Kann mir wer sagen wo genau die Vorteile von GaN zu anderen Mosfets sind? Die meisten GaN mosfets können nur 650V und sind in usd/rdson den Si unterlegen. SiC kann wenigstens oft 1200v bei einem angemessen tiefen usd/rdson. Auch die gate charge ist unwesentlich besser als bei SiC. Anscheinend haben wir aber überall den GaN hype.
GAN schrieb: > Anscheinend haben wir aber überall den GaN hype. Nö, harte Jungs nehmen Leistungschütze bewährter Bauart.
Hört auf dumm zu Schwätzen: Ihr beiden Genies kennt bestimmt nicht mal den Unterschied zwischen GaN und Kochsalz.
Gudden schrieb: > Hört auf dumm zu Schwätzen: Ihr beiden Genies kennt bestimmt nicht mal > den Unterschied zwischen GaN und Kochsalz. Das ist doch easy, Kochsalz erkennt man am Kochsalzgeschmack und GaN am GaN-Geschmack.
Max M. schrieb: > https://www.all-electronics.de/e-mobility/so-unterscheiden-sich-gan-und-sic-transistoren-121.html Naja, teilweise viel Marketinggeschwurbel und Rumgeeier. Egal. Wenn gleich SiC und GaN ihre Vorteile bezüglich Spanunngsfestigkeit, Betriebstempertur und niedrigeren R_D_ON haben, so sollte man vor allem eins bei der Anwendng NIE vergessen. Die Dinger sind RATTENSCHNELL! Das klingt erstmal toll, weil man ja mit schnellem Schalten weniger Schaltverluste erreichen kann. Ja, aber nur dann, wenn einem dabei nicht die EMV um die Ohren fliegt! Viel Spaß beim Bändigen dieser Biester! Werft schon mal ne handvoll Ferritkerne in die Opferschale des EMV-Gotts ;-)
Falk B. schrieb: > Marketinggeschwurbel und Rumgeeier Gibts denn noch was ohne das? ;-) GaN hat außerdem eine hohe max J-Temperature. Auch mit schlechter Kühlung hat man ein hohes delta zur Umgebung und wird den Rotz schon irgendwie los. Falk B. schrieb: > RATTENSCHNELL! > wenn einem dabei nicht > die EMV um die Ohren fliegt! Das ist oft leichter in den Griff zu bekommen als riesige Gate Kapazitäten bei fetten / parallelen Fets. Und parasitäre Eigenschaften werde nicht besser wenn mein Aufbau durch schlechtere Halbleiter voluminöser wird. Aber GaN ist natürlich AUCH ein Hype. Außerdem sind die teuer. Neu und teuer ist natürlich für einige DAS Kaufkriterium. Aber für einiges sind die auch genau richtig. Die SJFets sind auch nicht stehengeblieben in der Entwicklung. Ich hatte grad aktuelle CoolMos am Wickel, die ich recht beeindruckend fand im Vergleich zu 10J alten CoolMos.
Max M. schrieb: > Neu und teuer ist natürlich für einige DAS Kaufkriterium. > Aber für einiges sind die auch genau richtig. Ladegeräte von Mobilgerät beispielsweise. Abgesehen vom Wirkungsgrad, den man nicht so merkt wenn man auswärts läd, sind die kleiner und leichter.
(prx) A. K. schrieb: > Ladegeräte von Mobilgerät beispielsweise. Abgesehen vom Wirkungsgrad, > den man nicht so merkt wenn man auswärts läd, sind die kleiner und > leichter. Spielt das beim USB-Ladegerät eine Rolle? Da muss man heute ja schon ne Warnung draufschreiben "Achtung, Kleinteile verschluckbar" ;-)
Falk B. schrieb: > Spielt das beim USB-Ladegerät eine Rolle? Auch Laptops zählen zu Mobilgerät. Schau dir klassische Laptop-Netzteile mit z.B. 65W an, und dann die neuen GaN-Teile. Ziemlich markant.
(prx) A. K. schrieb: > Auch Laptops zählen zu Mobilgerät. Schau dir klassische Laptop-Netzteile > mit z.B. 65W an, und dann die neuen GaN-Teile. Ziemlich markant. Keine Ahnung, hab noch keins in der Hand gehabt. Links?
Falk B. schrieb: > (prx) A. K. schrieb: >> Auch Laptops zählen zu Mobilgerät. Schau dir klassische Laptop-Netzteile >> mit z.B. 65W an, und dann die neuen GaN-Teile. Ziemlich markant. > > Keine Ahnung, hab noch keins in der Hand gehabt. Links? https://www.amazon.com/PWR-Adapter-Samsung-Chromebook-Charger/dp/B00DUMFZ6O
Angehängte Dateien:
-
PXL_20221222_192505884.jpg
240 KB -
PXL_20221222_193040212.jpg
240 KB
Falk B. schrieb: > Keine Ahnung, hab noch keins in der Hand gehabt. Beide 65W. Wiegt auch nur etwa 2/3 ohne Kabel.
:
Bearbeitet durch User
H. H. schrieb: > https://www.amazon.com/PWR-Adapter-Samsung-Chromebook-Charger/dp/B00DUMFZ6O Naja, ist schon ziemlich klein. Nicht schlecht!
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >> https://www.amazon.com/PWR-Adapter-Samsung-Chromebook-Charger/dp/B00DUMFZ6O > > Naja, ist schon ziemlich klein. Klein ist der schon, aber einzig_und_allein_das_BILD suggeriert, er sei (bei gleichen Leistungsdaten - das nämlich ist, was der dumme Käufer annehmen soll...) KLEINER ALS ... auf einem der Bilder steht dann auch: "50% smaller than 90W apple charger" Die Beschreibung aber zeigt ein anderes "Bild", Zitat: "Ausgang 12 V 2,2–3,33 A 26–40 W " Also daß so ein 40W Lader 50% kleiner ist als ein 90W Lader klingt nicht sehr beeindruckend (...wäre auch bei einundderselben Leistungshalbleiter-Technologie ca. so). > Nicht schlecht! "Kleiner ist IMMER besser...", oder? ;-)
:
Bearbeitet durch User
Alfred B. schrieb: > (...wäre auch bei > einundderselben Leistungshalbleiter-Technologie ca. so). Sicher nicht.
Ok, es gibt genug (An-)Teile so eines NT die sich nicht linear mit der Ausgangsleistung verkleinern (wegen der Netzspannung allg., verwendeten (identischen) Steckern, gleichen Iso-Abständen, etc.). So daß meine absolute Aussage falsch war (hätte sie sogar noch korrigiert, wenn ich Zeit gehabt hätte). Aber was soll dieser Vergleich mit dem "90W Charger"? Den finde ich trotz alledem total unangebracht.
Alfred B. schrieb: > Aber was soll dieser Vergleich mit dem "90W Charger"? > Den finde ich trotz alledem total unangebracht. Ein jeder Krämer lobt seine Ware.
H. H. schrieb: > Alfred B. schrieb: >> Aber was soll dieser Vergleich mit dem "90W Charger"? >> Den finde ich trotz alledem total unangebracht. > > Ein jeder Krämer lobt seine Ware. Ok. Hatte mich davon auf's Glatteis führen lassen. GAN schrieb: > Kann mir wer sagen wo genau die Vorteile von GaN zu anderen Mosfets > sind? Die meisten GaN mosfets können nur 650V und sind in usd/rdson den > Si unterlegen. Falsch. Bis auf "gibt's nicht für > 650V Sperrspannung" - aber da nimmt man halt IGBTs oder SiC, und oberhalb 400VDC (wo Sperrspannung um 600-650V gebräuchlich) nahm man doch schon immer selten Si-Mosfets: Deren FOM (siehe unten) wird mit steigender Sperrspannung immer schlechter. Und was ist denn bitte "usd/rdson"? https://www.google.com/search?client=opera&q=figure+of+merit+GaN+Si+SiC+FET&sourceid=opera&ie=UTF-8&oe=UTF-8 Die FOM von GaN FETs ist super, also auch niedriger R_ON. Falk B. schrieb: > Die Dinger sind RATTENSCHNELL! Das > klingt erstmal toll, weil man ja mit schnellem Schalten weniger > Schaltverluste erreichen kann. Ja, aber nur dann, wenn einem dabei nicht > die EMV um die Ohren fliegt! Viel Spaß beim Bändigen dieser Biester! Stimmt, wenn man sie auch entspr. flott schaltet. Aber: Schaltet man sie z.B. nur so schnell wie Si-Fets bzw. Si-SJ-Fets, entstehen um einiges niedrigere Störpegel. Wegen ihrer viel niedrigeren parasitären Kapazitäten. (Nur damit der TO das nicht als Stütze für seine relativ verdreht erscheinenden Anti-GaN - Ansichten hernimmt.)
:
Bearbeitet durch User
> Und was ist denn bitte "usd/rdson"? Echt? Tu teuer für die Performance. >> Die Dinger sind RATTENSCHNELL! Auch nur geringfügig schneller als SiC oder gar Si. Siehe Gate charge welches bei allen 3 tech bei normaler treiberung limitierend sein wird: Also gate charge/rdson (bei 650V typen) wird nicht besser. Einzig 1200V SiC haben hier wesentliche Vorteile. > verdreht erscheinenden Anti-GaN - Ansichten hernimmt.) Ich bin nicht anti GaN, nur sind sur zu teuer für die performance. Gegen die tech habe ich nix. Nun bei SiC sehe ich die Vorteile bei 1200V typen... GaN ist ja norm "nur" 650V - Si und SiC sind da nicht soo schlecht
Angehängte Dateien:
-
USB_PD_100W_1.jpg
53 KB -
USB_PD_100W.jpg
95 KB
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >> https://www.amazon.com/PWR-Adapter-Samsung-Chromebook-Charger/dp/B00DUMFZ6O > > Naja, ist schon ziemlich klein. Nicht schlecht! Das ist doch ein alter Hut. 100W ist heute nicht viel größer.
GAN schrieb: > zu teuer für die performance "Preisgünstig" sind sie nicht. Aber GUT schon. Sind (noch?) eine Art Nischenprodukt, Anwendung wo die Baugröße und/oder Effizienz stark im Vordergrund - also eben z.B. solche Charger - hierfür sind sie allerdings dann "relativ preiswert", weil auch alternativlos. GaN fügte sich aber oft schon in für SJ entwickelte Grundkonzepte ein*, bei gleicher Schaltfrequenz sowie -geschwindigkeit. Erlaubte diversen "Feinschliff" oder teils (je nach elektr. wie mechan. Gegebenheiten) auch wesentliche Miniaturisierungs-Sprünge ohne deutliche (bzw. grundlegende) Änderungen, einfach weil eta wegen geringerem R_ON und paras. Kapazitäten steigt. [*längst nicht allen & nicht völlig ohne Anpassungen] Voll ausreizen ist natürlich was anderes --> Neudesign. Muß man auch erst mal können, da hat Falk ganz recht. Ob und wenn dann wann die Verkaufszahlen vielleicht mal so weit stiegen, daß auch Otto N. mal in betracht zöge, für sein Selbstbau-SNT GaN zu nutzen, bleibt fraglich. Ich A. schrieb: > Falk B. schrieb: >> H. H. schrieb: >>> https://www.amazon.com/PWR-Adapter-Samsung-Chromebook-Charger/dp/B00DUMFZ6O >> >> Naja, ist schon ziemlich klein. Nicht schlecht! > > Das ist doch ein alter Hut. > > 100W ist heute nicht viel größer. > > USB_PD_100W_1.jpg > USB_PD_100W.jpg Ist schon beeindruckend. Am besten sieht man den Unterschied wohl beim Vergleich des obigen (7,6 x 7,6 x 3,6 cm) mit dem teils "Nexode" genannten 4-Port-100W'er (als "Wandwarze") des gleichen Herstellers - hat 6,9 x 6,9 x 3,3 cm Gehäusemaße (ohne den Stecker natürlich), siehe z.B. hier: https://www.amazon.de/dp/B091TV6LWN?
:
Bearbeitet durch User
Vergleichen wir mal 2 Typen: FET: GS66516T vs C3M0025065D; Sperrspannung: Beide 650 V; Rdson: Beide 25 mohm; Gatecharge: 14,2 nF (bei 6 V) vs. 108 nF (- 4 V bis 15 V); Internal Gate Resistance: 0,3 ohm vs. 1,3 ohm; Effective Output Capacitance (Energy Related): 207 pF vs. 236 pF (beides bei 0 V bis 400 V); Gehäuseform: HF-optimiert vs. TO-247-3-Gehäuse; Thermal Resistance (junction-to-case): 0,27 °C/W (max. 150 °C) vs. 0,46 °C/W (max. 175 °C); Rise Time: 12,4 ns vs 60 ns (natürlich nur bedingt vergleichbar aber der Trend deckt sich mit meinen Erfahrungen); Ich finde die Unterschiede schon sehr groß. PS. Wenn mir jemand erklärt, warm die Absätze zwischen den einzelnen Zeilen nicht im Text übernommen werden kann ich das ggf. noch ändern.
A. R. schrieb: > PS. Wenn mir jemand erklärt, warm die Absätze zwischen den einzelnen > Zeilen nicht im Text übernommen werden kann ich das ggf. noch ändern. Desktop- vs Mobile-View im Browser wird sehr verschieden gerendert.
A. R. schrieb: > PS. Wenn mir jemand erklärt, warm die Absätze zwischen den einzelnen > Zeilen nicht im Text übernommen werden kann ich das ggf. noch ändern. Dafür hätte es dann das pre Tag gegeben ;)
1 | Damit kann man dann schön spielen |
2 | und Quatsch |
3 | machen |
A. R. schrieb: > Vergleichen wir mal 2 Typen: > FET: GS66516T vs C3M0025065D; > Sperrspannung: Beide 650 V; > Rdson: Beide 25 mohm; > Gatecharge: 14,2 nF (bei 6 V) vs. 108 nF (- 4 V bis 15 V); > Internal Gate Resistance: 0,3 ohm vs. 1,3 ohm; > Effective Output Capacitance (Energy Related): 207 pF vs. 236 pF (beides > bei 0 V bis 400 V); > Gehäuseform: HF-optimiert vs. TO-247-3-Gehäuse; > Thermal Resistance (junction-to-case): 0,27 °C/W (max. 150 °C) vs. 0,46 > °C/W (max. 175 °C); > Rise Time: 12,4 ns vs 60 ns (natürlich nur bedingt vergleichbar aber der > Trend deckt sich mit meinen Erfahrungen); Da hast Du im Prinzip recht. GaN ist von den puren Daten deutlich besser. Was fairerweise gesagt werden sollte ist, dass die SiC FETs auch im D2PAK-7L und vermutlich zukünftig im TOLL Gehäuse verfügbar sind, das ist dan bzgl. HF optimiert besser. Ein Vorteil von SiC ist (noch), dass Second-Source kein Problem ist, bei GaN hat es (leider) noch nicht soviel Auswahl. Ein Riesenproblem von GaN Hemts (lateral) ist aktuell noch, dass diese nicht avalanchefest sind. Eine Sache die auch problematisch ist, die geringe Störsicherheit der GS Spannung. Nicht falsch verstehen, ich denke das GaN die beste Technologie ist, aber es gibt noch einiges zu tun, damit dies sich im Marktanteil niederschlägt.
GaN schaltet schnell, d.h die Schaltverluste reduzieren sich. Das ist der Vorteil: kleinere Komponenten, weniger Kühlung. Allerdings müssen Powerelektroniker umdenken. Hier spielen HF-Felder eine größere Rolle. Das Gehäuse ist immanent wichtig. Ein TO247-Gehäuse ist Müll. EPC/TI haben ganz gute Vorlagen gemacht, wie ein gutes Gehäuse und ein gutes Layout aussehen müssen. Eine Doktorin hat neulich ihre Messungen (Doppelpuls) einer doppelseitigen Leiterplatte präsentiert. Das tat richtig weh. GaN ist für niedrige Spannungen, Multilevel-Umrichter kleiner Leistung (< 10kW/150kHz) ganz passabel und eine Überlegung wert. Da aber derzeit ein Trend eher Richtung 1,7..2kV geht (Solar, Ladestationen...) ist in dem Bereich Si/SiC im Niederfrequenten Bereich (10..50kHz) eher sinnvoll (Stand heute). Aber ist nur meine Meinung.
DoS schrieb: > Allerdings müssen Powerelektroniker umdenken. Naja, nicht wirklich. Sie müssen aber weiter denken und handeln. Das HF-Design wird um mindestens eine Größenordnung anspruchsvoller. > Hier spielen HF-Felder > eine größere Rolle. Das Gehäuse ist immanent wichtig. Ein TO247-Gehäuse > ist Müll. TO220 auch. Da muss man die Treiber und Ansteuerung künstlich ausbremsen, damit das nicht klingelt wie die Hölle. > GaN ist für niedrige Spannungen, Multilevel-Umrichter kleiner Leistung > (< 10kW/150kHz) ganz passabel und eine Überlegung wert. Also auch Industrie- und IT-Kram bis runter zum USB-Netzteil.
Falk B. schrieb: > Naja, nicht wirklich. Sie müssen aber weiter denken und handeln. Das > HF-Design wird um mindestens eine Größenordnung anspruchsvoller. Das habe ich versucht auszudrücken. > TO220 auch. Da muss man die Treiber und Ansteuerung künstlich > ausbremsen, damit das nicht klingelt wie die Hölle. Dann ist der Vorteil von GaN vertan (Schaltverluste). GaN müssen schnell schalten und mit einem guten Design klingelt dann auch nichts.
Beitrag #7296620 wurde von einem Moderator gelöscht.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.