DAC mit PWM steuern

[Dob S. (dobstronsky)]

edit:  ich habe den falschen screenshot gepostet, der Schaltplan ist 
richtig

Hallo,

ich probiere mich gerade mit Transistoren aus.
Als erstes wollte ich ein Projekt realisieren, in dem ich eine 
Gleichspannung mit einer PWM steuern kann.

Mir geht es noch nicht um einen konkreten Anwendungsfall, daher dient 
die gesteuerte Spannung erstmal nur dazu einen Mosfet zu schalten.

Die angehängte Schaltung funktioniert simuliert schon ganz ordentlich. 
Der tatsächliche Aufbau hat noch mindestens zwei Probleme, Leichte 
Welligkeit, das Bügel ich mit einem zweiten RC Glied aus, aber beim 
zweiten Problem komme ich nicht auf eine einfache Lösung.

Wenn die PWM 0 ist, ist das gate auf 12V. Wenn der Atmega328 also kein 
Signal liefert geht der Mosfet auf Durchzug.

Wie muss ich die Schaltung verändern, dass aus pwm = 0, gate = 0 folgt. 
Ein weiteres problem ist dann auch noch die Einschwingzeit, die noch 
nicht am gate sichtbar sein soll.

[H. H. (Gast)]

Einen Schaltransistor linear verwenden zu wollen ist gerade bei MOSFETs 
eine ganz schlechte Idee.

[Falk B. (falk)]

Dob S. schrieb:
> Die angehängte Schaltung funktioniert simuliert schon ganz ordentlich.

Naja. Das ist mehr oder minder eine Murksschaltung. Keine Sekunde linear 
oder stabil. Nimm einen Operationsverstärker, dann wird das was, siehe 
PWM.

> Wenn die PWM 0 ist, ist das gate auf 12V. Wenn der Atmega328 also kein
> Signal liefert geht der Mosfet auf Durchzug.

Ja und? Das ist die normale Kennlinie deiner Schaltung. Invertierend.

> Wie muss ich die Schaltung verändern, dass aus pwm = 0, gate = 0 folgt.
> Ein weiteres problem ist dann auch noch die Einschwingzeit, die noch
> nicht am gate sichtbar sein soll.

Was hätten wir denn gern? Null Einschwingzeit? Siehe oben.

[Εrnst B. (ernst)]

Dob S. schrieb:
> Die angehängte Schaltung funktioniert simuliert schon ganz ordentlich.

Tut sie nicht. Du plottest "V(gate)", was relativ irrelevant ist. Plotte 
lieber "I(R4)", und das in Abhängigkeit von deinem PWM-Tastverhältnis.

Wundere dich nicht, wenn du am schluss nur eine Handvoll von 
verschiedenen PWM-Werten hast, die am Ausgang einen Unterschied machen.

Im Anhang ein Schnippsel aus dem Datenblatt des FETs.

Du verstellst die Gate-Spannung zwischen 0V und 12V, aber der relevante 
Bereich, wo sich wirklich was am Ausgang ändert, ist nur ganz schmal.
Und wandert mit der Exemplarstreuung und Temperatur.

[Dob S. (dobstronsky)]

Εrnst B. schrieb:

> Du verstellst die Gate-Spannung zwischen 0V und 12V, aber der relevante
> Bereich, wo sich wirklich was am Ausgang ändert, ist nur ganz schmal.
> Und wandert mit der Exemplarstreuung und Temperatur.

Das finde ich interessant. Ich kann das schwierig nachvollziehen was in 
dem Diagram steht.

Ich habe etwas simuliert. Ist das Unsinn?

Ich lege einen Sinus an das gate dessen Amplitude sehr klein ist. Peak 
to Peak gerade mal 0,2 Volt. In dem Bereich ist der Strom I(R4) direkt 
abhängig von der Gate Spannung. Der Sinus am gate spiegelt sich damit in 
I(R4) wieder.

Geht das aus dem Diagram hervor? So wie ich das Diagram verstehe sollte 
unterhalb 4,5 V gar nichts passieren und dann gehts los bis 400 Ampere 
bei 12 Volt.

[Dob S. (dobstronsky)]

H. H. schrieb:
> Einen Schaltransistor linear verwenden zu wollen ist gerade bei MOSFETs
> eine ganz schlechte Idee.

Ich checke das mit dem Linearen Bereich nicht. Ich dachte ich betreibe 
den Transistor wie ein Schalter.

Wenn es der Lineare Bereich ist, dann ist Vice doch überhalb 0,7V, oder?
Aber wenn ich betätige muss Vice doch 0 sein. oder betrachtet man auch 
den unbestätigten Zustand? Da wäre Vice natürlich 12V.

Bitte, rein zum Verständnis. Das ein opamp besser ist, ist angekommen 
und wird auch umgesetzt.

[H. H. (Gast)]

https://www.rohm.de/electronics-basics/transistors