Moin Leute, ich habe eine Frage zu NPN Bipolartransistoren. Wenn man damit eine PWM realisiert .. ist es notwendig die Basis wie das Gate eines Mosfets mit beuspielsweise 10k auf Masse zu ziehen oder braucht es das nicht. In der Testschaltung funktioniert es auch ohne ... nur bin ich mir unsicher. Erstmal würde ich sagen macht es Sinn, damit die Transe auch ausgeschaltet bleibt, wenn kein PWM Signal anliegt .. was sagt ihr? bG Herribert
Herribert schrieb: > ist es notwendig die Basis wie das Gate eines Mosfets mit > beuspielsweise 10k auf Masse zu ziehen oder braucht es das nicht. Um einen Bipolartransistor schnell abzuschalten, muss auch bei ihm die Basis "ausgeräumt" werden. Deshalb kann man nur bei niedriger Frequenz darauf verzichten.
Herribert schrieb: > was sagt ihr? Wir denken an Icb0 insbesondere bei hoher Temperatur. Und ja, nach Masse macht sinn .-)
Herribert schrieb: > ..damit die Transe auch.. > .. was sagt ihr? Das Transe keine Abkürzung für Transistor ist. Weshalb schnallst Du das nicht?
Wenn Du sicherstellen kannst, das die Basis immer auf einem definierten Pegel liegt, dann geht es auch ohne Widerstand. Ich würde aber in jedem Fall einen einbauen solange die Stückzahl nicht zu hoch ist, das die paar Widerstände preislich etwas ausmachen. In den Digitaltransistoren mit integrierten Widerständen wie z.B. DTC114EE ist auch immer ein Widerstand (üblich 10k) zwischen Basis und Emitter.
Beitrag #7321156 wurde von einem Moderator gelöscht.
LDR schrieb: > Um einen Bipolartransistor schnell abzuschalten, muss auch bei ihm die > Basis "ausgeräumt" werden. Deshalb kann man nur bei niedriger Frequenz > darauf verzichten. Bei einem Push-Pull-Ausgang sowieso! Und zum Ausräumen nimmt man normalerweise eine Schottky vom Kollektor zur Basis. Gruss Chregu
Christian M. schrieb: > Und zum Ausräumen nimmt man > normalerweise eine Schottky vom Kollektor zur Basis. Die verhindert, dass der Transistor in Sättigung gerät.
Christian M. schrieb: > Und zum Ausräumen nimmt man > normalerweise eine Schottky vom Kollektor zur Basis. Nein! Die wird nicht zum Ausräumen eingesetzt sondern verhindert, dass der Transistor in Sättigung geht. Damit reduziert sich deutlich die Verzögerung beim Abschalten. Zum schnelle Ausräumen kann ein Kondensator über dem Basisvorwiderstand hilfreich sein.
Herribert schrieb: > macht es Sinn, damit die Transe auch > ausgeschaltet bleibt Nein, der bleibt auch ohne den Widerstand zu GND ausgeschaltet, denn es ist kein FET. Allerdings sollte dann, wenn eine höhrere PWM-Frequenz angestrebt wird, die Basis "ausgeräumt" werden, damit der Transistor schnell genug sperrt. Dies kann man im einfachsten Fall mittels eines Widerstandes zu GND von vielleicht nur 30...220 Ohm realisieren, wenn genügend Ansteuerleistung zur Verfügung steht. Die andere Variante mit dem Kondensator ist eher die bessere. mfg
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> Christian M. schrieb: > Zum schnelle Ausräumen kann ein Kondensator über dem Basisvorwiderstand wow! ich habs grad getestet mit nem 2.2µF Elko. Perfekte Lösung! danke dafür! bG H.
Herribert schrieb: > was sagt ihr? Ein Bipolarzransistor, der an einem noch als Eingang konfigurierten Pin eines uC hängt, bekommt sicher Basisstrom unter 1uA und leitet daher garantiert nicht mal 1mA durch. Das sollte in 99.9% der Fälle nicht stören. Ist der Pin erst mal als Ausgang konfiguriert und erzeugt gar eine PWM, wird er ja immer niederohmig mit BCC bzw. GND verbunden. Daher ist das: LDR schrieb: > Um einen Bipolartransistor schnell abzuschalten, muss auch bei ihm die > Basis "ausgeräumt" werden. Deshalb kann man nur bei niedriger Frequenz > darauf verzichten völliger Quatsch, es geht bei dem Widerstand nicht ums Abschalten, das macht der auf low geschaltete Pin besser. Christian M. schrieb: > Und zum Ausräumen nimmt man normalerweise eine Schottky vom Kollektor > zur Basis. Na ja, das soll die Sättigung begrenzen, und die Diode geht von der Basis zum Kollektor und verhindert, dass der bis unter 0.25V durchsättigt. https://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-TTL
Herribert schrieb: > ich habs grad getestet mit nem 2.2µF Elko. Perfekte Lösung! 2.2µF ist schon deutlich zu viel. Unterer nF-Bereich sollte reichen. Ausprobieren: so niedrig wie möglich für den Effekt. Den Elko muss ja auch die Ansteuerschaltung leeren und füllen, das könnte ein ganz netter Stress für deren Ausgang sein.
Härribert schrieb: > Herribert schrieb: >> ..damit die Transe auch.. >> .. was sagt ihr? > > Das Transe keine Abkürzung für Transistor ist. FeldeffektTranse schrieb im Beitrag #7321156: > *Dass > > Was soll's denn sonst sein? https://www.duden.de/rechtschreibung/Transe engl.: "Bipolar Junction Transistor = BJT" / dt.: "T, der".
Michael B. schrieb: > LDR schrieb: >> Um einen Bipolartransistor schnell abzuschalten, muss auch bei ihm die >> Basis "ausgeräumt" werden. Deshalb kann man nur bei niedriger Frequenz >> darauf verzichten > > völliger Quatsch, Richtig lesen! > es geht bei dem Widerstand nicht ums Abschalten, das > macht der auf low geschaltete Pin besser. Es geht ums Ausräumen.
LDR schrieb: > Es geht ums Ausräumen. Ausräumen ist abschalten. Es geht um offen in der Luft hângende Gate-Anschlüsse. Bei bipolar unnötig und dein ausräumen macht low vom Ausgangspin besser als 10k nach GND.
Michael B. schrieb: > LDR schrieb: >> Es geht ums Ausräumen. > > Ausräumen ist abschalten. > > Es geht um offen in der Luft hângende Gate-Anschlüsse. > > Bei bipolar unnötig und dein ausräumen macht low vom Ausgangspin besser > als 10k nach GND. Ich hab mich nicht auf irgendeine Methode des Ausräumens beschränkt.
LDR schrieb: > Ich hab mich nicht auf irgendeine Methode des Ausräumens beschränkt. Du hast einfach Unsinn erzählt, weil dir die Funktion des 10k pull down am MOSFET nicht klar war, und bist zu eitel es zuzugeben, dafür erfindest du lieber ein halbes Dutzend Ausreden.
Michael B. schrieb: > LDR schrieb: >> Ich hab mich nicht auf irgendeine Methode des Ausräumens beschränkt. > > Du hast einfach Unsinn erzählt, weil dir die Funktion des 10k pull down > am MOSFET nicht klar war, und bist zu eitel es zuzugeben, dafür > erfindest du lieber ein halbes Dutzend Ausreden. Du verhältst dich gerade wie ein Idiot.
LDR schrieb: > Du verhältst dich gerade wie ein Idiot. Gähn. Aus der Grundschule bist du noch nicht raus
Michael B. schrieb: > LDR schrieb: >> Du verhältst dich gerade wie ein Idiot. > > Gähn. Aus der Grundschule bist du noch nicht raus Du hättest nicht bestätigen müssen.
@ Michael B. und @ LDR: Eigentlich könnte ihr eure Kindergartendiskussion lassen. Beide haben nämlich teilweise recht bzw. nicht recht!: Ein Spannungsteiler von der Quelle zur Basis reduziert zwar die Spannung (fürs Einschalten, macht aber nichts) aber auch den Quellwiderstand, insbesondere wirksam beim Übergang nach LOW. Es fließt nämlich kurzzeitig auch ein Strom aus der Basis in Richtung Quelle, wenn die gerade auf LOW geht. Mit dem BE-Widerstand wird die Quellimpedanz kleiner und der Transistor deshalb etwas schneller gesperrt! Der Effekt ist zwar wesentlich geringer als mit einem C über dem Basisvorwiderstand, aber vorhanden. Simuliert mal so eine Schaltung und schaut euch mit oder ohne PullDown an der Basis den Rückstrom aus der Basis an und Verzögerungszeiten. Der Einfachheit halber habe ich euch eine Vorlage angehängt!
Einfach nicht automatisch von einem Push-Pull Signal ausgehen, es gibt ja genug andere.
LDR schrieb: > Einfach nicht automatisch von einem Push-Pull Signal ausgehen, es gibt > ja genug andere. Hier ging es um NPN und PWM. Das legt sowohl PushPull nahe als auch die Tatsache, dass es selten eine PWM-Quelle gibt, die einen PNP-OC-Ausgang hat.
HildeK schrieb: > Tatsache, dass es selten eine PWM-Quelle gibt, die einen PNP-OC-Ausgang > hat. Du kennst dich in Automatisierungstechnik wohl nicht aus.
Härribert schrieb: > Herribert schrieb: >> ..damit die Transe auch.. >> .. was sagt ihr? > > Das Transe keine Abkürzung für Transistor ist. Er ist halt in Eile.
Herribert schrieb: > ist es notwendig die Basis wie das Gate eines Mosfets mit > beuspielsweise 10k auf Masse zu ziehen oder braucht es das nicht. Es ist sinnvoll das so zu machen. In der Regel wird sich im Basispfad ein Vorwiderstand befinden, der Teilweise mit einem Kondensator überbrückt wird um die Schaltgeschwindigkeit zu erhöhen. Im Auszustand liefern einige der Treiber noch wenige hundert Millivolt durch kleine Restströme. Der soll dadurch mit abgeleitet werden. Zugleich ist das beim Wechsel vom Einzustand auch der Rückflusspfad für den Umladestrom über den Kondensator. Die Basis-Emitter-Strecke bricht bei über 6V durch und der Widerstand erhöht etwas den Sicherheitsabstand. Wenn das nicht reicht, wäre eine Bypassdiode erforderlich. Es gibt noch einen kleinen positiven Effekt während des Millerplateaus. Es kommt dabei zu einem kurzen Stocken des Stromflusses aus der Basis. Das verhält sich wie ein Kondensator bei dem der ESR während des Entladens mal ruckelt. Die negative Rückwirkung der parasitäre Induktivität des gesamten Basispfades wird durch den Widerstand etwas gemildert. Dieser sollte daher eine niedrige Eigeninduktivität besitzen. In der Regel sollte der Widerstand im Bereich um die 10% des Basisstromes bei Vollaussteuerung liegen.
HildeK schrieb: > Nein! > Die wird nicht zum Ausräumen eingesetzt sondern verhindert, dass der > Transistor in Sättigung geht. Ups, ja stimmt! Sorry! Gruss Chregu
Herribert schrieb: > damit die Transe auch ausgeschaltet bleibt Dann ist die Transe ziemlich tod. Dem Transistor macht das weniger aus. Er hat damit ohne Signal einen definierten Pegel. Und damit sperrt er 'sicher'.
LDR schrieb: > Michael B. schrieb: >> LDR schrieb: >>> Um einen Bipolartransistor schnell abzuschalten, muss auch bei ihm die >>> Basis "ausgeräumt" werden. Deshalb kann man nur bei niedriger Frequenz >>> darauf verzichten >> >> völliger Quatsch, > > Richtig lesen! > >> es geht bei dem Widerstand nicht ums Abschalten, das >> macht der auf low geschaltete Pin besser. > > Es geht ums Ausräumen. Du hast das Problem nicht verstanden. Weder bei einem MOSFET noch bei einem BJT hat der Widerstand etwas mit der PWM-Steuerung zu tun, und damit auch nicht mit der Frequenz.
Herribert schrieb: > damit die Transe auch ausgeschaltet bleibt, Verwechselst du da eventuell irgendetwas? https://de.wikipedia.org/wiki/Transe
Forist schrieb: > Verwechselst du da eventuell irgendetwas? Lötzinn, äh Blödsinn, im Zusammenhang mit dem Titel ist es doch klar, genau wie hier eigentlich jeder Kondi versteht. Es gibt aber immer Zeitgenossen die provozieren wollen. Sprache ändert sich zwar aber jeden Blödsinn muss man ja nicht mitmachen. Transe oder Trasi = Transistor Kondi oder Cap = Kondensator Abkürzungen sind sinnvoll um die kostbare Restlebenszeit zu nutzen oder um einfach mehr Zeit für sinnvolles zu haben als für solche Diskusionen. Schlimm genug das man nicht mehr Negeküsse oder Mohrenköpfe kaufen kann und das blauäugigen blonden Menschen Rasterlocken verboten werden.
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Herribert schrieb: > damit die Transe auch > ausgeschaltet bleibt, wenn kein PWM Signal anliegt .. was sagt ihr? Insbesonders wenn der uC im Reset-Zustand ist und der interne Pull-Up währendessen aktiv ist. Ich nehme an daß Du während des Resets oder der Programmierung des Chips auch nicht haben willst daß der Ausgang eingeschaltet ist. 10K können bei einem Bipolartransistor noch zu hoch sein. Gruß Anja
Joachim B. schrieb: > Abkürzungen sind sinnvoll um die kostbare Restlebenszeit zu nutzen Man kann's auch übertreiben. Diese Abkürzungen kommen mir nicht in den Mund oder die Tastatur. Lieber kürze ich mit 'T.' ab, als diesen vermeintlich 'coolen' Jugendjargon zu verwenden. Das ist nicht cool, es ist dumm. > oder um einfach mehr Zeit für sinnvolles zu haben als für solche > Diskusionen. Ja, die Diskussionen darüber sind verschwendete Zeit. Anja schrieb: > Ich nehme an daß Du während des Resets oder der Programmierung des Chips > auch nicht haben willst daß der Ausgang eingeschaltet ist. Wenn die Basis an einem Port hängt, der beim Programmieren wackelt, dann nützt der Widerstand auch nichts. Ich habe es weiter oben erläutert und in einer Simulation gezeigt, dass er auch beim bipolaren Transistor ein (geringe) vorteilhafte Wirkung haben kann bezüglich der Sperrverzögerung. Andere Methoden sind wirkungsvoller.
Joachim B. schrieb: > Abkürzungen sind sinnvoll um die kostbare Restlebenszeit zu nutzen oder > um einfach mehr Zeit für sinnvolles zu haben als für solche Diskusionen. Im Gegenteil: faule Abkürzungen erzwingen solche endlosen Diskussionen und verschwenden daher insgesamt Lebenszeit, nur den Schreiberling sparten sie ein paar Anschläge. Also purer Egoismus.
HildeK schrieb: > Lieber kürze ich mit 'T.' ab, als diesen > vermeintlich 'coolen' Jugendjargon zu verwenden. den Jugendjargon gab es vor 50 Jahren (mag ja sein lokal, Wecken, Rundstücke und Schrippen gibts ja auch nicht überall) und du nennst den immer noch Jugendjargon?
Michael B. schrieb: > Im Gegenteil: faule Abkürzungen erzwingen solche endlosen Diskussionen Humbug - offensichtlich hast Du Dich nicht unter Kontrolle, wenn Du Dich zu sowas gezwungen fühlst ...
Joachim B. schrieb: > den Jugendjargon gab es vor 50 Jahren Diesen oben für den Transistor genannten Jargon ist mir vor 50 Jahren noch nicht begegnet. Zumindest ist er mir erst hier in dem Forum begegnet, also vor knapp 20 Jahren ... Aber wir sind bereits Offtopic.
HildeK schrieb: > vor 50 Jahren wusste ich auch nicht was Wecken oder Rundstücke sind, hatte ich vor 50 Jahren nie gehört HildeK schrieb: > Aber wir sind bereits Offtopic. stimmt, es bleibt dabei eben regional und wir lernen immer dazu also was wundert dich? HildeK schrieb: > Zumindest ist er mir erst hier in dem Forum > begegnet, also vor knapp 20 Jahren
Joachim B. schrieb: > Transe oder Trasi = Transistor TransE ≠ TransI(stor). (Siehe verlinkte Info-Seiten.) Joachim B. schrieb: > im Zusammenhang mit dem Titel ist es doch klar Hier vielleicht - ja, und? Ist und bleibt unsinnig... KANN(!) sich je nach ge- oder besser miß-brauchtem Begriff/Kürzel und Kontext von verwirrend bis konfliktbildend auswirken. (Sogar auch, wenn gar niemand sich spontan dran störte - bzw. ganz besonders dann, wenn es nicht korrekt aufgefaßt und aber kritisiert, sondern schlicht mißverstanden wird.) Und imho reicht/berechtigt das, so was NICHT gutzuheißen. Du kannst selbst ruhig anderer Meinung sein, und selbige auch mitteilen. Aber Versuche, andere davon zu überzeugen, sind imho noch weit sinnfreier als die Verwendung solcher falschen Begriffe an sich. ;-)
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Hi, ich denke hier hat keiner geschrieben, welchen Sinn der Spannungsteiler bei digitaler Anwendung von BJTs hat. BJTs leiten bei 0,6 V, das kann bei einigen Anwendungen im verbotenen Bereich liegen. Um zu verhindern, dass der BJT bei low leitet, wird die Steuerspannung herunter geteilt. Grüße
Nimm einen Germanium Transvestiten. Der kann voll auf 0.2 bis 0.3 Volt down pushen.
Manfred L. schrieb: > ich denke hier hat keiner geschrieben, welchen Sinn der Spannungsteiler > bei digitaler Anwendung von BJTs hat. Ach, wirklich? > BJTs leiten bei 0,6 V, das kann bei einigen Anwendungen im verbotenen > Bereich liegen. Um zu verhindern, dass der BJT bei low leitet, wird die > Steuerspannung herunter geteilt. Unsinn, CMOS und Mikrocontroller kommen weit genug runter, dass ein NPN nicht zu leiten beginnt. Ein Spannungsteiler verhindert eher, dass man genug Basisstrom bekommt oder belastet den Treiber unnötig. Bei FETs setze ich einen Widerstand G-S, bei NPN kommt hier kein Widerstand B-E rein. Einen Widerstand B-E sollte man einsetzen, wenn die Schaltung auf trennbare Module verteilt ist, um eine offene Basis zu vermeiden.
Manfred schrieb: > Bei FETs setze ich einen Widerstand G-S, bei NPN kommt hier kein > Widerstand B-E rein. Kommt auf die Anwendung an. Wenn ein Prozessor hochfährt, können die Pin noch nicht konfiguriert sein. Bei einer LED kann es da kurz blitzen. Bei einem Relais passiert auf Grund der Trägheit nichts.
LDR schrieb: > Du kennst dich in Automatisierungstechnik wohl nicht aus. Mit diesen Ausgängen macht man aber normalerweise keine PWM. ;-) Gruß Marcus
michael_ schrieb: > Kommt auf die Anwendung an. > Wenn ein Prozessor hochfährt, können die Pin noch nicht konfiguriert > sein. IMHO jeder Prozessor setzt seine Pins dabei auf erstmal auf High-Z. Wo soll da der Steuerstrom für einen BJT herkommen? "Nicht konfiguriert" gibt es nicht.
Wolfgang schrieb: > IMHO jeder Prozessor setzt seine Pins dabei auf erstmal auf High-Z. Vor dem "setzt". Und "jeder Prozessor".
Konnte inzwischen die Basis des BJT ausgeräumt und sein Sperrzustand erreicht werden? mfg
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michael_ schrieb: > Vor dem "setzt". > Und "jeder Prozessor". Das passiert HW-mäßig und sofort. Vorher ist keine Spannung da, die zu einem Basisstrom führen könnte.
michael_ schrieb: > Manfred schrieb: >> Bei FETs setze ich einen Widerstand G-S, bei NPN kommt hier kein >> Widerstand B-E rein. > > Wenn ein Prozessor hochfährt, können die Pin noch nicht konfiguriert > sein. > Bei einer LED kann es da kurz blitzen. Bei einem MOSFET. Bei einem NPN nicht, mangels Basisstrom. Darum geht es schon im ganzen thread.
Manfred schrieb: >> BJTs leiten bei 0,6 V, das kann bei einigen Anwendungen im verbotenen >> Bereich liegen. Um zu verhindern, dass der BJT bei low leitet, wird die >> Steuerspannung herunter geteilt. > > Unsinn, CMOS und Mikrocontroller kommen weit genug runter, dass ein NPN > nicht zu leiten beginnt. Ein Spannungsteiler verhindert eher, dass man > genug Basisstrom bekommt oder belastet den Treiber unnötig. Dann betrachte es eben mal von einer anderen Seite. Beispiel Tinyx5, dort steht im Datenblatt als Max-Werte Output Low-voltage IOL = 10 mA, VCC = 5V 0.6V IOL = 5 mA, VCC = 3V 0.5V Das ist worst case schon mal sehr nahe an den Werten die einen Transistor zum Leiten bringen können. Auch wenn man vom Bestwert (0.0V bei LOW) ausgeht, so ist der LOW-Störabstand gerade mal 0.7V, während bei HIGH jede Menge Abstand vorhanden ist. Ein Teiler verbessert den LOW-Abstand. Man kann trotzdem genug Basisstrom erhalten und eine übermäßige Belastung des Ausgangs vermeiden. Daher ist die Aussage von Manfred L. absolut kein Unsinn sondern zeugt davon, dass er weiß was er tut und über seine Schaltungen richtig nachdenkt!
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