Hallo Experten! Ich habe mal eien grundsätzliche Frage zum NPN Transistor, ich finde nach zahlreichen Recherchen keine logische Erklärung dafür: Betrachtet wird ein NPN Transistor, der im Ersatzschaltbild mit den beiden dioden, wie im Anhang angefügt, betrachtet werden kann. QWenn nun eine SPannung Ube zwischen Basis und Emitter angelegt wird, dann ist das eine normale Diodenstrecke, es fließt ein Basisstrom ab Ube> ca 0,7V, das ist mir völlig klar. Nehemn wir weiter an, im Lastkreislauf Uce wäre eine Spannung von Collector zu Emitter von 12 V vorhanden (C auf +12V, E auf GND). Die obere Diode zwischen Basis und COollector ist für diesen Kreis doch nach wie vor in Sperrichtung, warum kann hier dann ein Kollektorstrom fließen? Es heißt immer, die Elektronen, die vom Emitter durch Ube zur Basis fließen, werden zum Großteil vom "noch höheren" Potenzial am Collector abgesaugt. Aber warum ist das überhaupt möglich, es ist hier doch eine Diode in Sperrichtung vorhanden?! Ich finde hier keine logische Erklärung - bitte um kurze Hilfe. Danke!
Angehängte Dateien:
-
NPN.PNG
4,4 KB
Jan22 schrieb: > Ich finde hier keine logische Erklärung - bitte um kurze Hilfe. Falsches Ersatzschaltbild.
Man kann den Transistor auch komplett ohne p und n dotierte Gebiete erklären: "Wasserschleussenmodell: https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_animation.gif -- Näher dran an der Kristallphysik ist dagegen ein Model, das einen Abbau der p-Sperrschicht durch rekombination der lädungsträger beinhaltet, Bipolartransistor im Bändermodell: https://wiki.mexle.org/elektronische_schaltungstechnik/2_transistoren Also dein statisches Modell zweier Dioden verändert sich durch die vom Basistrom hervorgerufene Rekombination zu einen Ersatzschaltbild eines Widerstandes, da die pn-Sperrschicht verschwindet.
In extremer Kurzform: Die Spannung Ube baut die - sowieso schon extrem dünne - Sperrschicht zwischen B und E ab (anschaulich: verringert deren Breite), so dass die vom Emitter emittierten Elektronen zum größten Teil nicht zur Basis abließen, sondern von der größeren Spannung Uce beschleunigt und zum Kollektor angezogen werden (Strom Ic). Dabei bestimmt die Spannung Ube natürlich (e-Funktion) die Größe des Emitterstromes Ie. Quasi als (unerwünschter) Nebeneffekt werden dabei aber einige Ladungsträger (1% oder weniger) zur Basis abwandern und den Basisstrom Ib bilden. Weil dieser Basistrom Ib in einem fast konstanten Verhältnis zum Koll.Strom Ic steht (Ib=Ic/B) steht in manchen Büchern/Veröffentlichungen, dass Ib den Strom Ic "steuern" würde. Das ist physikalisch falsch - bei vielen Rechnungen kann man aber "so tun als ob", weil die Beziehung Ic=B+Ib ja nicht fasch ist. Bloß beim Entwurf (und beim Verständnis von Schaltungen) sollte man schon wissen was wirklich passiert im Innern des Transistors.
Jan22 schrieb: > im Ersatzschaltbild Du hast jetzt was wichtiges gelernt: Ersatzschaltbilder und auch Prinzipschaltungen "funktionieren" nur in dem Betriebsbereich, für den sie gezeichnet wurden. Das ist etwas, das die vielen, die zum ersten Mal eine Brückenschaltung entsprechend dem "Prinzipschaltbild" nachbauen und die 4 Transistoren an 4 Ausgänge ihres µC anschließen, dann auch merken. > Es heißt immer, die Elektronen, die vom Emitter durch Ube zur Basis > fließen, werden zum Großteil vom "noch höheren" Potenzial am Collector > abgesaugt. Du darfst nicht in der Denkweise zwischen dem elektrotechnischem "Löcherstrom" und dem physikalischen Elektronenstrom umschwenken, das gibt einen Knoten ins Hirn. Für die Elektronik reicht es aus, wenn du dir merkst: 1. der Strom fließt von Plus nach Minus 2. der Strom fließt in Pfeilrichtung Was bedeutet "in Pfeilrichtung"? Sieh dir die Symbole von Diode, Thyristor, Transistor, Mosfet, LED, Triac, ... an: überall sind Pfeile drin. Und diese Pfeile zeigen eine "Vorzugs"-Stromrichtung an. Daran erkennt man mit einem Blick: wenn ein Emitterpfeil in Richtung Plus zeigt, dann ist der Transistor falsch herum eingebaut (wobei Ausnahmen die Regel bestätigen).
kurz&knapp, nicht nur schrieb: > > Also dein statisches Modell zweier Dioden verändert sich durch die vom > Basistrom hervorgerufene Rekombination zu einen Ersatzschaltbild eines > Widerstandes, da die pn-Sperrschicht verschwindet. Dieses Modell ist auch ziemlich irreführend (wozu braucht man überhaupt ein Modell?). Der Basisstrom ruft auch nicht Rekombinationen hervor, sondern er ist das Ergebnis davon! Auch "verschwindet" nicht die Sperrschicht - sie wird als Funktion der Spannung Ube beeinflusst (schmaler) und erlaubt so die Beeinflussung des Koll.stromes (e-Funktion). Das Ersatzschaltbild mit einem Widerstand ist auch nicht korrekt, denn dann müsste zwischen Uce und Ic ja eine nahezu lineare Abhängigkeit bestehen, was nun gerade nicht der Fall ist. Im Gegenteil: Ic bleibt ja nahezu konstant beu Uce-Schwankungen, was gerade zum Modell der gesteuerten Stromquelle führt.
Das Bild mit den zwei Dioden kann man verwenden, wenn man den Transistor mit einem Multimeter (Diodentest) grob prüfen will, ob die beiden Diodenstrecken noch vorhanden sind. Man kann damit auch herausfinden, ob es ein PNP oder NPN ist. Zu mehr taugt es nicht, schon gar nicht zur Erklärung der Funktionsweise eines Transistors!
Jan22 schrieb: > Aber warum ist das überhaupt möglich, es ist hier > doch eine Diode in Sperrichtung vorhanden?! Nein. Die Diode befindet sich im Ersatz(!)schaltbild. Und nur dort.
Axel S. schrieb: > Nein. Die Diode befindet sich im Ersatz(!)schaltbild. Und nur dort. Falsch, jeder bipolare Transistor lässt sich auch prima als Diode verwenden. Nur die Kennwerte der Dioden sind halt nicht so günstig...
Axel S. schrieb: > Jan22 schrieb: >> Aber warum ist das überhaupt möglich, es ist hier >> doch eine Diode in Sperrichtung vorhanden?! > > Nein. Die Diode befindet sich im Ersatz(!)schaltbild. Und nur dort. ABER: Der pn-Übergang wischen B und C ist im Verstärkerbetrieb schon in Sperr-Richtung gepolt. Erst bei Sättigung (Schalterbetrieb) ist auch dieser Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt. Zum (falschen) Bild mit den Dioden: Das Bild ist deshalb falsch, weil es nicht zwei entkoppelte pn-Übergänge sind. Wir haben durch die gemeinsame p-Zone in der Mitte (beim npn Typ) ja zwei pn-Übergänge, die aber miteinander gekoppelt sind und von denen einer "offen" und der andere gesperrt ist (im Normalbetrieb). Gerade diese Verkopplung bewirkt ja das Transistor-Prinzip (und erklärt auch den Early-Effekt).
:
Bearbeitet durch User
"Das Ganze ist mehr als die Summe seiner Teile." Aristoteles (384 v.Chr. - 322 v.Chr.)
Noch mal zusammenmgefasst: Einen Transistor mit 2 Dioden Dioden zu bauen funktioniert halt nicht. Weil in ihm die Basiszone sehr schmal ist (10µm?) sind die BE- bzw. CB-Übergänge nicht entkoppelt, wie bei zwei zusammngeschaltete Dioden, sondern wirken zusammen. - Als Transistor ...
Das findet man in jedem Grundlagenbuch... Die Elektronen fließen vom Emitter in die Basis (Bais-Emitter Diode in Vorwärtsrichtung). Dort rekombinieren sie aber zum Großteil nicht, weil die Basisschicht sehr kurz ist und werden vom Elektrischen Feld der Basis Kollektor Diode (Basis Kollektor Diode in Sperrrichtung -> Raumladungszone -> Elektrisches Feld) zum Kollektor hin abgesaugt.
Da Baby schrieb: > Das findet man in jedem Grundlagenbuch... Die Elektronen fließen vom > Emitter in die Basis (Bais-Emitter Diode in Vorwärtsrichtung). Dort > rekombinieren sie aber zum Großteil nicht, weil die Basisschicht sehr > kurz ist und werden vom Elektrischen Feld der Basis Kollektor Diode > (Basis Kollektor Diode in Sperrrichtung -> Raumladungszone -> > Elektrisches Feld) zum Kollektor hin abgesaugt. Alles vollkommen richtig - leider steht aber in manchen Grundlagenbüchern, dass die Größe dieses dabei entstehenden Stromes Ie (bzw. Ic) nicht von Ube, sondern von dem dabei fließenden Basisstrom Ib bestimmt würde (was total unlogisch ist).
Lutz V. schrieb: > leider steht aber in manchen Grundlagenbüchern, dass die Größe dieses > dabei entstehenden Stromes Ie (bzw. Ic) nicht von Ube, sondern von dem > dabei fließenden Basisstrom Ib bestimmt würde Ist aber halt nun mal so. Wie es schon weiter oben steht: bei konstantem Ib ist auch der Ie weitgehend konstant (und zwar unahängig von der Uce). Dafür gibt es den Parameter Stromverstärkung B. Dass natürlich der Ib von der Ube in Form einer Diodenkennlinie abhängt, ist irgendwie logisch. Aber man berechnet Transistorschaltungen immer mit dem Ib und nimmt vereinfacht eine Ube von ca. 0,6...0,7V an. Oder andersrum: welche Formel oder welches Diagramm im DB gibt die Abhängigkeit des Ie von der Ube an?
Angehängte Dateien:
-
2022-11-29_15-22.png
95 KB
Ich habe keine Schiwerigkeiten, bipolare Transistoren anzuwenden, sowohl analog als auch digital. Aber warum sie das tun, was sie tun, habe ich nie verstanden. Selbst eine persönliche Unterredung mit meinem Lieblings Technik Lehrer von der Berufsschule brachte mich da nicht weiter. Ich habe das mit "man muss nicht alles verstehen" abgehakt. Das "mechanische Modell" auf diese Seite gefällt mir: https://www.leifiphysik.de/elektronik/transistor/grundwissen/der-transistor-effekt Lutz V. schrieb: > leider steht aber in manchen Grundlagenbüchern, dass die Größe > dieses dabei entstehenden Stromes Ie (bzw. Ic) nicht von Ube, > sondern von dem dabei fließenden Basisstrom Ib > bestimmt würde (was total unlogisch ist). Wenn man die Grundlagen (so wie ich) nicht verstanden hat, sieht das von außen betrachtet genau so aus. Und mit dieser Vorstellung im Kopf komme ich klar. Damit kann ich rechnen und Schaltungen designen. Mit der fachlich korrekten Sichtweise hingegen nicht.
Lothar M. schrieb: > Lutz V. schrieb: >> leider steht aber in manchen Grundlagenbüchern, dass die Größe dieses >> dabei entstehenden Stromes Ie (bzw. Ic) nicht von Ube, sondern von dem >> dabei fließenden Basisstrom Ib bestimmt würde > Ist aber halt nun mal so. Nein, leider nicht. Wie gesagt - man tut oft so, als ob....bei Nachrechnungen von Schaltungen funktioniert das ja auch meistens, bloß nicht beim Entwurf. Da muss man wissen, wie und warum der Transistor funktioniert. > Oder andersrum: welche Formel oder welches Diagramm im DB gibt die > Abhängigkeit des Ie von der Ube an? Das ist die exponentielle Steuerkennlinie Ie=f(Ube). Aber Du hast recht: Im Datenbuch nicht angegeben. Warum nicht? Weil man sie nicht braucht. Man gibt sich normalerweise doch den Strom Ic vor - und benutzt jetzt das Wissen um diese Steuerkennlinie (die ja einen bekannten Verlauf hat, den man nicht im Datenbuch angeben muss) und ermittelt daraus die für die Verstärkung zugehörige Steilheit gm=Ic/Ut. Man benutz also ständig die Spannungssteuerung - nur manche machen sich das gar nicht bewusst. Und die Unsicherheit bei Ube=0,65...0,7V wird durch Re-Gegenkopplung extrem abgemildert.
Steve van de Grens schrieb: > Wenn man die Grundlagen (so wie ich) nicht verstanden hat, sieht das von > außen betrachtet genau so aus. Und mit dieser Vorstellung im Kopf komme > ich klar. Damit kann ich rechnen und Schaltungen designen. Mit der > fachlich korrekten Sichtweise hingegen nicht. Darf ich Dich was fragen? Ist dir klar, dass Du bestimmt beim "designen" von Schaltungen das Prinzip der Steuerung durch Ube benutzt (scheinbar, ohne es zu realisieren)? * Benutzt Du die Gegenkopplung durch Re? Warum? * Dimensionierst Du einen Basis-Teiler hoch- oder niederohmig? Warum? * Welche Verstärkungsformel nimmst Du für das Design? * Wie legst Du Gegentakt-B-Stufen aus? * Wie definierst Du den Sättigungsbetrieb? PS: Wenn man das gezeigte mechanische Modell genau betrachtet (und unter dem Aspekt mechanischer Kräfte untersucht): Es kann gar nicht funktionieren! Wie soll den der kleine "Schieber" den viel größeren, der zudem einen viel größeren Strom hemmen soll, bewegen können? Mechanisch unmöglich! Es wird furchtbar viel Unsinn produziert.....wie auch das zuvor gezeigte Bild vom "Transistor man". Der biopolare Transistor ist nie und nimmer ein gesteuerter Widerstand!
:
Bearbeitet durch User
Lutz V. schrieb: > Ist dir klar, dass Du bestimmt beim "designen" von Schaltungen das > Prinzip der Steuerung durch Ube benutzt (scheinbar, ohne es zu > realisieren)? Wahrscheinlich ist das so. Ich kann das schlecht beurteilen, weil es eben nicht verstanden habe. Lutz V. schrieb: > Wie soll den der kleine "Schieber" den viel größeren, der > zudem einen viel größeren Strom hemmen soll, bewegen können? Das ist wie in Science-Fiction Filmen. Über solche Details darf man nicht nachdenken, sonst macht der Film keinen Spaß.
Steve van de Grens schrieb: > Wahrscheinlich ist das so. Ich kann das schlecht beurteilen, weil es > eben nicht verstanden habe. Warum gibst Du Dich damit (mit dem Nicht-Verstehen) denn zufrieden? Ist im Prinzip doch ganz einfach (wie ich es in meinem ersten Beitrag in Kurzform beschrieben habe). Und wenn Du Nachfragen hast....kein problem.
Lutz V. schrieb: > Warum gibst Du Dich damit (mit dem Nicht-Verstehen) denn zufrieden? Weil es mir schon viele Leute schriftlich und mündlich beizubringen versucht haben. Ich schnalle es trotzdem nicht. Lass gut sein, es wäre Zeitverschwendung.
Lutz V. schrieb: > Es kann gar nicht > funktionieren! Wie soll den der kleine "Schieber" den viel größeren, der > zudem einen viel größeren Strom hemmen soll, bewegen können? Mechanisch > unmöglich! Ach doch, mit der richtigen Übersetzung geht das. Das ist ja kein Funktionsmodell im kausalen Sinne, bzw. ein stark abstrahiertes. Mir hat ein ähnliches als Jugendlicher geholfen die Funktion des Transistors zu verstehen. Lothar M. schrieb: > Oder andersrum: welche Formel oder welches Diagramm im DB gibt die > Abhängigkeit des Ie von der Ube an? Zumindest gibt es die Steilheit S = dIc/dUbe = Ic/Ut [mA/V]. Die Steilheit S ist vielen unbekannt, obwohl sie ungefähr genauso wichtig ist wie die Stromverstärkung B bzw. ß. Bei Röhren ist die Steilheit eine der zentralen Größen. Allerdings ist sie bei diesen rein konstruktionsbedingt, während die beim Transistor nur vom Kollektorstrom (bei konst. Temperatur) abhängig ist. Beispiel: Emitterschaltung ohne Gegenkopplung mit Ic = 1 mA. S ~ 40 mA/V. Bei Rc = 1k ergibst sich die Verstärkung grob zu v = S·Rc = 40. Alleine mit B/ß läßt sich dies nicht berechnen. Und: v ist unabhängig vom Transistor
Steve van de Grens schrieb: > Weil es mir schon viele Leute schriftlich und mündlich beizubringen > versucht haben. Ich schnalle es trotzdem nicht. Lass gut sein, es wäre > Zeitverschwendung. Dann nimm es einfach so hin und rechne mit den praktischen Formeln. Das Verständnis kommt mit der Zeit.
Mohandes H. schrieb: > Die > Steilheit S ist vielen unbekannt, obwohl sie ungefähr genauso wichtig > ist wie die Stromverstärkung B bzw. ß. Ich gehe deutlich weiter und sage: Die Steilheit ist - was den verstärkenden Linearbetrieb des Transistors angeht - ganz allein ausschlaggebend! Sie steht als einzige Transistorgröße doch in der Verstärkungsformel drin! Die sog. "Stromverstärkung" (wer meinen Ausführungen zustimmt, weiß, warum ich das in Anführungszeichen setze), bestimmt nur den Eingangswiderstand der Stufe und wird evtl. bei der Dimensionierung des Basisteilers berücksichtigt. > Und: v ist unabhängig vom Transistor Ja, das unterstreiche ich! Gleicher Arbeitspunkt - gleiche Verstärkung, unabhängig davon, ob B=100 oder 200.
:
Bearbeitet durch User
Mohandes H. schrieb: > Zumindest gibt es die Steilheit S = dIc/dUbe = Ic/Ut [mA/V]. Die > Steilheit S ist vielen unbekannt, obwohl sie ungefähr genauso wichtig > ist wie die Stromverstärkung B bzw. ß. Leider taucht sie eben nicht im Datenblatt auf. Sie taucht zum Selberrechnen bestenfalls als Diagramm Ic = f(Ube) auf und muss dann mit dem passend kleinen dUbe selbst berechnet werden. Lutz V. schrieb: > Mohandes H. schrieb: >> Und: v ist unabhängig vom Transistor > Ja, das unterstreiche ich! Gleicher Arbeitspunkt - gleiche Verstärkung Muss ja so sein, wenn man den gleichen Arbeitspunkt mit gleichem dIc/dUbe einstellt. Allerdings bedeutet "unabhängig vom Transistor" eben nicht, dass ich in irgendeine Schaltung anstelle eines BC547C einfach so z.B. einen 2N3055 einsetzen kann und dann automatisch die selbe Verstärkung habe. Aber diese Diskussion ist sowieso weit fernab von dem, was dem TO beim Verständnis von Transistoren hilft.
Lothar M. schrieb: > Mohandes H. schrieb: >> Zumindest gibt es die Steilheit S = dIc/dUbe = Ic/Ut [mA/V]. Die >> Steilheit S ist vielen unbekannt, obwohl sie ungefähr genauso wichtig >> ist wie die Stromverstärkung B bzw. ß. > Leider taucht sie eben nicht im Datenblatt auf. Sie taucht zum > Selberrechnen bestenfalls als Diagramm Ic = f(Ube) auf und muss dann mit > dem passend kleinen dUbe selbst berechnet werden. > Sie kann auch nicht im Datenblatt auftauchen, da die Steilheit (gm) eine simple Funktion des zu wählenden Kollektorstromes Ic ist: gm=Ic/Ut (Temperaturspannung Ut). Sie ist doch weiter nichts als die Steigung der Spannungs-Steuerkennlinie Ic=f(Ube). (Also nicht über ein "kleines dUbe" zu berechnen.) Was soll da also spezifiziert werden?
:
Bearbeitet durch User
Lutz V. schrieb: > sondern von der größeren Spannung Uce beschleunigt und zum > Kollektor angezogen werden (Strom Ic). Das die Uce grösser als Ube ist ist keine Voraussetzung. Der Transistor funktioniert auch, wenn Uce kleiner als Ube ist.
Harald W. schrieb: > Lutz V. schrieb: > >> sondern von der größeren Spannung Uce beschleunigt und zum >> Kollektor angezogen werden (Strom Ic). > > Das die Uce grösser als Ube ist ist keine Voraussetzung. > Der Transistor funktioniert auch, wenn Uce kleiner als Ube ist. Ja, natürlich - als Schalter im Sättigungsbetrieb (praktisch zwei Dioden in Reihe im Durchlassbetrieb).
:
Bearbeitet durch User
Lothar M. schrieb: > Allerdings bedeutet "unabhängig vom Transistor" eben nicht, dass ich in > irgendeine Schaltung anstelle eines BC547C einfach so z.B. einen 2N3055 > einsetzen kann und dann automatisch die selbe Verstärkung habe. Eben doch. Rein formal ergibt sich die Steilheit S (gm) gemäß S = Ic/Ut mit Ut = 'Temperaturspannung) ~26 mV bei 25°C. Und das gilt in identischer Schaltung für einen BC547 ebenso wie für den 2N3055! Gibt ja zum Glück noch paar Parameter - sonst gäbe es nur einen Transistor. Interessanterweise ist die Steilheit vielen unbekannt, während die Stromverstärkung jeder kennt. Allerdings habe ich noch nicht herausgefunden wie sich die Steilheit bei anderen Halbleitern wie Germanium oder Galliumarsenid verhält. Vielleicht weiß das jemand aus der Runde? > Muss ja so sein, wenn man den gleichen Arbeitspunkt mit gleichem > dIc/dUbe einstellt. Gleicher Ic = gleiche Steilheit. Ist z.B. bei der Cascode-Schaltung wichtig: gleiches S für beide Transistoren.
:
Bearbeitet durch User
Lutz V. schrieb: > Ja, natürlich - als Schalter im Sättigungsbetrieb (praktisch zwei Dioden > in Reihe im Durchlassbetrieb). Wo sind da 2 Dioden im Durchlassbetrieb in Reihe? Da sind eher die 2 Dioden B-E und B-C im Durchlassbetrieb (fast) parallel.
Mohandes H. schrieb: > Eben doch. Rein formal ergibt sich die Steilheit S (gm) gemäß S = Ic/Ut > mit Ut = 'Temperaturspannung) ~26 mV bei 25°C. Und das gilt in identischer > Schaltung für einen BC547 ebenso wie für den 2N3055! "In identischer Schaltung" sollte heißen "bei gleich großem Kollektorstrom Ic". > Gleicher Ic = gleiche Steilheit. In der Praxis haben aber diese beiden Transistoren mit der identischen Aussenbeschaltung eben nicht genau den selben Kollektorstrom, weil bereits die Ic = f(Ube) unterschiedlich verlaufen und zudem die Stromverstärkung B unterschiedlich ist. Es wird sich also bei der identischen Aussenbeschaltung bei beiden ein unterschiedlicher AP (Ic) einstellen. Und damit dann auch eine unterschiedliche Steilheit. > Interessanterweise ist die Steilheit vielen unbekannt, während die > Stromverstärkung jeder kennt. Ja, weil die allerwenigsten einen Transistorverstärker konstruieren und sich um einen Arbeitspunkt im Kleinsignalbereich scheren müssen. Den allermeisten reicht es, einen Transistor als Schalter richtig einzusetzen. Und nicht wenige haben damit schon ihre liebe Not.
:
Bearbeitet durch Moderator
Mit Gruss Vielleicht ist die Modell- vorstellung eines JFETs besser geeignet, um Vorgänge an N-P (P-N) Übergängen grundlegend zu vermitteln. Diese Dioden Darstellung als Ersatzschaltbild für einen BJT kenne ich auch, seit einem Herrn Richter mit Kosmos Baukästen. Dirk St
Dirk St schrieb: > Mit Gruss > > Vielleicht ist die Modell- > vorstellung eines JFETs besser geeignet, um Vorgänge an N-P (P-N) > Übergängen grundlegend zu vermitteln. > Diese Dioden Darstellung als Ersatzschaltbild für einen BJT > kenne ich auch, seit einem Herrn Richter mit Kosmos Baukästen. > > Dirk St Nein - ich denke nicht. Nicht umsonst werden die FETs als unipolare Transistoren bezeichnet, denn sie arbeiten ja nach einem ganz anderen Prinzip - ohne die für die bipolaren Transistoren typischen Vorgänge am pn-Übergang.
Lothar M. schrieb: >> Interessanterweise ist die Steilheit vielen unbekannt, während die >> Stromverstärkung jeder kennt. > > Ja, weil die allerwenigsten einen Transistorverstärker konstruieren und > sich um einen Arbeitspunkt im Kleinsignalbereich scheren müssen. > Den allermeisten reicht es, einen Transistor als Schalter richtig > einzusetzen. Und nicht wenige haben damit schon ihre liebe Not. Ist eben (nicht mehr so populäre) Analogtechnik, andererseits jedoch auch Grundlagen. Die Steilheit ist auch für den Eingangswiderstand rBE einer Stufe von Bedeutung: rBE = ß/S. Dirk St schrieb: > ... seit einem Herrn Richter mit Kosmos Baukästen. Ja, die Bücher von Heinz Richter mochte ich gerne. Auch wenn viele seiner Schaltungen wahre 'Kunstschaltungen' waren, die oft nur mit Mühe zum Funktionieren überredet werden konnten. Ich denke da z.B. an meinen ersten Superhet. Und der Kosmos Radiomann war mein Einstieg in die Elektronik.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschalten
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.