Hallo zusammen. Mein kleines Solarprojekt verheizt grad 10 Watt an der Schottky-Diode. Einen Rückstromschutz braucht es aber, da das Solarpanel sonst nachts aus der Batterie Strom zieht (wieso eigentlich???) Ich wollte jetzt mal schauen, ob ich diese Schottky nicht durch was besseres ersetzen kann. Es gibt wohl mittlerweile so drop-in aktive Dioden, die einfach aktive Komponenten sind und die den FET einige Zeit ausschalten, um sich durch den dann entstehenden Vdrop selbst aufzuladen. Da müsste es doch auch aktive Dioden geben, die man direkt versorgen kann, die also ohne diesen Auflade-Zyklus auskommen. Ich bräuchte da was mit max. 24V, 30 Amps...
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Christian schrieb: > Ich bräuchte da was mit max. 24V, 30 Amps... So was: https://www.amazon.de/dp/B092DBGK4R ? Ob sich das amortisiert... (Vermutlich ist das so eine die sich 'auflädt') oder sie braucht einen dritten Anschluss. Christian schrieb: > da das Solarpanel sonst nachts > aus der Batterie Strom zieht (wieso eigentlich???) Na ja, die Diodenkennlinie ist keine harte Grenze. Wenn viel zu viele Zellen in Reihe sind, dso daß für die Akkuspannung nur 0.4V an einer Zelle anliegen, dann kannst du den Rückfluss wohl ignorieren. Aber dann stört auch keine Diode mit ihrer Vorwärtsspannung. Wenn die MPP Spannung bei oder gar unter der Akkuspannung bei vollen Akku liegt, dann fliesst erheblich Strom nachts zurück, denn im MPP gebt es schon deutlichen Abschluss durch die Zellen intern.
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Christian schrieb: > Mein kleines Solarprojekt verheizt grad 10 Watt an der Schottky-Diode. 10W um 17:42? Wie mag das erst bei voller Sonneneinstrahlung aussehen - oder wo steht dein Projekt?
Soweit ich weiß gibt es dazu Schaltungen mit MOSFET. mit "zero voltage diode" findet man einige Schaltungen z.B. https://www.analog.com/en/technical-articles/0v-to-18v-ideal-diode-controller-saves-watts-and-space-over-schottky.html hier "Ideal Diode" genannt.
Christian schrieb: > da das Solarpanel sonst nachts > aus der Batterie Strom zieht (wieso eigentlich???) Weil das sehr, sehr, sehr großflächige Dioden sind, und ihr Sperrstrom und der Anlaufstrom im ersten Teil der Durchlasskennlinie "etwas" größer ausfällt, als bei einer gewöhnlichen Gleichrichterdiode, deren Chip kaum 1mm² misst. https://de.wikipedia.org/wiki/Shockley-Gleichung
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Hallo Christian. Die beste Art den Verlust an der Sperrdiode zu verringern, ist diese Diode zu vermeiden. Ob sie gebraucht wird oder nicht hängt von der Topologie des Ladereglers ab. Als Beispiel ist hier die Simulation eines einfachen Aufwärtswandlers. Links ist die Solarzelle (V1, blaue Linie) sie generiert eine Spannung von 0V bis 20V. Rechts der Akku (V2) mit einer Spannung von 10V. Zur Darstellung des Stromes ist R1 eingefügt (rote Linie). D2 zeigt die Lage der üblichen Sperrdiode. Im Bild ist zu erkennen, dass die Gleichrichterdiode D1 die Aufgabe der Sperrdiode mit übernimmt, wodurch die Sperrdiode überflüssig wird. Der Strom wird nie negativ, selbst bei 0V von der Solarzelle nicht. Womöglich braucht dein Laderegler die Sperrdiode auch nicht? Falls du seine Topologie nicht kennst kannst du den Rückstrom mit dem Multimeter messen, aber dabei einen Vorwiderstand zur Strombegrenzung nicht vergessen - sonst KURZSCHLUSS. Gruss Tom.
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Ich habe diese Schaltung nachgebaut die hat bei mir einen Rückstrom von 0.14mA bei 14V aus der Batterie in die Solarzelle. Damit kann ich leben bei einer 100Ah Batterie. Meine Anwendung ist allerdings die Parallelschaltung von mehreren 12V Panelen in einer combiner box. Danach geht es zum Wechselrichter. Vor den Dioden sind noch Sicherungen. Alles sicher völlig overkill, entweder die Dioden oder die Sicherungen dürften reichen bei einem Fehler der Solarzellen. Leerplatine habe ich noch eine übrig, wenn du die willst.
Thomas G. schrieb: > Schaltung nachgebaut Wird der p-mos nur mit -0,7V angesteuert oder ist ein Fehler im Plan?
Das Gate sollte über R3 auf GND liegen und damit -12V oder was immer die Batterie hat.
Michael B. schrieb: > So was: https://www.amazon.de/dp/B092DBGK4R ? > (Vermutlich ist das so eine die sich 'auflädt') oder sie braucht einen > dritten Anschluss. Da der darauf verbaute LTC4357 von 9-80V Versorgt werden will, ist der dritte Anschluss (GND) mit Sicherheit nötig. Christoph db1uq K. schrieb: > Soweit ich weiß gibt es dazu Schaltungen mit MOSFET. Ja, die verlinkte z.B. Thomas G. schrieb: > Ich habe diese Schaltung nachgebaut Pmos... Warum macht man sowas, wenn es ICs wie den LTC4357 mit Ladungspumpe für einen deutlich besseren Nmos gibt?
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Thomas G. schrieb: > Ich habe diese Schaltung nachgebaut Das Gate ist jedenfalls falsch angeschlossen. Müsste so aussehen wie im Anhang. Helge schrieb: > Wird der p-mos nur mit -0,7V angesteuert oder ist ein Fehler im Plan? Fehler im Plan!
Nimm ein Relais das bei Solarspannung über Ladeschlussspannung einschaltet und die Diode überbrückt.
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HildeK schrieb: > Fehler im Plan! Ja, das mag sein.Beim Raspberry3 ist die Schaltung so ähnlich wie meine. Es gibt von diesem Stromspiegel viele Varianten. Ich wollte das nur als Alternative zu diesen teuren Fertigteilen hier reinstellen, weil ich damals genau nach sowas gesucht habe.
Max M. schrieb: > Warum macht man sowas, wenn es ICs wie den LTC4357 mit Ladungspumpe für > einen deutlich besseren Nmos gibt? Ja wenn die LTC4357 lieferbar sind, und preislich passen, oder wenn man sie umsonst irgendwo "findet" warum nicht. Das waren aber nicht die Bedingungen die ich hatte. Was ist denn an einem 8mOhm Fet so schlimm bei 10 A, verglichen mit einer Schottky Diode mit 0.6V?
Thomas G. schrieb: > Ja, das mag sein.Beim Raspberry3 ist die Schaltung so ähnlich wie meine. Richtig. Und da ist auch das Gate am Emitter des Transistors angeschlossen, bei deinem Bild ist es an der Basis angeschlossen. Das ist der Fehler. Und die beiden Dioden, die bei meinem Plan noch drin sind, dienen dazu, bei Verpolung (denn dafür ist die Schaltung auch geeignet), die BE-Strecke des Transistors zu schützen. Du hast die antiparallel zur BE-Strecke; kann man auch machen.
Thomas G. schrieb: > Was ist denn an einem 8mOhm Fet so schlimm bei 10 A, verglichen mit > einer Schottky Diode mit 0.6V? Nichts. Nmos sind nur prozessbedingt besser als Pmos. LTC4357 sind reichlich verfügbar. Nicht billig, aber im Gesamtzusammenhang doch nur Rauschen.
Max M. schrieb: > Nmos sind nur prozessbedingt besser als Pmos. Haben die gegen die Naturgesetzte verstoßen?
HildeK schrieb: > Thomas G. schrieb: >> Ja, das mag sein.Beim Raspberry3 ist die Schaltung so ähnlich wie meine. > > Richtig. Und da ist auch das Gate am Emitter des Transistors > angeschlossen, bei deinem Bild ist es an der Basis angeschlossen. Das > ist der Fehler. > > Und die beiden Dioden, die bei meinem Plan noch drin sind, dienen dazu, > bei Verpolung (denn dafür ist die Schaltung auch geeignet), die > BE-Strecke des Transistors zu schützen. Du hast die antiparallel zur > BE-Strecke; kann man auch machen. Ja, Du hast völlig Recht, jetzt sehe ich es auch. Das Gate gehört dort nicht an die Basis. Die Dioden bei mir sollten aber passen oder?
Max M. schrieb: > LTC4357 sind reichlich verfügbar. Nicht billig, aber im > Gesamtzusammenhang doch nur Rauschen. Naja 7€/Stück für ne Diode, hoffentlich braucht der TO nur eine...
Thomas G. schrieb: > Naja 7€/Stück für ne Diode PV Panel + Akku + WR gabs ja sicher geschenkt. Da tun dann 7€ natürlich sehr weh. Vor allem weil man die auch schon ab 2€ bekommt.
Hallo Max M. Recht so, die eine einseitige Abhängigkeit noch nicht überwunden, begibt man sich ohne Not gleich in Nächste. Bravo! Gruß Tom.
Thomas G. schrieb: > Die Dioden bei mir sollten aber passen oder? Sie verhindern zwar eine negative Spannung an der BE-Diode vom Transistor, aber in dem Moment, wo eingangs die Spannung abfällt (ggf. mit noch anderen Lasten parallel) wird sie über BE von Q3 und R2 leitend. Das macht zwar nichts wegen R2, aber der stört meines Erachtens auch. In deiner Schaltung mit R2=0 hättest du allerdings einen Rückpfad über BE von Q3 und dieser Diode. Das würde beide killen. R2 verlangsamt aber den Übergang zum Sperren von Q2 erheblich. Deshalb finde ich meine Variante besser. Auch R3 scheint mir zu hochohmig. Der lässt mehr Restspannung am FET übrig. Bei 1M wird das dann schon so groß, dass man das Ganze durch eine einfache Schottkydiode ersetzen kann 😀. Zu niedrig führt jedoch zu einem höheren Entladestrom über Q3 und R3. Trade-off! Ich finde 10k-50k ganz ok, abhängig davon, was man sich leisten will als Entladestrom der Batterie. Also, ich würde R2 weglassen und die Diode(n) wie in meinem Bild setzen. Ideal wäre eine Doppeldiode in einem Gehäuse, ebenso wie ein Doppeltransistor. Es ist an jedem Emitter eine Diode notwendig, sonst passt das mit dem Fühlen der DS-Spannung am Q2 nicht. Der Unterschied dieser Schaltungsart zu der einfachsten Variante mit nur PMOS und Gate nach GND ist, dass sie, wie eine echte Diode, bereits sperrt, wenn die Eingangsspannung kleiner als die Ausgangsspannung (z.B. wegen geladenem Elko) ist. Die einfache Variante kann nur Verpolschutz und ist solange leitend, solange die Eingangs- oder Ausgangsspannung hoch genug ist um den FET am Leiten zu halten. Dafür hat sie noch weniger Drop.
TomA schrieb: > Recht so, die eine einseitige Abhängigkeit noch nicht überwunden, begibt > man sich ohne Not gleich in Nächste. Bravo! Trottel! Du kannst ja gerne zurück in die Höhle kriechen und wieder Einzeltransistoren auf Hartpapierplatten mit Silberdraht verschalten, weil du eine kurzfristige Beschaffungskrise nicht vom Untergang des Abendlandes unterscheiden kannst.
Und du glaubst Beleidigungen überdecken deine Fehleinschätzung? Erbärmlich!
HildeK schrieb: > Auch R3 scheint mir zu hochohmig. Der lässt mehr Restspannung am FET > übrig. Bei 1M wird das dann schon so groß, dass man das Ganze durch eine > einfache Schottkydiode ersetzen kann 😀. Zu niedrig führt jedoch zu einem > höheren Entladestrom über Q3 und R3. Trade-off! Ich finde 10k-50k ganz > ok, abhängig davon, was man sich leisten will als Entladestrom der > Batterie. > Also, ich würde R2 weglassen und die Diode(n) wie in meinem Bild setzen. > Ideal wäre eine Doppeldiode in einem Gehäuse, ebenso wie ein > Doppeltransistor. > Es ist an jedem Emitter eine Diode notwendig, sonst passt das mit dem > Fühlen der DS-Spannung am Q2 nicht. D2 die Z-Diode soll bei mir auch das Gate vor Überspannung schützen, wenn mal irgendwo schlagartig ein Verbraucher getrennt wird und da was über die Leitung kommt. Was denkst Du darüber?
Thomas G. schrieb: > D2 die Z-Diode soll bei mir auch das Gate vor Überspannung schützen, > wenn mal irgendwo schlagartig ein Verbraucher getrennt wird und da was > über die Leitung kommt. Was denkst Du darüber? Wenn das Ganze mit Spannungen oberhalb der maximal zulässigen Gatespannung betrieben werden soll, dann ist eine Z-Diode sinnvoll. Statisch passiert nichts, denn die Gatespannung wird nur soweit aufgemacht, dass noch ca. 50-100mV an der DS-Strecke abfallen, also der FET geht nicht auf maximal ON. Was aber dynamisch passieren kann, ist immer schwer vorherzusagen, da kann schon mal ein zu hoher Peak auftreten. Deshalb ist diese Z-Diode dort schon richtig - und sei es nur fail-safe. Ich hatte mich ja an D1 aufgehalten. HildeK schrieb: > Und die beiden Dioden, die bei meinem Plan noch drin sind, dienen dazu, > bei Verpolung (denn dafür ist die Schaltung auch geeignet), die > BE-Strecke des Transistors zu schützen. Da muss ich mich etwas korrigieren: die Diode am E vom linken Transistor ist auch schon notwendig, wenn die Eingangsspannung auf Null geht. Sonst gibt es einen Pfad vom Ausgang über den rechten Transistor auf die Basis, deren Sperrspannung dann überschritten wird.
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