schnell wird das, wenn man mittels 74hct und 680R Rb betreibt? Keine Ahnung, ich weiß nur dass die kleinen normalen NPN Transistoren locker einige zig MHz schalten können. Sage lieber mal was du brauchst, denn mit "möglichst schnell" wird unfassbar teuer. Die meisten sie so etwas verlangen brauchen es aber gar nicht und wollen es auch nicht bezahlen.
Mosfet schrieb: > Möglichst schnell: > Minimum spezifikation unter 100ns, > gewünscht unter 50ns. > Sinkleisting >250mA Noch so ein Schwachsinnswort! 250mA ist ein Strom und keine Leistung. Also Schaltstrom. Ja, für 250mA braucht man einen echten MOSFET, Logikgatter können das sicher NICHT. Also Inverter + MOSFET. Such dir einen aus.
Falk B. schrieb: >> Sinkleisting >250mA > Noch so ein Schwachsinnswort! 250mA ist ein Strom und keine Leistung. Ja 250mA ist ein Strom. Die Aussage bezieht sich auf die Leistungsfähigkeit des sink Treibers - deshalb bezieht sich die Leistung auf diese Leistungsfähigkeit. Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.?
Mosfet schrieb: > Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.? So ziemlich jede, die nicht maßlos überdimensioniert ist. Nimm einen IRLML6344 mit 100Ω vor dem Gate und irgendein schnelles AHC Logikgatter. Das ist schon einer der größeren Brummer, verglichen mit dem was du brauchst. Ich habe den gewählt, weil er mir gerade einfiel und der BS138 (an den ich zuerst dachte) für 250 mA zu viel Innenwiderstand hat.
H. H. schrieb: > Mosfet schrieb: > >> 250mA > > Und wie niederohmig muss er sein? Sollte das signal unter die TTL Schwelle reissen können. -> 3.2Ohm Da habe ich noch etwas an Sicherheitsmarge drinn, also 250mA ist Wunschspezifikation. Mindestspezifikation ist 150mA. Quelle hat im Worstcase 3.6V mit 22Ohm.
Stefan F. schrieb: > So ziemlich jede, die nicht maßlos überdimensioniert ist. Nimm einen > IRLML6344 mit 100Ω vor dem Gate und irgendein schnelles AHC Logikgatter. Willst du eine extra Verzögerung einbauen? 100 Ohm sind viel zuviel und gar nicht nötig. Aber Hauptsache mal wieder "gute Tips" gegeben, was?
Mosfet schrieb: > Sollte das signal unter die TTL Schwelle reissen können. -> 3.2Ohm Und was soll der ganze Unsinn? Wenn man Logiksignale verknüpft, muss man keine 250mA schalten. > Da habe ich noch etwas an Sicherheitsmarge drinn, also 250mA ist > Wunschspezifikation. Mindestspezifikation ist 150mA. Quelle hat im > Worstcase 3.6V mit 22Ohm. Warum meinst du, den Treiber kurzschließen zu müssen? Wäre es nicht sinnvoller, den Treiber am EINGANG auszuschalten? Nur so ne Idee.
Stefan F. schrieb: > Mosfet schrieb: > >> Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.? > > So ziemlich jede, die nicht maßlos überdimensioniert ist. Nimm einen > IRLML6344 mit 100Ω vor dem Gate und irgendein schnelles AHC Logikgatter. Mache ich etwas falsch aber gem meiner Rechnung sollte der Schaltvorgang mit 100Ohm und dem besagten Mosfet min 200nS dauern.
Beitrag #7215237 wurde von einem Moderator gelöscht.
Mosfet schrieb: > Mache ich etwas falsch aber gem meiner Rechnung sollte der Schaltvorgang > mit 100Ohm und dem besagten Mosfet min 200nS dauern. Stimmt ich habe mich um eine Kommastelle verguckt oder vertippt.
Falk B. schrieb: > Mosfet schrieb: > >> Sollte das signal unter die TTL Schwelle reissen können. -> 3.2Ohm > > Und was soll der ganze Unsinn? Wenn man Logiksignale verknüpft, muss man > keine 250mA schalten. >> Da habe ich noch etwas an Sicherheitsmarge drinn, also 250mA ist >> Wunschspezifikation. Mindestspezifikation ist 150mA. Quelle hat im >> Worstcase 3.6V mit 22Ohm. > > Warum meinst du, den Treiber kurzschließen zu müssen? Wäre es nicht > sinnvoller, den Treiber am EINGANG auszuschalten? Nur so ne Idee. Ja die Idee ist korrekt. Es geht un Redundanz und daher darf nich vorher eingegriffen werden, da sonnst der Treiber single Point of failure wäre.
Mosfet schrieb: > Ja die Idee ist korrekt. Es geht un Redundanz und daher darf nich vorher > eingegriffen werden, da sonnst der Treiber single Point of failure wäre. Aber wieso redest du von TTL-Level LOW, das erreicht werden soll? Dein Schaltpunkt ist also auch wieder ein Logikeingang? Alles sehr merkwürdig . . . Wenn man 250mA schalten will und max. 0,4V Spannung zuläßt, reichen R=U/I = 0,4/0,25 = 1,6 Ohm. Da braucht es keinen Super-Duper 30mOhm MOSFET, auch wenn die heute billig und leicht verfügbar sind. Irgendwas unter 0,5 Ohm reicht.
Stefan F. schrieb: > Der IRLML2402 hat nur 2,6 nC, mit dem müsste es klappen, denke ich. Kann man abschätzen. Wenn man mit 30mA mittlerem Ladestrom rechnet, sind das Q = I * t t = Q/I = 2,6nC / 30mA = 86ns. Real vermutlich eher umd die 50ns. Und das HCT schafft auch etwas mehr als 30mA, wenn auch nicht über den gesamten Ausgangsspannungsbereich.
Stefan F. schrieb: > Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET > packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten. Im von Falk B. angehängten user.guide.hcmos.pdf steht drin (S. 36): The life of the IC will not be shortened if not more than one input or output at a time is forced to GND or VCC during in-circuit logic testing (“back drive”) as long as the following rules are obeyed: • maximum duration : 1 ms • maximum duty factor : 10 % • maximum VCC : 6 V Beim Ansteuern eines MOSFET bist du weit unter der 1ms für die Ladedauer des Gate-Cs - außer eben bei einer schnellen PWM. Um PWM ging es hier jedoch nicht. Damit sind die 100Ω überflüssig.
HildeK schrieb: > Stefan F. schrieb: > >> Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET >> packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten. > > Im von Falk B. angehängten user.guide.hcmos.pdf steht drin (S. 36): > The life of the IC will not be shortened if not more than one > input or output at a time is forced to GND or VCC during > in-circuit logic testing (“back drive”) as long as the following > rules are obeyed: > • maximum duration : 1 ms > • maximum duty factor : 10 % > • maximum VCC : 6 V > Beim Ansteuern eines MOSFET bist du weit unter der 1ms für die Ladedauer > des Gate-Cs - außer eben bei einer schnellen PWM. Um PWM ging es hier > jedoch nicht. Damit sind die 100Ω überflüssig. Danke; habe etwas gegoogelt und den BSD840N gefunden: 0.26nC Und zudem 2 Kanäle des 74HCT paralell (ist noch verfügbar) und ohne R. Damit bin isch schneller als die Polizei erlaubt. (Oder zumindest spez sollte erfüllt sein).
H. H. schrieb: > Mosfet schrieb: > >> BSD840N > > Einen ULL-MOSFET mit 5V anzusteuern ist nicht sinnvoll. Ist 3.3V. Ja TH spannung ist etwas tief. Dennkst du für 3.3V liegts im Rahmen oder welchen würdest du vorschlagen?
H. H. schrieb: > Mosfet schrieb: > >> Ist 3.3V. > > Mit HCT? > Sehr merkwürdig das alles. ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V
Mosfet schrieb: > H. H. schrieb: > >> Mosfet schrieb: >>> Ist 3.3V. >> >> Mit HCT? >> Sehr merkwürdig das alles. > > ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V ups sehe gerade die HCT haben da einschränkungen... Danke fürn tipp. Dann halt LVT?
Mosfet schrieb: > Es geht un Redundanz und daher darf nich vorher > eingegriffen werden, da sonnst der Treiber single Point of failure wäre. Und deshalb baust du dir den Fehler Bus Contention von vornherein ein?
Mosfet schrieb: > Mosfet schrieb: > >> H. H. schrieb: >>> Mosfet schrieb: >>>> Ist 3.3V. >>> >>> Mit HCT? >>> Sehr merkwürdig das alles. >> >> ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V > > ups sehe gerade die HCT haben da einschränkungen... Danke fürn tipp. > Dann halt LVT? Nochmal falsch 74ALVC00 scheint der passende typ.
Was spricht gegen einen 74LVC06? https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/74LVC06A.pdf Wenn man alle Stufen parallel schaltet, kommt man auch auf die geforderten 250 mA und kann sich den separaten FET sparen.
Abdul K. schrieb: > max. supply current 100mA ! Hmm, der Ausgangsstrom geht ja nach GND und nicht nach Vcc. Wobei GND ist auch ein Supply-Pin...
Ja dann einfach 3 74LVC06. Benötigt es noch kleine Wiederstände um die Ströme zu balancen? Oder einfach alles zusammenschalten?
Bernd schrieb: > Wobei GND ist auch ein Supply-Pin... Eben. Es gibt noch den Trick sich Hilfsversorgungspins zu erzeugen, in dem einzelne Gatter passend angesteuert und deren Ausgang auf eine Versorgungsplane geroutet werden. Ist aber alles bisserl Pfusch.
Abdul K. schrieb: > Ist aber alles bisserl Pfusch. Mir sieht der Ansatz des TE ein "Signal" mit bis zu 250mA erden zu wollen sowieso nach Pfusch aus.
H. H. schrieb: > Mir sieht der Ansatz des TE ein "Signal" mit bis zu 250mA erden zu > wollen sowieso nach Pfusch aus. "Das ist alles durchgerechnet . . " (tm) ;-)
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