Mosfet Spannungen

[Niklas (Gast)]

Sorry für leihenhafte Frage.
Es geht umn einen N Kanal Mosfet.
Nehmen wir als Beispiel diesen: 
https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMV30UN2.pdf

Im Datenblatt staht maximale drain-source Spannung, aber keine minimale.
Genau so gate-source Spanung. Bis zu 12V.

Ich habe im meinem Beispiel drain-source Spannung von 3.3V.
Es fließen ca. 2A, also ist mir wichtig, dass er komplett durchschaltet.

Die gate-source Spannung würde ich mit 5V über pull-up machen.

5V von gate-source sind höher als zu schaltenden 3.3V
Ist das in Ordnung so?

Ich denke ja, aber wollte vorsichtshalber fragen.
Danke

[Harald W. (wilhelms)]

Niklas schrieb:

> Im Datenblatt staht maximale drain-source Spannung, aber keine minimale.

Es gibt keine minimale. Der Fet funktioniert auch bei wenigen
Millivolt zwischen Drain und Source.

> Genau so gate-source Spanung. Bis zu 12V.

Die findest Du im obigen Datenblattauszug.

[Niklas (Gast)]

Und letze Frage:
Wenn sich beim Mosfet der Massepunkt um beispielhafte +5v verschiebt.
Dann wären am Drain 8,3V, Source 5V, Gate 0V (0v, weil der Transistor 
eine andere Bezugsmasse hat).
Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen?
Im Datenblatt steht Gate -12V. Wäre also legitim. Frage trotzdem.
Ich kann gleich einen Schaltplan posten, wenn dieser fertig ist.

[Wolfgang (Gast)]

Niklas schrieb:
> Im Datenblatt staht maximale drain-source Spannung, aber keine minimale.

Mach dir nichts draus, bei negativen Spannungen nimmst du besser einen 
P-Kanal MOSFET

> Genau so gate-source Spanung. Bis zu 12V.

Wie meinst du das?
Ich lese bei den Limiting Values bei V_GS in der Spalte "Min" einen Wert 
von -12V

[Wolfgang (Gast)]

Niklas schrieb:
> Wenn sich beim Mosfet der Massepunkt um beispielhafte +5v verschiebt.
> Dann wären am Drain 8,3V, Source 5V, Gate 0V (0v, weil der Transistor
> eine andere Bezugsmasse hat).
> Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen?

Den MOSFET interessiert nur die Spannung zwischen seinen Anschlüssen. 
Vom Rest der Welt merkt er sowieso nichts.

[Niklas (Gast)]

Vielen Dank, habe verstanden

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Wolfgang schrieb:
> Den MOSFET interessiert nur die Spannung zwischen seinen Anschlüssen.
Und ihm ist sogar die Stromrichtung zwischen D und S egal.

Niklas schrieb:
> weil der Transistor eine andere Bezugsmasse hat
Das solltest du jetzt aber mal genauer ausführen. Am Besten in einem 
Schaltplan.

Denn wenn du da 2 "Massen" aus 2 unabhängigen Schaltungen hast, dann 
sind die Potentiale zueinander erstmal undefiniert.

[Alfred B. (alfred_b979)]

Lothar M. schrieb:
> Wolfgang schrieb:
>> Den MOSFET interessiert nur die Spannung zwischen seinen Anschlüssen.
> Und ihm ist sogar die Stromrichtung zwischen D und S egal.

Ja und nein. Auch ausgeschaltet gibt's eine leitende
Verbindung von Source nach Drain: Die Bodydiode.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Alfred B. schrieb:
> Die Bodydiode.
Richtig, aber auch die ist dem eigentlichen Mosfet egal. Die Bodydiode 
ist einfach nur der DS-Strecke parallel geschaltet.

[Jörg B. (joergb2)]

Niklas schrieb:
> Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen?

Wenn Du den MOSFET schrotten willst, dann probiere es mit einer 
Gate-Source-Spannung von 1 ... 1.3 V. 2A * 3.3V sollten das 
SOT23-Gehäuse zum Rauchen bringen. |Ugs|>>20V ist natürlich der 
einfachste Ansatz. Hart schaltend bei höherer Frequenz in einer 
Halbbrücke geht auch, ist aber mehr für Experten.