Hi Forum, ich habe Mal eine Frage zu Transistoren. Ich wollte etwas Experimentieren und hab dazu eine kleine Schaltung mit einem Transistor. Ich habe an der Basis 12V und wollte die mit einem Spannungsteiler zu 5V wandeln. Sowohl im Aufbau, als auch an einem Simulationsprogramm hat das nicht funktioniert und nahezu die ganze Spannung ist am ersten Widerstand abgefallen, womit der zweite qausi sinnlos ist. Vermutlich bin zu doof zum googeln, aber das einzige was ich gefunden hatte, ist dass es eventuell daran liegen könnte, dass ein Transistor Stromgesteuert ist und ich dafür ein Mosfet nehmen soll. Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ? Danke schonmal Mfg
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Nuri O. schrieb: > Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ? https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor :-)
Nuri O. schrieb: > Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen? Du könntest versuchen dich in Schaltplänen auszudrücken, und dein eigentliches Problem zu beschreiben, nicht die vermeintliche Lösung.
Nuri O. schrieb: > aber das einzige was ich gefunden > hatte, ist dass es eventuell daran liegen könnte, dass ein Transistor > Stromgesteuert ist und ich dafür ein Mosfet nehmen soll. Ah. Wofür eigentlich ? Ich meine, abgesehen von Lernen und Erkenntnis, daß an der Basis eines Transistors tunlichst nicht mehr als 0.7V gegenüber dem Emitter entstehen sollten, sonst geht er kaputt, was soll der Transistor denn tun ? Offenkundig möchtest du mit 12V etwas steuern. Ja, da reicht ein Widerstand zum Transistor um den Basisstrom zu begrenzen. Bloss wenn man nicht weiss, was der Transistor dann leisten soll, weiss man auch nicht, auf was man begrenzt, und wenn man nicht weiss, woher die 12V kommen weiss man auch nicht, was man tun soll wenn keine 12V kommen.
Nuri O. schrieb: > Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ? Wohl kaum, weil dein Aufbau unbekannt ist. Die Basis-Emitter Strecke eines bipolaren Transistors verhält sich ähnlich einer Diode. An ihr fallen ca. 0,7 Volt ab. http://stefanfrings.de/transistoren/index.html
> Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ?
Nuri O. könnte das bestimmt, z.B. durch Veröffentlichung der
"kleinen Schaltung mit einem Transistor".
Nuri O. schrieb: > an einem Simulationsprogramm Simulationsprogramme machen eigentlich keinen Sinn, wenn man sich die Spannungen und Ströme dann nicht anschaut und daraus Schlussfolgerungen zieht. Zudem ist ein Grundverständnis der elektronischen Bauelemente notwendig das man nur durch Lesen und Lernen erreicht. Zudem ist die Sprache des Elektronikers der Schaltplan. Du hast bereits einen in der Simu. Also zeige denn statt den wortreich zu umschreiben.
Du hast wahrscheinlich den Mittelabgriff deines Spannungsteilers direkt mit der Basis verbunden. Schalt einen Widerstand von 1k dazwischen und du solltest eine Reaktion sehen, sowohl in deiner Simulation als auch in richtigen Leben.
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Habe mich wohl etwas missverständlich ausgedrückt. Es ging mir nicht um die Schaltung, sondern nur ums Verständnis, warum der Spannungsteiler nicht so funktioniert hat. Wenn es dann aber immer nur 0.7V Abfallen und nur vom Basisstrom abhängig ist, warum stand dann in allen Datenblättern eine maximale Ube Spannung. Die sollte dann doch eigentlich egal sein, wenn ich den Strom mit dem widerstand bestimme (?) Jürgen F. schrieb: > Du hast wahrscheinlich den Mittelabgriff deines Spannungsteilers > direkt mit der Basis verbunden. Schalt einen Widerstand von 1k > dazwischen und du solltest eine Reaktion sehen, sowohl in deiner > Simulation als auch in richtigen Leben. Genau das hab ich. Probiere ich gleich Mal aus Mfg
Nuri O. schrieb: > Wenn es dann aber immer nur 0.7V Abfallen und nur vom Basisstrom > abhängig ist, warum stand dann in allen Datenblättern eine maximale Ube > Spannung. Die sollte dann doch eigentlich egal sein, wenn ich den Strom > mit dem widerstand bestimme (?) Wenn das Wörtchen wenn nicht wäre. Die maximale Ube Spannung im Datenblatt gilt eben nicht nur für den Betrieb mit Vorwiderstand. Wenn du deutlich mehr als 0,7 an der Basis erzwingst, verbrennt der Transistor.
Nuri O. schrieb: > warum stand dann in allen Datenblättern eine maximale Ube > Spannung. Vorsicht, achte auf das Vorzeichen! Wenn in den Datenblättern eine maximale Ube angegeben ist, i.d.R in der Größenordnung von 5..7V, dann hast du es mit der maximal zulässigen Basis-Emitter-Sperrspannung zu tun. Da fliesst praktisch kein Strom, und auch die C-E-Strecke wird nicht leitend. Wen der Transistor leiten soll, musst du die B-E-Diode in Flussrichtung betreiben, und dabei stellt sich dann eine Spannung von 0,5..0,7V ein. Bei manchen Leistungstransistoren, die sehr hohe Basisströme brauchen, können das auch mal 1,2V werden.
Nuri O. schrieb: > Es ging mir nicht um die Schaltung, sondern nur ums Verständnis, warum > der Spannungsteiler nicht so funktioniert hat. Weil dein Spannungsteiler in Wirklichkeit so aussieht, eine Diode parallel zum unteren 1k, und an so einer Diode fallen nur 0.7V bei 11.3mA ab also bekommt auch der untere 1k nur 0.7V und 0.7mA
1 | +---+ |
2 | | | |
3 | | 1k |
4 | | | |
5 | 12V +---+ |
6 | | | _|_ |
7 | | 1k \_/ |
8 | | | | |
9 | +---+---+ |
> Wenn es dann aber immer nur 0.7V Abfallen und nur vom Basisstrom > abhängig ist, warum stand dann in allen Datenblättern eine maximale Ube > Spannung. Wenn du an einem Transistor mehr als diese maximale UBE misst, z.B. 5V zwischen B und E, dann ist er kaputt, weil irgendwann zuvor der maximale Basisstrom mangels adäquater Strombegrenzung überschritten wurde. > Die sollte dann doch eigentlich egal sein, wenn ich den Strom > mit dem widerstand bestimme (?) Genau. Es ist egal, weil temperaturabhängig. Aber bei der Berechnung, "wie viel Strom fliesst in die Basis, wenn ich 12V über 1k anlege" muss man halt wissen, welche Spannung man abziehen muss weil sie an der Basisstrecke verloren geht, (12V-0.7V)/1k=11.3mA
P.S. Hp M. schrieb: > Vorsicht, achte auf das Vorzeichen! .... und die Reihenfolge der Indices! Ube ist etwas anderes als Ueb.
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Michael B. schrieb: > Weil dein Spannungsteiler in Wirklichkeit so aussieht, eine Diode > parallel zum unteren 1k, und an so einer Diode fallen nur 0.7V bei > 11.3mA ab also bekommt auch der untere 1k nur 0.7V und 0.7mA Ahh okay jetzt hab ich's verstanden. Danke! Michael B. schrieb: > Genau. Es ist egal, weil temperaturabhängig. Aber bei der Berechnung, > "wie viel Strom fliesst in die Basis, wenn ich 12V über 1k anlege" muss > man halt wissen, welche Spannung man abziehen muss weil sie an der > Basisstrecke verloren geht, (12V-0.7V)/1k=11.3mA Wonach wird denn der Basisstrom ausgewählt? Hatte öfter gelesen der Kollektorstrom sollte 10x höher sein als der Basisstrom. Wenn ich also eine LED mit 10 mA schalten will reicht da lediglich 1mA Basisstrom? Hp M. schrieb: > .... und die Reihenfolge der Indices! > Ube ist etwas anderes als Ueb. Ahh tatsächlich. Da steht überall ueb. Dann wird diese Sperrspannung sein, richtig? Mfg und danke
Nuri O. schrieb: > Hatte öfter gelesen der > Kollektorstrom sollte 10x höher sein als der Basisstrom. Das ist im Grundverständnis schonmal falsch. Wenn die äußere Beschaltung nichts anderes vorgibt, dann ist der Kollektorstrom um einen typ- und exemplarabhängigen Faktor größer als der Basisstrom. Dieser Faktor wird sinnigerweise Stromverstärkungfaktor genannt und häufig mit B oder \beta bezeichnet. Typischerweise liegt B bei ca. 100..250. Es gibt aber auch selektierte Typen mit B>=400. Oder (alte) Leistungstransistoren mit B=30. > Wenn ich also eine LED mit 10 mA schalten will reicht da > lediglich 1mA Basisstrom? Schaltbetrieb ist eine besondere Situation. Dabei übersteuert man den Transistor, damit möglichst wenig Spannung zwischen Kollektor und Emitter stehen bleibt. Konkret bedeutet übersteuern, daß man mehr Basisstrom reindrückt, als man für den (meist extern begrenzten) Kollektorstrom bräuchte. Man rechnet also praktisch mit 1/3 .. 1/5 von B. Und weil B auch exemplarabhängig ist, nimmt man das kleinste B aus dem Datenblatt. Oft ist der Schaltbetrieb im Datenblatt auch extra spezifiziert. Das ist meistens Ic/Ib=20. Obwohl 50 auch gehen würde. 10 ist arg pessimistisch.
Michael B. schrieb: > Bloss wenn man > nicht weiss, was der Transistor dann leisten soll, weiss man auch nicht, > auf was man begrenzt, und wenn man nicht weiss, woher die 12V kommen > weiss man auch nicht, was man tun soll wenn keine 12V kommen. Hallo Michael, wie schön, dass du das jetzt wieder anders schreibst! Und mit Humor bringst du die Leute zum lachen. Zumindest mich. Vielen Dank!
Nuri O. schrieb: > Wonach wird denn der Basisstrom ausgewählt? Steht auch im bereits empfohlenen Aufsatz: http://stefanfrings.de/transistoren/index.html
Auch wenn ich das herzallerliebst von Euch finde Nuri elementarste Grundlagen zu erklären, kann es doch eigentlich nur den Rat geben sich wenigstens die Basics selber anzulesen. Man kann ja gerne fragen be Problemen, aber ich erwarte eigentlich das man sich zumindest ein klein wenig mit den Bauteilen vorher beschäftigt hat. Oder sind wir hier auf 'vorleser.net' https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm
Michael schrieb: > Auch wenn ich das herzallerliebst von Euch finde Nuri elementarste > Grundlagen zu erklären, kann es doch eigentlich nur den Rat geben sich > wenigstens die Basics selber anzulesen. > ............. ............... > > https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm Dem Vorschlag, sich die "basics" selber anzulesen, muss man zustimmen. ABER: Dann doch sinnvollerweise unter Zuhilfenahme eines "seriösen" Buches (Vorschlag: Tietze-Schenk) und nicht irgendwo im Internet.... wie z.B der oben genannte link. Das gilt besonders dann, wenn man nicht nur rechnen oder mit vorgefertigten Formeln/Dimensionierungshinweisen arbeiten will, sondern auch VERSTEHEN will, wie der Transistor arbeitet....und WARUM man gewisse Dimensionierungsregeln befolgen sollte. Und deshalb: Die Arbeitsweise des bipolaren Transistors basiert auf SPANNUNG-STEUERUNG (und damit sind die Erklärungen zum Funktionsprinzip im o.g. link auch falsch). Und deshalb "sucht man sich auch nicht einen Basisstrom aus" - wie es in einem Beitrag heißt, sondern natürlich den gewünschten Kollektorstrom. Der Spannungsteiler vor der Basis braucht keinen Längswiderstand zwischen Teiler-Mittelpunkt und dem Basis-Anschluss. Er muss nur vernünftig dimensioniert sein - im Zusammenspiel mit einem Emitterwiderstand, der gegenkoppelnd wirkt und die Unsicherheit bei dem Wert Ube=0,7V sehr stark reduziert. Dieser Widerstand ist nämlich nur wirksam , WEIL der Transistor spannungs-gesteuert ist.
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Lutz V. schrieb: > Die Arbeitsweise des bipolaren Transistors basiert auf > SPANNUNG-STEUERUNG Jetzt kommt das wieder! 🤦🏻🤮 Sorry Mann, aber diese Diskussion ist hier völlig daneben. Das brauchen wir nicht schon wieder und es hilft dem TO nicht. Wenn dir das Thema so am Herzen liegt, dann schreibe doch ein Buch darüber. In dem Buch kannst du dich auch darüber auslassen, das Energie nicht verbraucht wird, warum die Klospülung kein Wasser verbraucht und wann die Tasse halb voll bzw. halb leer ist.
Steve van de Grens schrieb: > Lutz V. schrieb: >> Die Arbeitsweise des bipolaren Transistors basiert auf >> SPANNUNG-STEUERUNG > > Jetzt kommt das wieder. > > Sorry Mann, aber diese Diskussion ist hier völlig daneben. Das > brauchen wir nicht schon wieder und es hilft dem TO nicht. Wenn dir das > Thema so am Herzen liegt, dann schreibe doch ein Buch darüber. Lies Dir mal den 2. Beitrag des Fragestellers durch. Dort steht explizit, dass es ihm um das VERSTÄNDNIS des bipolaren Transistors geht. Und wenn hier was falsches - unsinniges - steht (Basisstrom aussuchen und andere abenteuerliche Dinge über die Basisspannung), dann halte ich eine Korrektur doch für sinnvoll - und im Sinne des Fragestellers. Wenn Du zu meinem Beitrag nichts sachliches beizutragen hast, dann schweige doch einfach.....jedenfalls ist das, was Du meintest aüßern zu müssen, nicht sehr originell (und hat in einem technischen Forum nichts zu suchen).
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Lutz V. schrieb: > WEIL der Transistor spannungs-gesteuert ist. Spielte der TO mit Feldeffekttransistoren, hättest du Recht.
Lutz V. schrieb: > unter Zuhilfenahme eines "seriösen" > Buches (Vorschlag: Tietze-Schenk) Der Tietze Schenk überfrachtet den Anfänger. Das Elektronik Kompendium ist schon ganz gut. Lutz V. schrieb: > Die Arbeitsweise des bipolaren Transistors basiert auf > SPANNUNG-STEUERUNG Auch Dir würde ich dann das Elektronik Kompendium empfehlen, wenn sowas nach Konsum des Tietze Schenk rauskommt. :-) Der bipolare Transistor ist sehr gut zu verstehen wenn man von der üblichen Prämisse ausgeht das der stromgesteuert ist.
Michael schrieb: > Der bipolare Transistor ist sehr gut zu verstehen wenn man von der > üblichen Prämisse ausgeht das der stromgesteuert ist. Mal ehrlich - soll man als guter Entwickler von "üblichen Prämissen" ausgehen, ohne der Hintergrund zu kennen? Ich weiß, dass viele daran glauben (glauben !!) und ich verstehe nicht, warum man sich - anders als bei anderen technisch-physikalischen Problemstellungen - hier mit so einem "Glauben" zufrieden gibt, ganz ohne Beweis! Es gibt nämlich nicht einen einzigen theoretischen oder experimentellen Nachweis für Stromsteuerung. Man zeige mir einen !! Aber es gibt etliche Nachweise für Spannungssteuerung. Dazu muss man gar nicht in die Teilchen-Physik einsteigen (die beweist es natürlich auch). Jeder, der schon mal eine einfache Emitterstufe mit Emitterwiderstand und Spannungsteiler an der Basis (mit Teilerstrom etwa das zehnfache des "geschätzten" (!!) Basisstroms) dimensioniert hat, hat von der Tatsache der Spannungssteuerung Gebrauch gemacht (ohne sich dessen bewusst zu sein, weil er dann wohl nicht nach dem Hintergrund dieser Dimensionierungs-Hinweise gefragt hat). Muss man ja auch nicht, wenn einem das Verständnis nicht so wichtig ist.
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Nuri O. schrieb: > Hi Forum, > > > Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ? Nuri - ganz kurzer Tipp: Bau einen Spannungsteiler, durch den bei 12 Volt ungefähr 0,1mA fließen und bei dem am unteren Widerstand etwa Ub=0,7+0,5=1,2 Volt abfallen. Diese Basisspannung Ub wird direkt an die Basis (ohne Vorwiderstand) angelegt. Nimm einen npn-Transistor und einen Kollektorwiderstand von etwa Rc=5kOhm und einen Widerstand in der Emitterleitung von etwa Re=500 Ohm. Damit wird ein Koll.strom von etwa 1mA fließen, der an Rc einen Abfall von 5V und an Re von etwa 0,5V erzeugt (das ist der Hintergrund für die bei Ub erähnten 0,5V). Du kennst dabei gar nicht den fließenden Basisstrom - und das ist auch kein Problem, denn der ist so klein (im Vergleich zum Teilerstrom von 0,1mA), dass er zu keiner nennenswerten Abweichung führt - jedenfalls nicht, wenn es um das Experimentieren und um das Verstehen geht.
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Lutz V. schrieb: > Bau einen Spannungsteiler... > Nimm einen npn-Transistor... Ein Schaltplan wäre wesentlich verständlicher
Lutz V. schrieb: > soll man als guter Entwickler von "üblichen Prämissen" > ausgehen, ohne der Hintergrund zu kennen? Als guter Entwickler kommt man zu Ergebnissen und verliert sich nicht in völlig unwesentlichen Details. Der bipolare ist stromgesteuert und gut und nur weil Du auf dem toten Gaul reitest das letztendlich eine Spannung an einem höchst unlinaren Widerstand namens BE-Diode abfällt und mit stiegendem Strom natürlich auch eine steigende Spannung über BE abfällt, bringt das niemanden irgendwie weiter. Mit dem Argument kannst Du auch behaupten LEDs werden spannungsgesteuert. Deren Leuchtstärke kann man beschreiben und dabei komplett auf den Strom verzichten. Man muss nur die Parameter bei den jeweiligen Bedingungen exakt genug kennen. Versteht nur keine Sau, ist höllisch schwierig und starken Exemplarstreuungen unterworfen, ebenso der Temperatur. Völlig nutzlos das so zu betrachten. Die Variation der Spannung ist extrem klein im Vergleich zur Variation des Stromes, also betrachtet man den Strom. Du würdest auch noch argumentieren das der Mosfet stromgesteuert ist, weil ja durchaus ein Strom ins Gate fliesst. Nur ist der statisch eben winzig und dynamisch von den int. Kapazitäten abhängig. Aber wenn es Dich glücklich macht, kannst Du gerne über Teilphysik am NPN schwadronieren und Dinge in Frage stellen die Generationen erfolgreich angewendet haben. Nur lass uns dann bitte damit in Ruhe und kaper mit dem Mist nicht Threads zu Anfängerfragen am NPN. Was hat der große Entwickler denn bitteschön mit seinem spannungsgesteuerten bipo auf die Beine gestellt was nicht auch mit dem stromgesteuerten möglich gewesen wäre? Was also hilft Dir oder irgendjemanden diese Haarspalterei?
Lutz V. schrieb: > Ich weiß, dass viele daran glauben (glauben !!) Evtl glaubst du dass auch nur... Ein Gläubiger Christ "weiß" ja auch, dass Gott existiert. Lutz V. schrieb: > Es gibt nämlich nicht einen einzigen theoretischen oder experimentellen > Nachweis für Stromsteuerung. In der langen Diskussion um das Thema wurden dir viele genannt, evtl warst du ja zu sehr mit glauben statt wissen beschäftigt. Aber das ist alles nicht Thema hier.
J. T. schrieb: > > In der langen Diskussion um das Thema wurden dir viele genannt, evtl > warst du ja zu sehr mit glauben statt wissen beschäftigt. > Aber das ist alles nicht Thema hier. Ich möchte ja gerne dazu lernen - BITTE, nenne mir doch einen einzigen Beweis. Das kann ja nicht so schwer sein, denn es "wurden mir ja viele genannt". Warum fragt mich eigentlich keiner nach meinen Beweisen? Ich finde es wirklich schade (und sogar erschreckend), dass Du (wie auch mehrere hier im Forum) scheinbar noch nicht mal willens bist, überhaupt nachzudenken über eine Dir vielleicht noch unbekannte "neuartige" Erklärung/Beschreibung. Sonst würdest Du ja evtl. mal nach meinen Argumenten fragen.... Eine seriöse und faire technisch orientierte Diskussion geht anders....statt dessen: Persönliche Angriffe. Schade und selbst-entlarvend.
Michael schrieb: > > Was hat der große Entwickler denn bitteschön mit seinem > spannungsgesteuerten bipo auf die Beine gestellt was nicht auch mit dem > stromgesteuerten möglich gewesen wäre? > Was also hilft Dir oder irgendjemanden diese Haarspalterei? Auf Deinen Beitrag möchte ich nicht weiter eingehen....zu viel persönlich Attacken. Inhaltlich noch nicht mal zur Diskussion geeignet. Zu viel unsachliches Zeug. Ich muss das mal wirklich so offen sagen: Ich habe hier bei manchen Beiträgen den Eindruck, dass es primär ums unsachliche Polemisieren geht....warum wohl?
Lutz V. schrieb: > Michael schrieb: > >> Der bipolare Transistor ist sehr gut zu verstehen wenn man von der >> üblichen Prämisse ausgeht das der stromgesteuert ist. > > Es gibt nämlich nicht einen einzigen theoretischen oder experimentellen > Nachweis für Stromsteuerung. > Man zeige mir einen !! Aber sicher. Viel Basisstrom, viel Kollektorstrom und umgekehrt. Die minimale Veränderung der BE-Spannung spielt da für die ANWENDUNG keine Rolle. > Aber es gibt etliche Nachweise für Spannungssteuerung. Dumm nur, daß es von außen Betrachter vollkommen nutzlos ist. Denn nirgendwo werden Bipolartransistoren mit einer Steuerspannung versorgt, wohl aber einem Basisstrom. Genauso wenig wie LEDs mit expliziter Spannung gesteuert werden.
Lutz V. schrieb: > Ich möchte ja gerne dazu lernen - BITTE, nenne mir doch einen einzigen > Beweis. Wie wäre es wenn du deinen eigenen Rat beherzigst und mal den Tietze Schenk liest. Lutz V. schrieb: > BER: Dann doch sinnvollerweise unter Zuhilfenahme eines "seriösen" > Buches (Vorschlag: Tietze-Schenk) Oder, falls das zu kompliziert ist schau mal in Wikipedia: https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor Zitat: "Es wird durch den kleinen Basisstrom, verursacht durch die Defektelektronen, ein viel größerer Kollektorstrom (Elektronenstrom) gesteuert." Also bitte erst mal selbst verstehen, bevor du eine alternative Physik proklamierst.
Lutz V. schrieb: > Warum fragt mich eigentlich keiner nach meinen Beweisen? Weil es, aus auch schon genannten Gründen, keinen interessiert. Lutz V. schrieb: > Ich finde es wirklich schade (und sogar erschreckend), dass Du (wie auch > mehrere hier im Forum) scheinbar noch nicht mal willens bist Das ist eine Fehlinterpretation deinerseits. Ich hab auch schon mal im Tietze und Schenk geblättert, und kenne evtl mehr als ich hier durchblicken lasse. Lutz V. schrieb: > BITTE, nenne mir doch einen einzigen Beweis Bspw der nahezu lineare Zusammenhang zwischen Ib und Ic. Erhöhe ich Ib um einen Faktor x, dann steigt Ic in guter Näherung um den Faktor x mal hfe. Eine Steuerung ist etwas, wo eine Größe einer anderen folgt, idealerweise noch in einem linearen Zusammenhang. Q.E.D. Mit dem lineare Zusammenhang lässt sich halt deutlich einfacher arbeiten, daher nutzt es, außer dir fast jeder, statt sich mit dem gammeligen Puhn (gummel poon, falls dir der Witz entgangen sein sollte) oder beliebig abstrakten Modellen rumzuplagen. Aber wie schon gesagt, ist das eigentlich nicht Thema des Threads, aber schön dass du ihn erfolgreich gekapert hast.
Nuri O. schrieb: > Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen ? Noch mehr Licht? Hat den der Transistor beim durchbrennen nicht geleutet?
Gerald B. schrieb: > Hat den der Transistor beim durchbrennen nicht geleutet? Klar, da hängt ein kleines Glöckchen dran: 🔔 Ding Dong!
Ups, kleiner Schreibfehler. Ich wollte schreiben: Hat den der Transistor beim durchbrennen nicht geleuchtet?
Gerald B. schrieb: > Ups, kleiner Schreibfehler. Ich wollte schreiben: > Hat den der Transistor beim durchbrennen nicht geleuchtet? Schon wieder falsch;) Du wolltest bestimmt schreiben: Hat denn der Transistor beim durchbrennen nicht geleuchtet?
Nuri O. schrieb: > Ich habe an der Basis 12V und wollte die mit einem Spannungsteiler zu 5V > wandeln. 12V an der Basis kann ok sein, wenn der Emitter passend verschaltet ist. p.s. Um was für einen Transistor handelt es sich eigentlich? Da du von "Basis" sprichst, wird es wohl ein Bipolar- und kein Feldeffekttransistor sein, also NPN oder PNP.
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Udo S. schrieb: > > Wie wäre es wenn du deinen eigenen Rat beherzigst und mal den Tietze > Schenk liest. > > > Also bitte erst mal selbst verstehen, bevor du eine alternative Physik > proklamierst. Zitat Tietze-Schenk (11. Auflage): * S. 41: "Im Normalbetrieb ist der Kollektorstrom Ic im wesentlichen nur von Ube abhängig." * S. 42: "Der...charakteristische Zusammenhang zwischen Strom und Spannung zeigt sich...als exponentielle Abhängigkeit der Ströme Ib und Ic von der Spannung Ube." ______________________ Ich möchte ja nicht unbedingt auch polemisch werden, bevor Du aber meinst, ich würde eine "alternative Physik" proklamieren, schlage ich doch vor, Dich vorher doch ein wenig besser zu informieren (als über Wikipedia). Es bringt wohl nichts, hier etwas seriösere Quellen (zusätzlich zu Tietze-Schenk) aufzulisten - es sind auch Nobel-Preisträger dabei. Traurig eigentlich, dass hier überwiegend Polemik und (anonyme) Polemik herrscht. Wovon zeugt das wohl? Der TO bat um Informationen zum Verständnis des Transistorprinzips - und ich habe ihn darüber aufgeklärt, dass in einer Antwort ein link erschien, der fehlerhaft ist. Das war alles - und viele "Gläubige" (anders kann ich diese nicht bezeichnen, da sie keine gegen-Beweise anerkennen) waren leider nicht in der Lage, sachlich darauf zu reagieren.....eigentlich ein Armutszeugnis, oder?
Falk B. schrieb: > > Aber sicher. Viel Basisstrom, viel Kollektorstrom und umgekehrt. Die > minimale Veränderung der BE-Spannung spielt da für die ANWENDUNG keine > Rolle. Sag mal - soll das etwa ein technisch-physikalischer Beweis sein? Meinst Du ernsthaft, dass Du durch eine mathematische Manipulation (Ib=Ic/B führt auf Ic=B*Ib) auch Ursache und Wirkung so einfach mal vertauschen kannst? Kann die Erwärmung eines Widerstandes eine elektrische Leistung P erzeugen, nur weil umgekehrt P zur Erwärmung führt? Also: Etwas nachdenken bitte!
Lutz, lass es ruhen! Dieses Detail ist für die Frage des TO vollkommen irrelevant.
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Erklär mir mal die Kurve wenn Ic nur von Ube abhängig ist. Warum interessiert uns dann bei Transistoren überhaupt der Current Gain?
M. K. schrieb: > Erklär mir mal die Kurve wenn Ic nur von Ube abhängig ist. Wenn Ic von Ube abhängt, und Ib von Ube, ist Ic auch von Ib abhängig. Und wenn Ic von Ib abhängt, und Ube von Ib, ist Ic auch von Ube abhängig. Solche Spielchen bringen überhaupt nicht weiter. Da muss man schon runter auf die Ebene der Vorgänge im Halbleiter. Bringt für die Ursprungsfrage aber reinweg nichts und ist rein akademisch.
(prx) A. K. schrieb: > Da muss man > schon runter auf die Ebene der Vorgänge im Halbleiter. Darauf wollte ich ja hinaus und wenn man da runter geht sieht man, dass die Effekte von den bewegten Ladungsträgern abhängt. Denn nur diese Ladnungsträger und ihre Verschiebung beeinflussen die RLZs ;) (prx) A. K. schrieb: > Bringt für die > Ursprungsfrage aber reinweg nichts und ist rein akademisch. Sehe ich auch so ;)
(prx) A. K. schrieb: > Wenn Ic von Ube abhängt, und Ib von Ube, ist Ic auch von Ib abhängig. > Und wenn Ic von Ib abhängt, und Ube von Ib, ist Ic auch von Ube > abhängig. Solche Spielchen bringen überhaupt nicht weiter. Du hast es, wie viele, leider auch nicht verstanden. Den Basisstrom braucht es nur, weil der physisch existierende bipolare Transistor alles andere als ideal ist. Zum einen setzt der Strom der B-E-Diode sich aus einem Elektronen- und einem Löcherstrom zusammen, wobei die Ladungsträger, die in Richtung Emitter unterwegs sind, äusserst schädlich sind. Die Kunst bei der Herstellung (und Zweck der starken Emitter-Dotierung) ist es diesen Strom möglichst zu unterdrücken. Wenn in der Basis-Emitter-Diode Elektronen- und Löcherstrom gleich groß wären, hätte dieser Transistor nämlich überhaupt keine "Stromverstärkung" mehr! * Der ideale npn-Transistor hätte also keinen Löcherstrom in Richtung Emitter. Die andere Unvollkommenheit des Bipolartransistors ist der Kollektorwirkungsgrad, der leider kleiner als 1 ist, und beschreibt, wieviele der vom Emitter in die Basiszone emittierten (Name!) und dort herumdiffundierenden Ladungsträger vom Kollektor (Name!) eingesammelt werden können. Idealer Weise sind das alle der vom Emitter stammenden Ladungsträger, was durch eine schwache Basisdotierung, eine dünne Basiszone und eine hohe Kollektorspannung begünstigt wird. * Der ideale Transistor hat den Kollektorwirkungsgrad 1. Gelänge es alle diese Ladungsträger in den Kollektor zu überführen, so flösse bei einem ausserdem idealen Emitter tatsichlich kein Basisstrom mehr und was bleibt dann? * Der bipolare Transistor ist tatsächlich spannungsgesteuert! Der dann allein maßgebliche Emitterstrom (Ie=Ic) wird von der spannungsabhängigen Bandüberlappung der n- und p- dotierten B-E-Diode diktiert. Auch wenn es unbequem ist, empfehle ich, sich das an der Basisschaltung einmal klar zu machen. Die dort gefundenen Zusammenhänge kann man sehr leicht in die Emitterschaltung umrechnen.
Hp M. schrieb: > Du hast es, wie viele, leider auch nicht verstanden. Muss ich auch nicht, um diese Diskussion im Sinn der Urspungsfrage als vollkommen nutzlos zu bezeichnen.
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Hp M. schrieb: > Gelänge es alle diese Ladungsträger in den Kollektor zu überführen, so > flösse bei einem ausserdem idealen Emitter tatsichlich kein Basisstrom > mehr und was bleibt dann? > > * Der bipolare Transistor ist tatsächlich spannungsgesteuert! Also: Der ideale bipolare Transistor ist Spannungsgesteuert. Da es aber keinen idealen bipolaren Transistor gibt, betrachten wir den praktischerweise weiterhin als stromgesteuert und backen uns ein Ei darauf was die putzigen up, down und strange Quarks da tun, die letzlich die uns bekannten atomaren Teilchen bilden.
M. K. schrieb: > Erklär mir mal die Kurve wenn Ic nur von Ube abhängig ist. Warum > interessiert uns dann bei Transistoren überhaupt der Current Gain? OK - auf so eine sachliche Frage antworte ich auch gerne sachlich. Die Kurve zeigt, dass der Quotient Ic/Ib von der Größe des Kollektorstroms Ic abhängt. Dieser Quotient wurde leider - von Anfang an - als "Stromverstärkung" bezeichnet, was bei vielen den hier zu beobachtenden Irrtum (auch leider in Büchern) ausgelöst hat. Interessanterweise gibt es auch FET-Datenblätter, in den man den nun wirklich vernachlässigbaren Gatestrom benutzt, um damit auch einen "current gain" zu definieren. Noch mal zu der von Dir gezeigten Kurve: Sie sagt also nur aus, das der fließende Basisstrom kein fester Anteil (Prozentsatz) des Koll.Stromes Ic ist, sondern dass dieser kleine Anteil in einem gewissen Bereich schwankt - im Beispiel etwa von 1/50 bis 1/200). Damit ist natürlich noch nichts darüber gesagt, ob - physikalisch gesehen - der Wert von Ic von Ib "bestimmt" wird, oder eben von Ube. Kleiner Nachsatz: Die in den bekannten Simulationsprogrammen enthaltenen Transistor-Modelle basieren natürlich auf der seit den 40-er Jahren des vergangenen Jahrhunderts bekannten Gleichung von W. Shockley, die nun mal für JEDEN pn-Übergang (Diode oder Transistor) gilt und zeigt, wie sowohl der Kollektorstrom als auch der Basisstrom beide exponentiell von Ube anhängen. Ein Modell, dass lediglich die Beziehung Ic=B*Ib (oder auch beta*Ib) beinhalten würde, könnte ja niemals den Großsignalbetrieb eines Transistors auch nur annähernd simulieren. Ob das für so einige hier wirklich eine neue Information ist? Wenn ja, bewundere ich den "Mut", sich hier überhaupt in polemisch/pöbelnder Art zu Wort zu melden und davon zu sprechen. dass ich hier "eine neue Physik" postulieren" würde. Zu viel der Ehre - ich gebe nur das wieder, was andere schon vor mehr als 60 Jahren festgestellt haben.
Und um die Sache mit dem Apfel zu berechnen, unbedingt die Allgemeine Relativitätstheorie verwenden!
Michael schrieb: > > Also: Der ideale bipolare Transistor ist Spannungsgesteuert. > Da es aber keinen idealen bipolaren Transistor gibt, betrachten wir den > praktischerweise weiterhin als stromgesteuert und backen uns ein Ei > darauf was die putzigen up, down und strange Quarks da tun, die letzlich > die uns bekannten atomaren Teilchen bilden. Michael - Du bist bestimmt ein Praktiker, oder? Du hast bestimmt auch schon Transistorstufen entworfen und aufgebaut. Wenn Du sagst, dass man dabei "praktischerweise" den BJT als "stromgesteuert" ansehen würde, kannst Du mir dann bitte folgendes beantworten? Kannst Du auf der Grundlage der Stromsteuerung erklären * wie der Emitterwiderstand gegenkoppelnd/stabilisierend wirkt? * wie der einfache Zwei-Transistor-Stromspiegel funktioniert? * wieso es für die Spannungsverstärkung einer Transistorstufe völlig egal ist, ob Du bei unveränderter Schaltung (gleicher Arbeitspunkt) mit beta=100 oder beta=150 arbeitest? * Wieso man bemüht ist, den Basis-Teiler so niederohmig auszulegen, dass man (fast) eine eingeprägte Spannung erzeugen kann, die vom fließenden Basisstrom (und seinen Schwankungen/Toleranzen) nur unwesentlich beeinflusst wird? * wieso in den Verstärkungsformeln die Steilheit auftaucht, die man über die Steigung der Kennlinie Ic=f(Ube) erhält? * was der bekannte Temperaturkoeffizient von -2mV/K aussagt? Ich wäre Dir für eine Antwort wirklich dankbar, weil ich wirklich verstehen möchte, wie man zu dieser irrigen Annahme kommen kann, dass man (mal abgesehen von der Theorie) auch in der Praxis von "Stromsteuerung" Gebrauch macht. Das stimmt einfach nicht und ist - wie ich denke - Selbst-Betrug!!
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>> Gelänge es alle diese Ladungsträger in den Kollektor zu überführen, >> ... >> > * Der bipolare Transistor ist tatsächlich spannungsgesteuert! > Also: Der ideale bipolare Transistor ist Spannungsgesteuert. Ein einigermassen "idealer" Transistor hätte eine STROMverstärkung gegen (aber nicht gleich!) unendlich und somit sehr geringen BasisSTROM bei Aufsteuerung. Der entstehende Kollektorstrom hängt vom BasisSTROM ab, und zwar einigermassen linear (solange die Kollektor-Emitterspannung wenigstens ein paar Volt beträgt). Für den Basisstrom benötigt man natürlich die (richtige!) Spannung Basis-Emitter, die Abhängigkeit ist aber völlig nichtlinear (Diodenkennlinie; die hinzukommende Rückwirkung durch den Kollektorstrom ist i.d.R. gering). Ergo ist es völlig unzweckmässig, einen (auch sehr, sehr "guten") Transistor als "spannungsgesteuert" zu betrachten.
Uwe schrieb: > > Ergo ist es völlig unzweckmässig, einen (auch sehr, sehr "guten") > Transistor als "spannungsgesteuert" zu betrachten. Lies Dir bitte doch mal meine letzte Antwort an Michael durch - und vor allem die Fragen, die ich gestellt habe. Und prüfe mal, ob Du eine Antwort auf auch nur EINE der Fragen hast, die Deine Behauptung "unzweckmäßig" stützt. Sowas kann nur jemand schreiben, der sich noch nie gefragt hat, wo denn die allseits benutzten Dimensionierungshinweise herkommen. Dazu braucht man keine Kenntnisse der Teilchenphysik - man muss nur beobachten, messen und denken können (und wollen!).
Nochwas, zu Lutz V.: > * Wieso man bemüht ist, den Basis-Teiler so niederohmig auszulegen, > dass man (fast) eine eingeprägte Spannung erzeugen kann, die vom > fließenden Basisstrom (und seinen Schwankungen/Toleranzen) nur > unwesentlich > beeinflusst wird? Bei NF-Leistungsendstufen steuert man die Treiberstufen vor den Endtransistoren absichtlich strommässig an (via Bootstrab aus dem Ausgang oder Stromquelle am Kollektor des Ansteuertransistors; bei Spannungsansteuerung wäre der Klirrfaktor VIEL zu hoch). > * wieso in den Verstärkungsformeln die Steilheit auftaucht, > die man über die Steigung der Kennlinie Ic=f(Ube) erhält? > * was der bekannte Temperaturkoeffizient von -2mV/K aussagt? Ja eben den stark nichtlinearen und temperaturabhängigen Zusammenhang zwischen Basisspannung und -Strom.
Uwe schrieb: > Ergo ist es völlig unzweckmässig, einen (auch sehr, sehr "guten") > Transistor als "spannungsgesteuert" zu betrachten. Gut, dass Robert Widlar das besser wusste, als er die Bandgap-Referenzen entwarf, die seither in den meisten Spannungsregler-ICs verwendet werden. Schau mal, wie oft in den dazu gehörenden Formeln "Stromverstärkungen", und wie oft Spannungen auftauchen: https://de.wikipedia.org/wiki/Bandabstandsreferenz
Lutz V. schrieb: > Kannst Du auf der Grundlage der Stromsteuerung erklären Das wird nur zu immer mehr Diskussionen mit Dir führen. Ich will aber sehr viel weniger mit Dir diskutieren. So kurz ich kann: Natürlich gehört zu einem Strom auch immer eine Spannung. Und natürlich führt eine gleiche Spannung an zwei völlig gleichen Dioden mit idealer thermischer Kopplung auch zu einem gleichen Strom. (Stromspiegel) Und natürlich ist die Vf einer Diode stark Temperaturabhängig. Und natürlich ist bei Konstantspannung am Basisvorwiderstand die Vf oder auch der Spannungsabfall am Emitterwiderstand Teil des Spannungsteilers der am Basisvorwiderstand den Strom bestimmt. Das ist Kindergartenniveau, erstes Lehrjahr, Elektronik Grundkurs. Du stellst extra dumme Fragen die Du Dir selbst beantworten kannst. Oder auch nicht, dann kannst Du aber mit meiner Antwort auch nichts anfangen. Strom und Spannung gehören immer zusammen. Völlig überraschender Weise auf bei der BE Diode. Nur kann ich eben ziemlich sicher sagen wo ich ungefähr lande wenn ich bei hfe 100 1mA in die Basis schicke, deren BE Spannung ich mit ca. 0,6V annehme. Ich kann Dir aber nicht sagen wo ich lande wenn ich 0,600V oder 0,590V oder 0,610V anlege. Das hängt extrem vom Transistor, der Produktionscharge und der Temperatur ab. Und deswegen ist Deine Spannungsbetrachtung vollkommen sinnlos in der realen Anwendung des bipolaren Transsistors. In der Elektronik beachten wir meist nicht die idealisierten physikalischen Vorgänge, sondern reale Bauteile mit stark vereinfachten Formeln die für die reale Auslegung vollkommen ausreichend sind. Würde ich für jeden Widerstand, jede Leiterbahn, einfach alles eine komplette Betrachtung der Temperaturabhängigkeit, der parasitären Induktivität und Kapazität und der zu erwartenden Abweichung machen, würde ich über den LED Blinker nie hinauskommen. Diese Art der geistigen Ornanie mag ja theoretisch total fesselnd sein. In der Entwickler Praxis ist das vollkommen irrelevant. Hp M. schrieb: > Bandgap-Referenzen Völlig andere Baustelle.
Michael schrieb: > > Das ist Kindergartenniveau, erstes Lehrjahr, Elektronik Grundkurs. > > Du stellst extra dumme Fragen die Du Dir selbst beantworten kannst. > Oder auch nicht, dann kannst Du aber mit meiner Antwort auch nichts > anfangen. > Liebes Forum-Mitglied Michael - ist das wirklich Deine Antwort auf sechs von mir gestellte technische Fragen? Weiter nix? Denn alles was in Deinem Beitrag steht, ist technisch klingendes bla-bla, mit dem Du Dich um die Antwort drückst. Und Du redest von "Entwickler-Praxis" - und meinst, dass sich ein Transistor in einer bandgap-Referenzschaltung plötzlich physikalisch ganz anders verhält, als in einer Verstärkerstufe ("...völlig andere Baustelle") ? Au weia....
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Lutz V. schrieb: > Und Du redest von "Entwickler-Praxis" - und meinst, dass sich ein > Transistor in einer bandgap-Referenzschaltung plötzlich physikalisch > ganz anders verhält, als in einer Verstärkerstufe ("...völlig andere > Baustelle") ? Au weia.... @Lutz Hast du schon mal eine Transistorschaltung dimensioniert? Zeig doch mal deinen Rechenweg anhand einer einfachen Schaltung und rechne das statt mit Basisstrom mit U_BE.
Michael schrieb: > Ich kann Dir aber nicht sagen wo ich lande wenn ich 0,600V oder 0,590V > oder 0,610V anlege. Das hängt extrem vom Transistor, der > Produktionscharge und der Temperatur ab. Dieser exponentielle Zusammenhang ist aber, im Gegensatz zu der krummen Ic/Ib- Kennlinie, die du "linear" nennst, theoretisch perfekt begründet und über mindestens 6 Zenerpotenzen gültig.
Axel S. schrieb: > Stromverstärkungfaktor genannt und häufig mit B Ähhm, völlig nebensächlich, aber wieso sagt man heute statt B immer öfter hFE? ciao gustav
Karl B. schrieb: > wieso sagt man heute statt B immer öfter hFE? 's geht halt leichter von der Zunge… ;-)
T. B. schrieb: > Lutz V. schrieb: >> Und Du redest von "Entwickler-Praxis" - und meinst, dass sich ein >> Transistor in einer bandgap-Referenzschaltung plötzlich physikalisch >> ganz anders verhält, als in einer Verstärkerstufe ("...völlig andere >> Baustelle") ? Au weia.... > > @Lutz > Hast du schon mal eine Transistorschaltung dimensioniert? Zeig doch mal > deinen Rechenweg anhand einer einfachen Schaltung und rechne das statt > mit Basisstrom mit U_BE. Lies Dir noch mal meinen Beitrag durch vom 3.8.15:48. Reicht Dir das? Du wirst sehen, dass der fließende Basisstrom erst ganz zum Schluss berücksichtigt werden KANN (!). Wenn der Teilerstrom nämlich groß genug ist, dann kannst Du den Basisstrom vergessen - auch wegen seiner enormen Toleranzen. Das ist doch das Ziel der ganzen Maßnahme! Und warum funktioniert das? Weil man mit Re eine Gegenkopplung realisiert hat, die das erlaubt. Damit wird man nämlich sehr unempfindlich gegenüber der - zugegeben - relativ großen Unsicherheit von Ube (und es ist praktisch egal, ob man für Ube=0,65 oder Ube=0,7 V auslegt. Und diese Gegenkopplung über Re ist eine strom-gesteuerte Spannungs-Gegenkopplung. Das weiß eigentlich jeder Entwickler......oder?
Karl B. schrieb: > Axel S. schrieb: >> Stromverstärkungfaktor genannt und häufig mit B > > Ähhm, völlig nebensächlich, aber > wieso sagt man heute statt B immer öfter hFE? > > ciao > gustav Das kommt aus dem amerikanisch-englischen Sprachbereich. Es geht dabei um die Vierpol-Kleinsignalparameter. Bei uns heißen die: h11, h21 (=beta), h12 und h22. In datenblättern stattdessen oft: hie, hfe, hre, hoe (wobei "i" für input, "o" für output, und "f" für forward steht. Das "e" steht für Emitterschaltung.
Michael schrieb: > Ich kann Dir aber nicht sagen wo ich lande wenn ich 0,600V oder 0,590V > oder 0,610V anlege. Das hängt extrem vom Transistor, der > Produktionscharge und der Temperatur ab. > Und deswegen ist Deine Spannungsbetrachtung vollkommen sinnlos in der > realen Anwendung des bipolaren Transsistors. Sag mal Michael (mit "Entwicklerpraxis" wie Du behauptest) - ganz ehrlich: Hast Du schon mal was von Gegenkopplung gehört und warum man wohl davon Gebrauch macht? Hast Du denn noch nie gelernt, dass man gerade aus den von Dir angesprochenen Gründen (Unsicherheit 0,6 oder 0,61 Volt) bei jeder vernünftigen Dimensionierung immer gegenkoppelt? Das kann doch wohl nicht wahr sein.... Und Du fragst mich allen Ernstes , ob ich schon mal eine Transistorstufe dimensioniert habe?
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Hp M. schrieb u.a.: > Dieser exponentielle Zusammenhang ist aber, im Gegensatz zu der > krummen Ic/Ib- Kennlinie, die du "linear" nennst, theoretisch perfekt > begründet und über mindestens 6 Zenerpotenzen gültig. Klasse, das erleichtert das Rechnen in der Praxis ungemein, - allerdings reicht der 5€-Solar-Abakus aus dem Supermarkt dafür eventuell nicht aus... Und dass die Ic/Ib-Kennlinie nur näherungsweise linear ist, wurde mehrfach betont. Auch weiss ja jeder, dass die Betrachtung im Schaltbetrieb wieder noch anders sein muss. Transistorsteller, besonders für grosse Ströme, betreibt man dann gerne in sog. "Quasisättigung".
Uwe schrieb: > Hp M. schrieb u.a.: > > Auch weiss ja jeder, dass die Betrachtung im Schaltbetrieb > wieder noch anders sein muss. > Transistorsteller, besonders für grosse Ströme, betreibt man dann gerne > in sog. "Quasisättigung". Ja? Ist das so? Weiß das jeder? Ändert der Transistor also im Schaltbetrieb plötzlich sein Wirkungsprinzip? Vielleicht ein Fall für KI ? (Sorry, dass ich jetzt mal ironisch werden muss).
Lutz V. schrieb: > Lies Dir noch mal meinen Beitrag durch vom 3.8.15:48. > Reicht Dir das? Nein. Das ist ein Teil des Beitrags: Lutz V. schrieb: > Bau einen Spannungsteiler, durch den bei 12 Volt ungefähr 0,1mA fließen > und bei dem am unteren Widerstand etwa Ub=0,7+0,5=1,2 Volt abfallen. > Diese Basisspannung Ub wird direkt an die Basis (ohne Vorwiderstand) > angelegt. Also einen Spannungsteiler aus 108k und 12k. Der hat eine Ersatzsspannung wie gewünscht von 1.2V und einen Innenwiderstand von 10.8k. Damit ist das bei Weitem keine Spannungsquelle mehr! Und dann gibt es noch Schaltungen ohne Emitterwiderstand, auch welche mit Spannungsgegenkopplung (R zwischen C und B) und es gibt den Schaltbetrieb, wo man eher keinen Emitterwiderstand hat. In allen drei Fällen steuert man den Eingang (der Schaltung) mit einer mehr oder weniger guten Stromquelle an! Mit Emitterwiderstand, der für die Arbeitspunktfestlegung sehr hilfreich ist, kann man schon von einer Spannungssteuerung der Schaltung ausgehen. Allerdings ist das verursacht durch die Art der Beschaltung und eben nicht die Betrachtung des reinen Bauelements 'Transistor'.
Klaus H. schrieb: > Mit Emitterwiderstand, der für die Arbeitspunktfestlegung sehr hilfreich > ist, kann man schon von einer Spannungssteuerung der Schaltung ausgehen. Nur ist die Spannung, die Du als Steuerspannung ansiehst, hier nicht Ube, sondern Ub gegenüber Masse. Und das sieht dann natürlich schon ziemlich linear aus. Aber ja, der T ist natürlich spannungsgesteuert, aber das ist eher was für Akademiker, wenn die das auch für simpelste T-Schaltungen in der Praxis so anwenden wollen. Für Praktiker reicht es vollkommen aus, von irgendwas um die Ube=0,6V auszugehen. Dann ergibt sich der Rest durch simple lineare Algebra und ohmschen Beziehungen. Daß Ube einer solchen Stufe bei Ansteuerung dabei um paar µV mitgeht, und diese paar µV dann Ibe und Ice nichtlinear moduliert, ist doch vollkommen wurscht, und interessiert keinen, und ist ohnehin stark temperaturabhängig. Das wird erst bei Schaltungen interessant, wo es auf I=f(U) ankommt, bzw. bestimmte Charakteristiken erreichen will.
Klaus H. schrieb: > Und dann gibt es noch Schaltungen ohne Emitterwiderstand, auch welche > mit Spannungsgegenkopplung (R zwischen C und B) und es gibt den > Schaltbetrieb, wo man eher keinen Emitterwiderstand hat. In allen drei > Fällen steuert man den Eingang (der Schaltung) mit einer mehr oder > weniger guten Stromquelle an! Aber das ist doch etwas ganz anderes! Natürlich kann ich über einen - meinetwegen auch großen - Widerstand die Basis ansteuern. Dann gibt es eben einen Spannungsteiler aus nur diesem Widerstand und der Basis-Emitterstrecke. Aber deswegen regiert der Transistor doch weiterhin auf die B-E-Spanung. Der Transistor ändert doch nicht sein Wirkungsprinzip in Abhängigkeit von der äußeren Beschaltung. Wieviel Beweise braucht Ihr denn noch? Hast Du z.B. nie darüber nachgedacht, wieso man beim OPV (mit BJT-Eingang) mit der größten Selbstverständlich nur von Eingangsspannungen redet und damit rechnet (V+=V-) ? Den in die beiden Basen fließenden Strom kennt man nicht und braucht diesen auch nicht zu kennen (jedenfalls für eine ausreichend genauen Berechnung). Im Gegenteil: Dieser Strom wird als unerwünscht und als parasitär angesehen! Warum wohl? Vorschlag: Ab und zu mal nachdenken, kritisch nachfragen (und nichts blind akzeptieren ohne Nachweis oder Erklärung) und dann (hoffentlich) verstehen. Man kann in der Elektronik nämlich alle Effekte und Beobachtngen erklären und begründen. Sorry - das klang jetzt recht pädagogisch - muss aber in manchen Fällen sein.
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Lutz V. schrieb: > wie der Emitterwiderstand gegenkoppelnd/stabilisierend wirkt? Kein einzelner Transistor, dementsprechend Schaltungsprinzip, kein Bauteilprinzip. Nichts desto trotz, wenn be sperrt, fließt kein Strom durch den Emitterwiderstand. > wie der einfache Zwei-Transistor-Stromspiegel funktioniert? PNP: Wenn die eine Basis positiver als die andere ist, sperrt die andere pn-Junction und es fließt kein Basisstrom und folglich kein Kollektorstrom. > wieso es für die Spannungsverstärkung einer Transistorstufe völlig egal > ist, ob Du bei unveränderter Schaltung (gleicher Arbeitspunkt) mit > beta=100 oder beta=150 arbeitest? Das gilt nur, wenn die steuernde Quelle niederimpedant genug ist. Beta=30 oder Beta=300 wird bei zu hoher Quellimpedanz noch höhere Abweichungen ergeben. > Wieso man bemüht ist, den Basis-Teiler so niederohmig auszulegen, dass > man (fast) eine eingeprägte Spannung erzeugen kann, die vom fließenden > Basisstrom (und seinen Schwankungen/Toleranzen) nur unwesentlich > beeinflusst wird? Weil der Strom eben gerade nicht vernachlässigbar ist. > wieso in den Verstärkungsformeln die Steilheit auftaucht, die man über > die Steigung der Kennlinie Ic=f(Ube) erhält? Das kommt drauf an, welche Formel du nimmst. Ic=In*B reicht für ziemlich viele Anwendungen vollkommen aus und ist in der Praxis zu gebrauchen, f ist hingegen in der Praxis in 99% der Fälle völlig am Thema vorbei weil viel zu großen Toleranzen unterworfen. > was der bekannte Temperaturkoeffizient von -2mV/K aussagt? Da hätten wir dann eine dieser Toleranzen. Zusammengefasst: Jede deiner Fragen lässt sich mit genau einer Annahme ausreichend erschlagen: Bei Ube=~0,6V leitet die pn-Junction. Wie da was wo leitet, ist in deiner Welt ohne zig Modelle völlig undefiniert. Der Erfahrene nimmt B zur Hand und weiß was Sache ist. Hier ein schönes Beispiel: https://youtu.be/SftpGR_C48k
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Die Basis-Emitterstrecke ist im prinzip eine Diode und verhält sich auch so. Ab da wo die Diode leitend wird ändert sich die Spannung so gut wie nicht mehr, Aber der Strom kann sich in einen großen Bereich ändern, deshalb spricht man von Stromsteuerung. Etwas was sich so gut wie nicht mehr ändert kann man vernachlässigen um die Sache zu verstehen. siehe hier die grüne Kurve im Diagramm. https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201113.htm Anders bei einen FET oder Röhre, da fließt bei der Ansteuerung so gut wie kein Strom, deshalb kann man da den Strom vernachlässigen und spricht von Spannungssteuerung.
Lutz V. schrieb: > Aber das ist doch etwas ganz anderes! Ja, sag ich doch und das bemängle ich bei deiner Betrachtung. Wieder führst du den Stromspiegel oder den OPV als Beispiel heran: Lutz V. schrieb: > Hast Du z.B. nie darüber nachgedacht, wieso man beim OPV (mit > BJT-Eingang) mit der größten Selbstverständlich nur von > Eingangsspannungen redet und damit rechnet (V+=V-) ? Beides sind Schaltungen aus mehreren/vielen Transistoren mit entsprechendem Umfeld. Du beziehst dich nicht auf das Bauelement Transistor, sondern auf Schaltungen mit Transistoren. Lutz V. schrieb: > Vorschlag: Ab und zu mal nachdenken, Tue ich laufend. Und deshalb widerspreche ich dir auch.
Herrlich, nun haben wir schon über 50 Beiträge, die vollkommen am Thema des Threads vorbei gehen. Ich glaube ich verstehe langsam, was mit "Fachkräftemangel" gemeint ist. Laberköppe gibt es offenbar genug.
˙ɟ uɐɟǝʇs schrieb: > Herrlich, nun haben wir schon über 50 Beiträge, die vollkommen am > Thema > des Threads vorbei gehen. Ich glaube ich verstehe langsam, was mit > "Fachkräftemangel" gemeint ist. Laberköppe gibt es offenbar genug. Dann lies Dir doch bitte noch mal die Fragestellung des TO durch. Bereits in der Überschrift taucht das Wort "Verständnis" auf und sein letzter Satz lautet "Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen" ? Und vorher schreibt er "dass es eventuell daran liegen könnte, dass ein Transistor Stromgesteuert ist und ich dafür ein Mosfet nehmen soll." Du hast also nicht bemerkt, worum es dem TO geht - nämlich ums Transistor-Wirkungsprinzip? Du solltest wirklich etwas mehr nachdenken, bevor Du hier andere als "Laberköppe" bezeichnest. Ein eigener inhaltsreicher Beitrag wäre besser gewesen. (Ich weiß, dass ich hier gegen Windmühlenflügel "ankämpfe", wenn ich das Niveau dieses Forums kritisiere. Es ist erschreckend, dass es scheinbar nicht gelingt, manche Mitglieder durch eine Vielzahl an Argumenten auch nur zum Nachdenken anzuregen und zum kritischen Überdenken der eigenen Position. DAS hat vielleicht eher was mit dem oben angesprochenen "Fachkräftemagel" zu tun)
Lutz V. schrieb: > Bereits in der Überschrift taucht das Wort "Verständnis" auf und sein > letzter Satz lautet "Kann mir jemand Licht ins dunkle bringen" ? > Und vorher schreibt er "dass es eventuell daran liegen könnte, dass ein > Transistor Stromgesteuert ist und ich dafür ein Mosfet nehmen soll." Und genau für diese Fragestellung braucht man nichts von deinem theoretisierten Gefasel. ~0,6V stellt sich an Basis ein, Ic=Ib*b, für Sättigung braucht es mehr Basisstrom als man anhand von B erwarten würde. Mehr braucht es für die Beantwortung des Verständnisses nicht. Komischerweise kommt dabei nirgends was von spannungsgesteuert vor, weil das in der praktischen Anwendung kein Schwein interessiert. Dementsprechend: Lutz V. schrieb: > Es ist erschreckend, dass es scheinbar nicht gelingt, manche Mitglieder > durch eine Vielzahl an Argumenten auch nur zum Nachdenken anzuregen und > zum kritischen Überdenken der eigenen Position. DAS hat vielleicht eher > was mit dem oben angesprochenen "Fachkräftemagel" zu tun Den Schuh darfst du dir gerne anziehen. Deine Ausführungen haben für die Praxis exakt null Relevanz. Fachkräfte wissen das, Fachidioten wie du hingegen können garnicht anders, dafür fehlt ihnen der Bezug zur Praxis.
Lutz, frage doch bitte mal den TO, ob er sich für dein Thema interessiert. Und dann halten alle diesbezüglich die Finger still, bis er die Frage bejaht.
Also, ich habe damals in der Lehre gelernt: Fließt Strom in die Basis eines (npn) Transistors, fließt Strom von Kollektor nach Emitter. Bisher haben alle Schaltungen, die ich nach dieser Methode gebaut habe, funktioniert. Was dabei auf (Sub)Atomarer Ebene im Transistor vor sich geht, ist mir sowas von egal...
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Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >> Lutz V. schrieb: >>> Und Du redest von "Entwickler-Praxis" - und meinst, dass sich ein >>> Transistor in einer bandgap-Referenzschaltung plötzlich physikalisch >>> ganz anders verhält, als in einer Verstärkerstufe ("...völlig andere >>> Baustelle") ? Au weia.... >> >> @Lutz >> Hast du schon mal eine Transistorschaltung dimensioniert? Zeig doch mal >> deinen Rechenweg anhand einer einfachen Schaltung und rechne das statt >> mit Basisstrom mit U_BE. > > Lies Dir noch mal meinen Beitrag durch vom 3.8.15:48. > Reicht Dir das? > Du wirst sehen, dass der fließende Basisstrom erst ganz zum Schluss > berücksichtigt werden KANN (!). Wenn der Teilerstrom nämlich groß genug > ist, dann kannst Du den Basisstrom vergessen ... Nehmen wir mal ein konkretes Beispiel. Wenn ich diese Schaltung dimensioniere, dann nehme ich U_BE fix mit 0,65 V an, wähle R_E, lege V_OUT auf 1/2 VCC fest, berechne I_C und daraus dann I_B und wähle den Querstrom des Spannungsteilers an der Basis mindestens 10 mal größer als I_B. I_B brauche ich unbedingt, da ich ja darüber den Querstrom berechne. Da ich U_BE fest mit 0,65 V annehme, ist in meiner Rechnung der Transistor rein stromgesteuert. Das sich im realen Leben U_BE in Abhängigkeit von I_B ändert ist klar. Aber das spielt für die Rechnung und für die Schaltung keine Rolle. Wie würdest du das konkret berechnen, wenn du den Transistor als rein spannungsgesteuert durch U_BE betrachtest?
Brüno schrieb: > Fachkräfte wissen das, Fachidioten wie du > hingegen können garnicht anders, dafür fehlt ihnen der Bezug zur Praxis. Ja, genau DAS meinte ich, wenn ich hier vom Niveau sprach. Durch solche Zeitgenossen, die bloß pöbeln können ohne von Sachkenntnis getrübt zu sein, wird das Niveau hier runtergezogen und eine sachliche Diskussion erschwert bzw. unmöglich gemacht. OK - Ich resigniere. Hier wird jede ernsthafte Diskussion kaputt gemacht. Wieso ernsthaft? Weil in einigen Büchern (und Internetbeiträgen) der BJT als stromgesteuert, aber in vielen anderen (gerade auch in der US-Literatur) als spannungsgesteuert beschrieben wird. Jeder vernünftig und (selbst)-kritische Mensch sollte sich also jetzt fragen (wenn er denn genügend sich in der Literatur auskennt, um den Widerspruch überhaupt zu erkennen), was denn nun stimmt. In seriösen (englisch-sprachigen) Foren kann man dazu ernsthafte, faire und sachlich-kompetente Diskussionen ohne persönliche Angriffe finden. Hier geht das nicht - das musste ich lernen. Es gibt hier zu viele Sturköppe und einfach niveaulose Menschen, die meinen, hier genauso rumpöbeln können wie in den "asozialen Schwätzwerken". Da gehören diese eigentlich hin.
T. B. schrieb: >............ > Nehmen wir mal ein konkretes Beispiel. Wenn ich diese Schaltung > dimensioniere, dann nehme ich U_BE fix mit 0,65 V an, wähle R_E Wenn Du meine obige Antwort liest, erkennst Du vielleicht, warum ich jetzt keine Lust mehr habe, sachlich zu argumentieren (ich habe das ja nun in etlichen Beiträgen bereits getan - auch auf der Grundlage Deines Schaltungsbeispiels. Nur einen Satz dazu: Wählst Du wirklich R_E bevor Du den Koll.-Strom wählst - und danach "berechnest" Du erst den Koll.-Strom? Normalerweise wählt man aber doch erst den zur Aufgabe passenden Strom (bzw. die gewünschte Steilheit für eine vorgegebene Verstärkung) und erst danach die externen Element, die zu diesen Transistor-Parametern dann passen, oder?
Lutz V. schrieb: > Durch solche Zeitgenossen, die bloß pöbeln können ohne von Sachkenntnis > getrübt zu sein, wird das Niveau hier runtergezogen und eine sachliche > Diskussion erschwert bzw. unmöglich gemacht. > OK - Ich resigniere. Hier wird jede ernsthafte Diskussion kaputt > gemacht. Bezeichnend, dass du auf meinen vorherigen Kommentar garnicht eingegangen bist, und das obwohl er auf sämtliche deiner Fragen sachlich geantwortet hat. Noch bezeichnender, dass du auch hier nur die Rosine rausgepickt hast, die in deine Agenda "alle anderen sind inkompetent und werden immer gleich persönlich" passt, und die sachliche Antwort auf deine Frage ignorierst - man könnte fast meinen DU wärst der einzige hier, der nicht an einer sachlichen Diskussion interessiert wärst, sondern es dir ausschließlich um Selbstdarstellung geht. Das würde erstaunlich gut zum letzten Satz von Wiki passen: "Als Fachidiot (vor allem in Österreich auch Fachtrottel) wird ein Experte bezeichnet, der eine Problematik nur aus der Perspektive seines Fachgebietes kennt, allein aus seiner Sichtweise erfassen kann und nicht alle Möglichkeiten und Richtungen in Betracht zieht, die für die vollständige Verständlichkeit und Erfassbarkeit eines Gegenstandes, einer Sache oder Thematik erforderlich wären. Häufig tut sich der Fachidiot schwer, sich in andere hineinzuversetzen und seine eingeschränkte Perspektive zu ergänzen und zu erweitern. Weitere mögliche Betrachtungsweisen lehnt er infolge selektiver Wahrnehmung (Egoismus, Narzissmus) und daraus folgender Ignoranz ab (siehe Semmelweis-Reflex)."
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Hallo, Lutz V. schrieb: > Jeder vernünftig und (selbst)-kritische Mensch sollte sich also jetzt > fragen (wenn er denn genügend sich in der Literatur auskennt, um den > Widerspruch überhaupt zu erkennen), was denn nun stimmt. Natürlich ist der Transistor ein spannungsgesteuertes Bauteil. Ube "verursacht" Ib, Ic ist wiederum (ungefähr) proportional zu Ib, damit ist Ic abhängig von Ube. Aber wo ist jetzt für dich das Problem die Abhängigkeit von Ib von Ube aus pragmatischen Gründen außen vor zu lassen und anzunehmen das Ib "direkt" für Ic verantwortlich ? Du hast den Operationsverstärker ins Spiel gebracht. Da gibt es doch beim invertierenden Verstärker die Annahme der virtuellen Masse, die Berechnungen extrem stark vereinfacht und der Wirklichkeit sehr, sehr nahe kommt, ohne die Wirklichkeit exakt zu beschreiben. Lutz V. schrieb: > ...aber in vielen anderen (gerade auch in der US-Literatur) > als spannungsgesteuert beschrieben wird. Ich habe gerade mal in 'THE ART OF ELECTRONICS' nachgesehen wie da die Funktionsweise des Transistors erklärt wird. Und siehe da das erste Beispiel ist eine Stromverstärkerschaltung mit der Beziehung Ic = Ib * beta und der Einfluss von Ube wird zunächst nicht beachtet. Das ist für das erste Verständnis eben eine pragmatische Sichtweise, ohne die "Wirklichkeit" exakt abbilden zu wollen. rhf
Günter L. schrieb: > Anders bei einen FET oder Röhre, da fließt bei der Ansteuerung > so gut wie kein Strom, deshalb kann man da den Strom > vernachlässigen und spricht von Spannungssteuerung. Bzw. spricht man - insbesondere bei der (korrekten) Ansteuerung einer Röhre - von einer leistungslosen Ansteuerung, d.h. es fließt tatsächlich kein Gitterstrom, die Steuerung erfolgt ausschließlich über die Gitterspannung. Dies galt noch lange nach dem Aufkommen der bipolaren Transistoren als maßgeblicher Vorteil der Röhre, denn eine leistungslose Ansteuerung eines bipolaren Transistors gibt es aus Prinzip nicht. Günter L. schrieb: > Die Basis-Emitterstrecke ist im prinzip eine Diode > und verhält sich auch so. Ab da wo die Diode leitend > wird ändert sich die Spannung so gut wie nicht mehr, > Aber der Strom kann sich in einen großen Bereich ändern, > deshalb spricht man von Stromsteuerung.
Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >>............ >> Nehmen wir mal ein konkretes Beispiel. Wenn ich diese Schaltung >> dimensioniere, dann nehme ich U_BE fix mit 0,65 V an, wähle R_E > > Wenn Du meine obige Antwort liest, erkennst Du vielleicht, warum ich > jetzt keine Lust mehr habe, sachlich zu argumentieren (ich habe das ja > nun in etlichen Beiträgen bereits getan - auch auf der Grundlage Deines > Schaltungsbeispiels. Meine Frage ist sachlich und ich will nicht mit dir diskutieren. Ich würde nur gern aus Interesse konkret einen Rechenweg sehen, wo der Bipolartransistor als spannungsgesteuert angenommen wird.
Lutz V. schrieb: > Nur einen Satz dazu: Wählst Du wirklich R_E bevor Du den Koll.-Strom > wählst - und danach "berechnest" Du erst den Koll.-Strom? > Normalerweise wählt man aber doch erst den zur Aufgabe passenden Strom > (bzw. die gewünschte Steilheit für eine vorgegebene Verstärkung) und > erst danach die externen Element, die zu diesen Transistor-Parametern > dann passen, oder? Ich verstehe deine Frage so, das du die Verstärkung der Schaltung über den Kollektorstrom des Transistors einstellen willst. Das funktioniert so nicht, da die Verstärkung der Transistoren von Exemplar zu Exemplar schwankt. (z.B. BC548B hFE=200..450)
T. B. schrieb: > Meine Frage ist sachlich und ich will nicht mit dir diskutieren. > Ich würde nur gern aus Interesse konkret einen Rechenweg sehen, wo der > Bipolartransistor als spannungsgesteuert angenommen wird. Genau das hab ich - allerdings nicht mit Zahlen - doch schon getan (am 3.8. 15:48). Wo hab ich Spannungssteuerung angenommen? Ist das denn immer noch nicht klar geworden? Hab ich doch oft genug erwähnt, OK - weil Du sachlich argumentierst, wiederhole ich es noch mal: * Spannungsteiler an der Basis so niederohmig wie erlaubt unter der Einschränkung von Leisungsverbrauch und Gesamt-Eingangswiderstand. * Re-Gegenkopplung ist ein sicheres Zeichen für Spannungssteuerung. Warum? Weil es ein unumstößliches Gesetz ist (Gegenkopplungstheorie), dass der Gesamt-Eingangswiderstand dann und nur dann hoch geht durch die GK, wenn eine SPANNUNG als Rückkopplungssignal existiert. Und - wird dieser Eing.Widerstand duch Re größer? * Und was ist der Hauptgrund für diese GK? Der Temperaturgang der Spannung Ube mit (ausführlich geschrieben): d(Ube)/dT=(1,7...2)mV/K bei Ic=const. In Worten: Wenn durch erhöhte Temperatur der Strom Ic steigt, muss man extern die Spannung Ube verringern, damit Ic (möglichst) auf den alten Wert kommt. Und genau DAS macht Re !!
T. B. schrieb: > Ich verstehe deine Frage so, das du die Verstärkung der Schaltung über > den Kollektorstrom des Transistors einstellen willst. Das funktioniert > so nicht, da die Verstärkung der Transistoren von Exemplar zu Exemplar > schwankt. (z.B. BC548B hFE=200..450) Ich sprach von der SPANNUNGSVERSTÄRKUNG Vu=-gRc/(1+gRE) mit der Steilheit g=d(Ic)/d(Ube). Dieser doch hoffentlich bekannten Beziehung kann man entnehmen, dass die Steilheit g durch Ic festgelegt wird. Durch Differenzieren der e-Funktion Ic=f(Ube) erhält man den für die praktische Dimensionierung extrem wichtigen Ausdruck: Ic=g*Ut (Ut etwa 26mV)
Roland F. schrieb: > Ich habe gerade mal in 'THE ART OF ELECTRONICS' nachgesehen wie da die > Funktionsweise des Transistors erklärt wird. Und siehe da das erste > Beispiel ist eine Stromverstärkerschaltung mit der Beziehung Ic = Ib * > beta und der Einfluss von Ube wird zunächst nicht beachtet. Das ist für > das erste Verständnis eben eine pragmatische Sichtweise, ohne die > "Wirklichkeit" exakt abbilden zu wollen. OK - auch auf diese sachliche Frage will ich gerne antworten. Stimmt - diese vereinfachte Aussage steht unglücklichwerweise am Anfang der Transistor-Beschreibung, die später dann allerdings korrigiert wird: "For transistors it is important to realize that the collector current is accurately determined by the base-emitter voltage, rather than by the base current" (2nd edition, 1989, Seite 80 unten). Zusatz: Der Co-Author W. Hill ist einer der bekanntesten US-Entwickler.
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Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: > Genau das hab ich - allerdings nicht mit Zahlen - doch schon getan (am > 3.8. 15:48)... Natürlich hasst du Recht, dass es in der Schaltung eine Spannungsgegenkopplung gibt und bedingt durch die BE-Diode hat die BE-Spannung einen Einfluss auf den Basis- und Kollektorstrom. Aber ist es sinnvoll deshalb den Bipolartransistor im Modell als spannungsgesteuert zu betrachten? Für die Berechnungen werden einfache Modelle und Näherungen benötigt. In guter Näherung kann man U_BE als konstant und den Transistor als rein stromgesteuert annehmen. Und das ist das wichtige. Deine Annahme ist physikalisch genauso falsch wie diese. Aber diese hier hat den Vorteil, dass man damit gut rechnen kann. Es ist aber auch klar, dass es nur ein Modell ist, das seine Grenzen hat.
Lutz V. schrieb: > Ich sprach von der SPANNUNGSVERSTÄRKUNG Vu=-gRc/(1+gRE) mit der > Steilheit g=d(Ic)/d(Ube). Dieser doch hoffentlich bekannten Beziehung > kann man entnehmen, dass die Steilheit g durch Ic festgelegt wird. Na, dieser bekannten Beziehung kann man nur entnehmen, dass die Steilheit extremen Bauteil-, Temperatur- und vor allem Arbeitspunkttoleranzen unterliegt. Wenn man sich nicht ausschließlich für Konstantstromquellen oder den Kleinstsignalbereich interessiert, ist die Steilheit komplett nutzlos, weil in keinster Weise konstant. Das gilt für B nicht. > Durch Differenzieren der e-Funktion Ic=f(Ube) erhält man den für die > praktische Dimensionierung extrem wichtigen Ausdruck: Ic=g*Ut (Ut etwa > 26mV) Nö, für die praktische Dimensionierung braucht man diesen Ausdruck nur sehr selten, und selbst wenn, dann mit B statt mit g. Nochmal: https://youtu.be/SftpGR_C48k
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Brüno schrieb: ............... > Natürlich hasst du Recht, dass es in der Schaltung eine > Spannungsgegenkopplung gibt und bedingt durch die BE-Diode hat die > BE-Spannung einen Einfluss auf den Basis- und Kollektorstrom. Aber ist > es sinnvoll deshalb den Bipolartransistor im Modell als > spannungsgesteuert zu betrachten? ...."einen Einfluss" - ja, was meinst Du denn damit? Bei fester Basisspannung (durch den ausreichend niedrig-ohmigen Basisteiler) wird die Spannung über Re durch Ie-Verggößerung auch größer und reduziert Ube=Ub-Ue entsprechend. Was willst Du denn noch, um zu verstehen, dass das Ding nicht nur so "betrachtet" wird, sondern wirklich so funktioniert! Ich weiß jetzt nicht, wie tief Du mit der Gegenkopplungstheorie vertraut bist - da gibts keine Diskussion mehr: Diese Gegenkopplung basiert eindeutig und ausschließlich auf einem spannungsgesteuerten Aktiv-Element. Was glaubst Du denn, warum die Gegenkopplungsformeln und die Ausdrücke für die Spannungs-Verstärkung für den BJT genauso lauten wie für den FET und die Röhre ! Der wichtigste - für alle drei Aktivelemente gemeinsame - Parameter ist die Steilheit (Steigung der Spannungs-Steuerkennlinie) - auch wenn ein Schlaumeier hier meint " "für die praktische Dimensionierung braucht man diesen Ausdruck so gut wie nirgends." Ungaublich, dass so jemand hier meint, mitreden zu können. > Für die Berechnungen werden einfache Modelle und Näherungen benötigt. In > guter Näherung kann man U_BE als konstant und den Transistor als rein > stromgesteuert annehmen. Und das ist das wichtige. Bitte, verwechsle hier nicht Kleinsignalmodelle (die ich auch alle drei kenne) mit der Frage, die wir hier diskutieren: Physikalisch korrekte Beschreibung des Funktionsprinzips, so wie es (ich habs schon erwähnt) in allen Simulationsprogrammen drin ist (e-Funktion nach Shockley). Diese Kleinsignal-Modelle gelten doch nur in einem ganz bestimmten Arbeitspunkt. Hast Du mal nachgesehen, wie die Spice-Modelle aussehen? Wie exact das Großsignalverhalten und viele Dreckeffekte nachgebildet sind? Viele hier haben wohl ein Problem, zwischen gewissen vereinfachenden Modellvorstellungen und der Transistorphysik zu unterscheiden. Das ist ja auch kein Problem - man kann darüber ja diskutieren, aber was ich hier stellenweise (zum Glück nicht bei allen) an Polemik, Dummheit und Aggressivität erlebe, ist erschütternd und disqualifiziert diejenigen.
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Lutz V. schrieb: > Ich weiß jetzt nicht, wie tief Du mit der Gegenkopplungstheorie vertraut > bist - da gibts keine Diskussion mehr: Diese Gegenkopplung basiert > eindeutig und ausschließlich auf einem spannungsgesteuerten > Aktiv-Element. 1. Was du da zitierst, entsprang entgegen deiner Darstellung nicht meiner Feder. 2. Der Bipolartransistor wird erst durch das Einfügen des Emitterwiderstands zu einem sinnvoll nutzbaren, spannungsgesteuerten Schaltungsteil. 3. Der Schlaumeier hat als Referenz nun schon zwei mal ein Video verlinkt wo ein kompletter Bipolar-OPV durchgerechnet wird, und das ohne ein einziges Mal die Steilheit zu bemühen. 4. "aber was ich hier stellenweise (zum Glück nicht bei allen) an Polemik, Dummheit und Aggressivität erlebe, ist erschütternd und disqualifiziert diejenigen." - also dich, hätten wir das auch geklärt.
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Brüno schrieb: > 4. "aber was ich hier stellenweise (zum Glück nicht bei allen) an > Polemik, Dummheit und Aggressivität erlebe, ist erschütternd und > disqualifiziert diejenigen." - also dich, hätten wir das auch geklärt. War doch schon lange geklärt.
Brüno schrieb: > 3. Der Schlaumeier hat als Referenz nun schon zwei mal ein Video > verlinkt wo ein kompletter Bipolar-OPV durchgerechnet wird, und das ohne > ein einziges Mal die Steilheit zu bemühen. Sorry, dass ich langsam ungeduldig und auch polemisch werde, aber langsam reichts! Wenn man keine Ahnung hat und die englischen Fachbegriffe nicht versteht, dann sollte man doch bitte sich hier nicht mit solchen falschen Behauptungen zu Wort melden. Nach etwa 5:30 Min im letzten Video wird die Steilheit gm (dschi-em ausgesprochen) erwähnt und berechnet und für alle weiteren Dinge benutzt.
Lutz V. schrieb: > ... Sieh es mal so. Wenn du an der Basis eines Transistors eine Spannungsquelle anschließt, dann ist er spannungsgesteuert. Schließt du eine Stromquelle an, dann ist er stromgesteuert. Der Zusammenhang I_C(U_BE) ist sehr nichtlinear, der nützt uns nicht viel. I_C(I_B) ist dagegen in Teilen ziemlich linear und das ist das was wir meistens wollen und bei der Berechnung verwenden. Deshalb bezeichnet man den Bipolartransistor als stromgesteuert. Und auch physikalisch gesehen reicht beim Bipolartransistor im Gegensatz zum FET die U_BE Spannung nicht aus, um ihn leitend zu machen. Du brauchst die Elektronen, d.h. den Strom. Da du reale Stromquellen auch als Spannungsquellen mit hohem Innenwiderstand betrachten kannst und Spannungsquellen als Stromquellen siehst du, das spannungsgesteuert oder stromgesteuert im Auge des Betrachters liegen. Beim Bipolartransistor ist es eben sinnvoller ihn als stromgesteuert zu betrachten. Wenn du ihn als spannungsgesteuert betrachten willst, dann stehst du damit ziemlich alleine da. PS: Der Schlaumeier hat recht. In der Praxis interessiert die Steilheit nicht wirklich, da die Schaltung so zu dimensionieren ist, dass sie in gewissen Grenzen unabhängig von den Parametern des Transistors funktioniert. Es kommt nur darauf an, dass sie für die Anwendung ausreichend groß ist. PPS: zeig mir mal bitte, wie du die Emitterschaltung dimensionierst, indem du den Transistor als spannungsgesteuert annimmst.
T. B. schrieb: > Wenn du ihn als spannungsgesteuert betrachten willst, dann stehst du > damit ziemlich alleine da. Na mindestens Tietze-Schenk und Horowitz-Hill (Art of Electronics) sind bei mir. Das sind schon mal zwei Schwergewichte. Warum ignorierst Du sowas? Das macht Dich nicht gerade glaubwürdig und überzeugend.
Lutz V. schrieb: > Na mindestens Tietze-Schenk und Horowitz-Hill (Art of Electronics) sind > bei mir. Sigmund Freud auch.
Für alle, die auch weiterhin an technischen Dingen interessiert sind, hier in Kurzform der Entwurf einer Verstärkerstufe mit Vorgabe Vu=-200. Das ist ja wohl in der Praxis der Normalfall, dass die zu realisierende Verstärkung vorgegeben wird. 1) Vu=-200=-gRc mit g=Ic/Ut (Steilheitsformel). 2) Also: IcRc/Ut=200 und IcRc=200*25mV=5V. 3) Jetzt hat man die Wahl: Ic=1mV (0,5mV) mit Rc=5k (10k) oder irgendeine andere Kombination. 4) Wahl: Ic=1mA mit Rc=5k (passt gut zur Versorgung mit Uo=10 0der 12V) 5) Wahl: Re=(0,1...0,2)Rc ; hier: Re=500 Ohm (muss wegen der vorgegeben Verstärkung überbrücjt werden mit C) 6) Also Ue=IcRe=0,5V (Annahme Ie=Ic, sonst eben mit Ie=Ic+Ib) 7) Realisiere Basis-Spannungsteiler mit Ub=0,7+0,5=1,2 Volt. 8) Dabei kann man - wenn man B kennt (!!) - Ib mit berücksichtigen. ___________________________________ Frage: Hat einer derjenigen, der in Abrede stellt, dass man mit der Steilheit g (also mit Spannungssteuerung) beim Entwurf rechnet, den Mut, mir zu zeigen, wie man mit den gleichen Ausgangsdaten (Vorgabe der Verstärkung Vu) und OHNE g so einen Entwurf macht? Ich bin gespannt. Bitte nicht so viel Gerede und bla-bla, sondern Rechnung!
Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >> Wenn du ihn als spannungsgesteuert betrachten willst, dann stehst du >> damit ziemlich alleine da. > > Na mindestens Tietze-Schenk und Horowitz-Hill (Art of Electronics) sind > bei mir. Das sind schon mal zwei Schwergewichte. > Warum ignorierst Du sowas? Das macht Dich nicht gerade glaubwürdig und > überzeugend. Lies dir im Tietze/Schenk Kapitel 2.1.2 durch und interpretiere das richtig. Und dein Zitat aus TAOE sagt nicht das aus, was du hineininterpretierst. Würdest du mir jetzt bitte die Dimensionierung der Schaltung auf deine Weise vorrechnen?
Man verzeihe mir den Tippfehler beim Strom (Schritt 3), der natürlich in mA anzugeben ist. Eine Korrektur war leider nicht mehr möglich.
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Lutz V. schrieb: > 7) Realisiere Basis-Spannungsteiler mit Ub=0,7+0,5=1,2 Volt. Woher hast du die 0,7 V?
T. B. schrieb: > Lutz V. schrieb: >> 7) Realisiere Basis-Spannungsteiler mit Ub=0,7+0,5=1,2 Volt. > > Woher hast du die 0,7 V? Wären Dir 0,75 Volt lieber? Kannst Du auch nehmen - wenn Du noch unabhängiger von dieser unvermeidbaren Unsicherheit sein möchtest, musst Du mehr gegenkoppeln. T. B. schrieb: > Lies dir im Tietze/Schenk Kapitel 2.1.2 durch und interpretiere das > richtig. Und dein Zitat aus TAOE sagt nicht das aus, was du > hineininterpretierst. Das Zitat aus AoE spricht ja wohl für sich - wo hab ich da was rein-interpretiert? Soll ich es wiederholen? Bitte sehr: "For transistors it is important to realize that the collector current is accurately determined by the base-emitter voltage, rather than by the base current" (2nd edition, 1989, Seite 80 unten). Das nur zur Klarstellung - oder muss ich das übersetzen? Jetzt warte ich mal auf Deinen Entwurf. Vielleicht auch andere Forums-Mitglieder.
Lutz V. schrieb: > Für alle, die auch weiterhin an technischen Dingen interessiert sind, > hier in Kurzform der Entwurf einer Verstärkerstufe mit Vorgabe Vu=-200. 1. Du hast keine Verstärkung von -200 mit deiner Dimensionierung. 2. Wie groß machst du die Widerstände des Basisspannungsteilers, wenn du I_B nicht kennst?
Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >> Lutz V. schrieb: >>> 7) Realisiere Basis-Spannungsteiler mit Ub=0,7+0,5=1,2 Volt. >> >> Woher hast du die 0,7 V? > > Wären Dir 0,75 Volt lieber? Nochmal die Frage, woher hast du die Spannung? Aus dem Datenblatt für I_C = 1mA? Oder als feste U_BE angenommen?
T. B. schrieb: > > Nochmal die Frage, woher hast du die Spannung? Aus dem Datenblatt für > I_C = 1mA? Oder als feste U_BE angenommen? Wenn man nichts besseres weiß, nimmt man sowas im Bereich von 0,7V immer an - jedenfalls für linearen A-Verstärker-Betrieb. Bei B-Betrieb natürlich weniger. Datenblatt bringt doch nichts - die Angaben für Ube sind genauso unsicher wie der Wert von B. Dann kann man auch gleich was annehmen und anständig gegenkoppeln. Das ist gängige Praxis. Datenblatt braucht man nur für Grenzwerte, nicht für Arbeitspunkt-Daten. Aber das ist alles typisches Entwickler-know how.
T. B. schrieb: > > 1. Du hast keine Verstärkung von -200 mit deiner Dimensionierung. > > 2. Wie groß machst du die Widerstände des Basisspannungsteilers, wenn du > I_B nicht kennst? Sag mal, jetzt muss ich doch mal nachfragen: Welche Kenntnisse hast Du eigentlich? Das ist jetzt von mir gar nicht bösartig gemeint. Aber da Du mir ständig so vehement widersprochen hast, nahm ich an, dass Du wenigstens einen Spannungsteiler und die zugehörige Transistorstufe irgendwie behandeln kannst. Was soll Deine unsinnige Aussage, dass die Verstärkung nicht stimmen sollte? Wenn Du sowas nicht begründen kannst, dann lass so was sein - in deinem eigenen Interesse. Du machst Dich lächerlich. Wo bleibt also Deine Rechnung? Oder von irgend jemandem aus der Stromsteuer-Fraktion? Oder alles nur Schaumschlägerei, die das Unwissen überdecken sollte? Bitte - jetzt mal "Butter bei die Fische"!
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spannungs- oder stromgesteuert ? die spannungsteuerung scheint ja plausibel, dann bis zu dem punkt der transistor richtig durchsteuert, spannungsmäßig richtig eingestellt ist, kann man dann bei beibehaltung der spannungswerte, einfach den basisstrom und damit verknüpft kollektorstrom variieren ? daß also der basistrom von der spannung/dem widerstand entkoppelt ist. strom getrennt von der spannung zu betrachten, scheint unmöglich, supraleitung ? nun ja, ich kann hier nicht mitreden, zü dümm. bislang geholfen, und nicht noch mehr verwirrung gestiftet haben : https://www.radartutorial.eu/21.semiconductors/!hl03.de.html, auch die druckversion (25mb) https://www.radartutorial.eu/druck/Halbleiter.pdf (ich habe es noch nicht alles gelesen) und die en-wikipediaseite, die auch die energieniveaus des p-n-übergangs beschreibt https://en.wikipedia.org/wiki/P%E2%80%93n_diode . auch der mikrokontroller artikel zum transistor ist nicht erschlagend, aber auch etwas hilfreich, ich habe schon selbst überlegt etwas dazu zu schreiben , ohne praxis-erfahrung. was ich am transistor nicht verstehe, ist : 1.)warum es so wichtig für die funktion sei an welcher stelle der lastwiderstand angebracht sein soll ? (bei emitter- und kollektorschaltung für stromschaltanwendung an/aus.) soweit ich verstehe gibt es durch die widerstände der spannungs/stromquelle - last - emitter-kollektor - last - ground - strecke ja nach schaltzustand unterschiedliche spannungs-(ab-)fälle, die das funktionsverhalten des transistors beeinflussen könnten, so vermute ich. es wird zwar manchmal gesagt für schaltanwendung nähme man die kollektorschaltung, vom praktiker wird aber anscheinend die emitterschaltung genommen, wohl aus erfahrung. 2.) die verwendung von pnp oder npn transistoren je nach fall. ich habe zwar von minoritäts- und majoritäts-trägern schon gehört, allerdings ist mein verständnis, daß + nach - , + nach gnd , gnd nach - , ein und dasselbe seien, und deshalb die leistungsfähigeren und schnelleren npn immer angewandt werden können müßten. ich finde es gut daß lutz bei den fakten bleibt und schäbig (doppelminus) wie und wozu manche leute die sprache verwenden.
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Lutz V. schrieb: > Das Zitat aus AoE spricht ja wohl für sich - wo hab ich da was > rein-interpretiert? Soll ich es wiederholen? Bitte sehr: > "For transistors it is important to realize that the collector current > is accurately determined by the base-emitter voltage, rather than by the > base current" (2nd edition, 1989, Seite 80 unten). > Das nur zur Klarstellung - oder muss ich das übersetzen? Ich erinnere mich dass es an dieser Stelle im Buch darum ging, dass Beta eben stark Kollektorstrom-abhängig ist. Daher kann man nicht linear von einem bekannten Basisstrom extrapolieren, bspw. doppelter Basisstrom ergebe doppelten Kollektorstrom. Hingegen ist die Vorhersage/Interpolation mittels der Spannung über die Basis-Emitter Diode weitaus genauer. Irgendwas mit der Ebers-Moll-Gleichung. Ist hier erklärt: https://forum.allaboutcircuits.com/threads/how-accurately-does-vbe-determine-collector-current.120047/#post-957888 Horowitz sagt also nicht, dass Transistoren spannungsgesteuert seien, lediglich dass sich mit der Spannung gut rechnen lässt. Der Windmühlenkampf ob nun der Strom oder die Spannung Schuld an des Transistors Funktion hat ist in grossen Teilen irrelevant und überlässt Du daher lieber den theoretischen Physikern.
Beitrag #7471034 wurde vom Autor gelöscht.
Lutz V. schrieb: > Nach etwa 5:30 Min im letzten Video wird die Steilheit gm (dschi-em > ausgesprochen) erwähnt und berechnet und für alle weiteren Dinge > benutzt. Dass die Steilheit an zwei Stellen mal aufpoppt, ändert nichts an der Tatsache, dass nur zwei bekannte Dinge über die Transistoren bemüht werden, nämlich beta und Va. Für gm wird einfach als grober Richtwert Ic/25mV angesetzt. Für alle anderen Überlegungen im Video wird beta bemüht.
T. B. schrieb: > Ich würde nur gern aus Interesse konkret einen Rechenweg sehen, wo der > Bipolartransistor als spannungsgesteuert angenommen wird. Ich auch! :-) Noch wer?
Anfangs habe ich hier auch fürchterlich viel auf die Fresse bekommen. Sicher, der Ton ist manchmal zu heftig hier, aber man lernt auch (bevor man sich wieder einen abholt) dadurch seine eigenen Fragen und vor allem Behauptungen noch einmal zu überdenken. Trotz des Tones, der hier manchmal die Grenzen überschreitet, habe ich hier viel gelernt. Ein simples Beispiel: Irgendwann wurde einmal geschrieben, dass deine Schaltung durch die Sicherung nicht unbedingt geschützt wird. Da habe ich mich hingesetzt und ein halbes Kilo Sicherungen abbrennen lassen, um das zu widerlegen. Aber klar war mir danach, die Behauptung war richtig. Ich weiß nicht mehr wie hoch ich den Strom ziehen konnte, wenn er langsam anstieg, aber es war mehr als doppelt so hoch, ohne dass die Sicherungen durchbrannten. Nur habe ich meine Klappe da nicht mehr vorher aufgerissen und statt dessen das ausprobiert. Natürlich gibt es hier auch Schwätzer. Und ich weiß, nach vielen Jahren habe ich noch immer keine wirkliche Ahnung, aber hier gibt es so tolle Fachleute, mit einem so gewaltigen Wissen in der Elektronik, dass jede Pauschalierung über den Umgang und das Forum genau diese Leute mit abqualifiziert. Und das ist definitiv nicht richtig.
Guten Morgen, jetzt muss ich aber doch mal Klartext reden: Was seid Ihr doch für traurige selbsternannte Design-Experten (wie z.B. H.H, T.B. Brüno, Michael, J.T...) - jedenfalls diejenigen, die mir nicht nur widersprochen, sondern rumgepöbelt und große Sprüche losgelassen haben. Alles heiße Luft..... Jetzt, wo ich Euch - nach meiner Beispielrechnung - mal aufgefordert habe, das unter Beweis zu stellen, was Ihr mit großer Überheblichkeit so alles behauptet habt (Schaltungsentwurf in der Praxis natürlich immer über Stromsteuerung), ist plötzlich Ruhe im Forum. Bisher hat niemand mir gezeigt, wie man eine simple Transistorstufe mit den von Euch proklamierten Methoden der Stromsteuerung (und ohne Nutzung der Steilheit) entwerfen kann, wenn praxis-relevante Vorgaben zu erfüllen sind: Werte für die Betriebsspannung und die Spannungsverstärkung. Dummheit ist nicht gleich Unwissen, es ist aber ein deutliches Zeichen von Dummheit, wenn man nicht in der Lage ist, zuzugeben dass man gewisse Lücken hat - also nichts dazu lernen will, aber stattdessen nicht lernbegierig schweigt, sondern große Töne spuckt und meint, seine vermeintliche Überlegenheit durch Polemik und persönliche Angriffe überspielen zu können. Wer etwas Menschenkenntnis hat, der weiß, was wirklich dahintersteckt. Auch das ist dann wohl ein Zeichen für die Bildungs-Misere in Deutschland. PS: Ich bin dann mal für 2 Wochen weg....vielleicht finde ich danach ja ein aussagekräftiges Entwurfs-Beispiel von einem Fachmann hier....
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Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >> >> Nochmal die Frage, woher hast du die Spannung? Aus dem Datenblatt für >> I_C = 1mA? Oder als feste U_BE angenommen? > Wenn man nichts besseres weiß, nimmt man sowas im Bereich von 0,7V > immer an - jedenfalls für linearen A-Verstärker-Betrieb. Bei B-Betrieb > natürlich weniger. > > Datenblatt bringt doch nichts - die Angaben für Ube sind genauso > unsicher wie der Wert von B. Dann kann man auch gleich was annehmen und > anständig gegenkoppeln. Das ist gängige Praxis. Datenblatt braucht man > nur für Grenzwerte, nicht für Arbeitspunkt-Daten. Aber das ist alles > typisches Entwickler-know how. Und genau das ist der Punkt. Du nimmst U_BE als konstant an. (0,65 V sind allerdings für einen Kleinsignaltransistor in dieser Anwendung realistischer.) Für die Berechnung des Basisspannungsteilers brauchst du aber I_B, den du aus I_C berechnen kannst. Du willst nämlich die Widerstände so groß wie möglich machen, um einen hohen Eingangswiderstand zu erreichen. In deiner Rechnung ist U_BE = const und I_C=f(I_B). D.h. er ist für dich in diesem einfachen Modell nur stromgesteuert.
Lutz V. schrieb: > T. B. schrieb: >> >> 1. Du hast keine Verstärkung von -200 mit deiner Dimensionierung. >> >> 2. Wie groß machst du die Widerstände des Basisspannungsteilers, wenn du >> I_B nicht kennst? > > ... > > Was soll Deine unsinnige Aussage, dass die Verstärkung nicht stimmen > sollte? siehe Tietze/Schenk 2.4.1
Lutz V. schrieb: > Dummheit ist nicht gleich Unwissen, es ist aber ein deutliches Zeichen > von Dummheit, wenn man nicht in der Lage ist, zuzugeben dass man gewisse > Lücken hat Und schon wieder etwas, was 1:1 auf dich passt, denn deine Rechnung ist in der Realität reines Glücksspiel. Kein vernünftiger Mensch kommt auf die Idee eine einfache Emitterschaltung mit C über dem gesamten Emitterwiderstand zusammenzustöpseln. Warum macht man das nicht? Weil die Verstärkung dann höchst nichtlinear ist und dazu noch extremst exemplarabhängig. Der nicht dumme Wissende legt deshalb den Kondensator maximal über einen Teil von Re und nimmt die altbekannte Formel V=-Rc/Re, wobei letzterer der Teil ohne C parallel ist. Das ganze geht dann ganz ohne die Steilheit, und da ist jeder Praktiker froh drüber, weil spätestens durch den Early-Effekt ist dein Rechenweg reines Glücksspiel. Der Early-Effekt versaut dir übrigens auch deine Behauptung mit spannungsgesteuert.
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H. H. schrieb: > Hoffentlich in Behandlung. In diesem Fall hat Herr Hinz sogar Recht. Bis auf ein paar versehentlichen Aussetzer hat Herr Hinz eigentlich immer Recht. Lutz V. schrieb: > Bisher hat niemand mir gezeigt, wie man eine simple Transistorstufe mit > den von Euch proklamierten Methoden der Stromsteuerung (und ohne Nutzung > der Steilheit) entwerfen kann Natürlich kann man eine Transistorstufe ohne den ganzen Firlefanz berechnen. Die Verstärkung wird einfach grob aus dem Verhältnis von RL zu RE berechnet: RL = 3k9 RE = 1k Daraus ergibt sich eine Verstärkung von v = 3,9 Wird RE aus einer Kombination von C2 und einem zusätzlich in Serie liegenden Widerstand (zB 1k) gebildet, dann ergibt sich natürlich für RE ein Gesamtwiderstand von 500R und somit eine Verstärkung von 7,8. Diese grobe Berechnung funktioniert nur solange C2 nicht direkt parallel zum RE geschaltet ist. Liegt C2 direkt an RE wäre die Verstärkung theoretisch unendlich. In der Praxis ist das natürlich nicht der Fall, aber da liegt dann eben auch die Grenze des vereinfachten Entwurfs.
˙ɟ uɐɟǝʇs schrieb: > 100 Beiträge off-topic, der Partycrasher hatte volle Erfolg. Die Überschrift ist "Verständnisfrage Transistor" und vielleicht hats für Lutz etwas zum Verständnis des Transistors beigetragen.
Wenn ich auf meine Frage solche Antworten bekommen hätte, würde ich nie wieder einen Transistor anfassen.
Selbstverständlich ist die Spannung primär und der Strom sekundär. Die elektrische Spannung, das elektrische Feld ist hier die treibende Kraft für die Ladungsträger. Der Kollektorstrom fließt, weil die beiden Spannungen vorhanden sind, und nicht weil der Basisstrom fließt. Nur ist die BE-Spannung ein sehr unpraktisches Ding. Übrigens, bei der LED ist die Situation ziemlich ähnlich.
Georg M. schrieb: > Selbstverständlich ist die Spannung primär und der Strom sekundär. > Die elektrische Spannung, das elektrische Feld ist hier die treibende > Kraft für die Ladungsträger. Das ist schon allen klar. Mit diesem Argument bräuchten wir aber auch nicht von Stromquellen reden denn das sind ja alles nur Spannungsquellen mit hohem Innenwiderstand.
T. B. schrieb vorstehend: > ... und vielleicht hats > für Lutz etwas zum Verständnis des Transistors beigetragen. Ja, gut möglich: Lutz V. schrieb nämlich um 20.20h u.a.:: >> Woher hast du die 0,7 V? (Basis-Emitterspannung war gemeint.) > Wären Dir 0,75 Volt lieber? Kannst Du auch nehmen - wenn Du noch > unabhängiger von dieser unvermeidbaren Unsicherheit sein möchtest, musst > Du mehr gegenkoppeln. Gegenkoppeln: DAS ist der Punkt. Hat man die, verhält sich die Schaltung natürlich anders, als ein nackter Transistor. Das ist ja der Sinn der Sache! Solch eine Gegenkopplung (hier via Emitterwiderstand) sorgt dafür, dass sich die gesamte Schaltung spannungsgesteuert verhält; wie z.B. jeder Audio-Leistungsverstärker, der auch entsprechend spezifiziert wird ("Soundsoviel mV für Vollaussteuerung"). Solch ein Verstärker ist halt eine ggf. umfangreiche Schaltung aus mehreren Einzeltransistoren samt Umfeld. Bei der Auswahl (insbesondere auch der Treiber- und End-) Transistoren spielt deren STROMverstärkung eine wichtige Rolle; über deren "Spannungsverstärkung" liest man in allen möglichen Abhandlungen eher wenig...
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˙ɟ uɐɟǝʇs schrieb: > 100 Beiträge off-topic, der Partycrasher hatte volle Erfolg. Leicht OT, aber dennoch: Steffi, könntest Du das (siehe Bild) bitte mal wieder ändern? Sieht dermaßen affig aus - nach dem Motto: kuckt mal, was ich alles tolles kann... Keine Ahnung, wie man auf so'n Quatsch kommt...
Michael W. schrieb: > Steffi, könntest Du das (siehe Bild) bitte mal wieder ändern? Zumal das "t" tiefer gesetzt ist. Mit den Umlauten hat das System übrigens auch Probleme, genauso wie mit dem großen "S".
Michael W. schrieb: > Keine Ahnung, wie man auf so'n Quatsch kommt... Och, so schlimm finde ich das nicht. Wollte eher aus Neugier fragen, wie er es hinbekommen hat. Stefan, bist Du der gleiche, der mal einen Schneemannskopf (so sah es zumindest aus) in der Namenszeile hatte?
Rainer Z. schrieb: > Och, so schlimm finde ich das nicht. Wollte eher aus Neugier fragen, wie > er es hinbekommen hat. Du kannst es dir ja jetzt hier raus kopieren: z ɹǝuᴉɐɹ Den Link dazu gibt's im Parallelthread. Und ja es ist der gleiche Stefan mit dem Schneemann ⛄
Beitrag #7471415 wurde vom Autor gelöscht.
Das sind fast ganz normale Unicode Zeichen. Es wird Zeit, dass wir uns von den Fesseln des US-ASCII Codes trennen.
˙ɟ uɐɟǝʇs schrieb: > Das sind fast ganz normale Unicode Zeichen. Es wird Zeit, dass wir uns > von den Fesseln des US-ASCII Codes trennen. ∀qǝɹ qᴉʇʇǝ ᴉu sᴉuuʌollǝu פɹǝuzǝu˙
˙ɟ uɐɟǝʇs schrieb: > Das sind fast ganz normale Unicode Zeichen. Es wird Zeit, dass wir > uns > von den Fesseln des US-ASCII Codes trennen. सर्वथा
H. H. schrieb: > सर्वथा Tja, deinen Namen umzudrehen bringt halt nix ein. Egal ob rückwärts oder auf dem Kopf stehend. ;-)
Enrico E. schrieb: > Du kannst es dir ja jetzt hier raus kopieren: > z ɹǝuᴉɐɹ > Den Link dazu gibt's im Parallelthread. > Und ja es ist der gleiche Stefan mit dem Schneemann ⛄ Danke, meine Neugier ist befriedigt. Und gut ist.
Ich hatte es ja angekündigt....2 Wochen Pause. Abzuschließen ist das Thema ja noch nicht, da hier zum Schluss wieder totaler Unsinn geschrieben wurde. Brüno schrieb: > > Der nicht dumme Wissende legt deshalb den Kondensator maximal über einen > Teil von Re und nimmt die altbekannte Formel V=-Rc/Re, wobei letzterer > der Teil ohne C parallel ist. Das ganze geht dann ganz ohne die > Steilheit, und da ist jeder Praktiker froh drüber, weil spätestens durch > den Early-Effekt ist dein Rechenweg reines Glücksspiel. Der Early-Effekt > versaut dir übrigens auch deine Behauptung mit spannungsgesteuert. Der Teilnehmer Brüno weiß scheinbar nicht, dass gerade der Early-Effekt einer der zahlreichen Nachweise für Spannungsteuerung ist. Der letzte Satz nun ist purer Unsinn. Ob er auch weiß weiß, wo die "altbekannte Formel" V=-Rc/Re herkommt? Das kann er - falls interessiert - meiner folgenden Antwort an Enrico E. entnehmen.
Enrico E. schrieb: >> Natürlich kann man eine Transistorstufe ohne den ganzen Firlefanz > berechnen. Die Verstärkung wird einfach grob aus dem Verhältnis von RL > zu RE berechnet: > > RL = 3k9 > > RE = 1k > > Daraus ergibt sich eine Verstärkung von v = 3,9 > > > Liegt C2 direkt an RE wäre die Verstärkung theoretisch unendlich. In der > Praxis ist das natürlich nicht der Fall, aber da liegt dann eben auch > die Grenze des vereinfachten Entwurfs. Vielleicht sollte man doch wissen bevor man von "Firlefanz" rumschwafelt, woher denn diese schönen Faustformeln kommen - und was noch viel wichtiger für den Praktiker ist: Wann diese denn gelten und wann nicht. Das ist nämlich eine der Hauptaufgaben beim Entwurf: Unter welchen Randbedingungen die eingesetzten Formeln gelten. Also zur Information: Nach den Gesetzmäßigkeiten der Spannungssteuerung gemäß der Kennlinie (exponentiell) Ic=f(Ube) und deren Steigung gm=d(Ic)/d(Ube) ist die Verstärkung der Emitterstufe mit Gegenkopplung V=-gmRc/(1+gmRe). (Ohne Early-Effekt, der mit einem dynamisch-differentiellen Widerstand rce=1/h22 parallel zu Rc leicht zu berücksichtigen ist). Wenn nun gmRe>>1 ist - also Re>>1/gm - dann entsteht diese schöne Näherung V=-Rc/Re, von der hier oft geredet wird, scheinbar ohne zu wissen, woher sie kommt und was sie bedeutet und ab wann sie denn näherungsweise gilt. Die Steilheit gm ist nun zum Glück ganz einfach über den gewählten Strom Ic zu ermitteln (Diff.rechnung e-Funktion): gm=Ic/Vt (mit Vt etwas25...26 mV). Diese Formeln für die Spannungsverstärkung sind ein Nachweis der Spannungssteuerung Ic=f(Ube) und gelten genauso auch für den FET (mit Ugs statt Ube und statt Ic nun Id). Nachsatz: Ich habe mich hier - nach 2 Wochen Unterbrechung - noch einmal gemeldet, weil ich denke, dass in einem Technischen Forum zur Analogtechnik falsche und unsinnige und irreführende Aussagen nicht unkorrigiert bleiben sollten.
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Lutz V. schrieb: > Wenn nun gmRe>>1 ist - also Re>>1/gm - dann entsteht diese schöne > Näherung > V=-Rc/Re, > von der hier oft geredet wird, scheinbar ohne zu wissen, woher sie kommt > und was sie bedeutet und ab wann sie denn näherungsweise gilt. > > Die Steilheit gm ist nun zum Glück ganz einfach über den gewählten Strom > Ic zu ermitteln (Diff.rechnung e-Funktion): gm=Ic/Vt (mit Vt > etwas25...26 mV). > > Diese Formeln für die Spannungsverstärkung sind ein Nachweis der > Spannungssteuerung Ic=f(Ube) Wen willst Du denn mit deinen Ausführungen überzeugen? Glaubst Du wirklich, auch nur einer der anwesenden "Bastler" hätte jemals einen Blick in die von Dir zitierte Literatur gewagt, geschweige denn auch nur ansatzweise verstanden, was Tietze/Schenk bzw. Horowitz/Hill über die Steilheit schreiben -- geschweige denn, einen Transistorverstärker berechnet? Im meinem alten Tietze/Schenk (5. Aufl.) findet sich S = Ic/UT (4.2) mit UT = k*T/e0 = 25.5 mV (bei Zimmertemperatur) (3.2) Der "alte Schilling" (mein Prof. für Halbleiter-Schaltungstechnik) hatte damals (tm) ganz pragmatisch mit der Größengleichung S = 39*Ic/[mA] gerechnet. Noch ein Wort zum Thema Spannungssteuerung: Für die Emitter-Schaltung meinen die Herren Tietze und Schenk schreiben zu müssen: ΔIc = S * ΔUbe -- mithin der Kollektorstrom sei (linear) abhängig von der Basis-Emitter-Spannung ...
"I am standing on the threshold about to enter a room. It is a complicated business. In the first place, I must shove against an atmosphere pressing with a force of fourteen pounds on every square inch of my body. I must make sure of landing on a plank travelling at twenty miles a second round the sun - a fraction of a second too early or too late, the plank would be miles away. I must do this whilst hanging from a round planet head outward into space, and with a wind of aether blowing at no one knows how many miles a second through every interstice of my body. The plank has no solidity of substance. To step on it is like stepping on a swarm of flies. Shall I not slip through? No, if I make the venture one of the flies hits me and gives a boost up again; I fall again and am knocked upwards by another fly; and so on. I may hope that the net result will be that I remain about steady, but if, unfortunately, I should slip through the floor or be boosted too violently up to the ceiling, the occurrence would be, not a violation of the laws of Nature, but a rare coincidence. These are some of the minor difficulties. I ought really to look at the problem four-dimensionally as concerning the intersection of my world-line with that of the plank. Then again, it is necessary to determine in which direction the entropy of the world is increasing in order to make sure that my passage over the threshold is an entrance, not an exit. Verily, it is easier for a camel to pass through the eye of a needle than for a scientific man to pass through a door. And whether the door be barn door or church door it might be wiser that he should consent to be an ordinary man and walk in rather than wait till all the difficulties involved in a really scientific ingress are resolved." -- Arthur Eddington, 1927 https://thewitness.fandom.com/wiki/Audio_log:_Eddington_entering_a_room https://youtu.be/oJNI3F7A720
Joe L. schrieb: > Noch ein Wort zum Thema Spannungssteuerung: Für die Emitter-Schaltung > meinen die Herren Tietze und Schenk schreiben zu müssen: > ΔIc = S * ΔUbe -- mithin der Kollektorstrom sei (linear) abhängig von > der Basis-Emitter-Spannung ... Naja. Das ist die ganz normale Betrachtung der Kennlinie als stückweise linear. Das Delta hast du gesehen, oder? Streng genommen stimmt es nur im Grenzübergang Δ→0 oder anders gesagt für die Differentialgleichung: dIc = S · dUbe. Und S hat für jeden so betrachteten Punkt auf der Kennlinie (vulgo: Arbeitspunkt) einen anderen Wert. In der Praxis hilft es uns nur insoweit, daß wir sagen können, daß die (Leerlauf-)Spannungsverstärkung der Emitterschaltung arbeitspunktabhängig ist. Für den Großsignalbetrieb ist ΔUbe >> 0 und dann produziert die Emitterschaltung nichtlineare Verzerrungen.
Joe L. schrieb: > Wen willst Du denn mit deinen Ausführungen überzeugen? Glaubst Du > wirklich, auch nur einer der anwesenden "Bastler" hätte jemals einen > Blick in die von Dir zitierte Literatur gewagt, geschweige denn auch nur > ansatzweise verstanden, was Tietze/Schenk bzw. Horowitz/Hill über die > Steilheit schreiben -- geschweige denn, einen Transistorverstärker > berechnet? Nein - davon bin ich nicht ausgegangen; ich habe ja auch versucht, bei meinen Ausführungen ohne Literatur-Hinweise auszukommen (Ausnahme: Wenn von anderen falsch zitiert wurde). Ich habe stattdessen versucht (auf der Grundlage etlicher Beispiele und Beobachtungen - z.B. gleiche Verstärkungsformel für FET und BJT), auf das logische/kritische Denkvermögen einiger Teilnehmer hier zu setzen (zu hoffen?). Sehr oft vergeblich... Es sah sich auch KEINER derjenigen, die mir vehement und oft nur polemisch meinten widersprechen zu müssen, in der Lage, ihre Behauptungen irgendwie zu belegen. Dann war es plötzlich still.... (Spitzenreiter bei den hirnlosen und von NULL Sachkenntnis getrübten derartigen Zeitgenossen ist hier ein gewisser H.H (hhinz). > > Noch ein Wort zum Thema Spannungssteuerung: Für die Emitter-Schaltung > meinen die Herren Tietze und Schenk schreiben zu müssen: > ΔIc = S * ΔUbe -- mithin der Kollektorstrom sei (linear) abhängig von > der Basis-Emitter-Spannung ... Ja, aber wer das alles verstanden hat und sich mit der Differentialrechnung auskennt (das Δ richtig interpretiert) und realisiert, dass die Steilheit d(Ic)/d(Ube) ein Kleinsignalparameter ist (wie ja auch die Verstärkung Vu), der müsste auch wissen, in welchen Grenzen diese für die Praxis ausreichende Beziehung anzuwenden ist.
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Lutz V. schrieb: > (Spitzenreiter bei den hirnlosen und von NULL Sachkenntnis getrübten > derartigen Zeitgenossen ist hier ein gewisser H.H (hhinz). Du solltest wahrlich dringend einen Arzt aufsuchen.
H. H. schrieb: > Du solltest wahrlich dringend einen Arzt aufsuchen. Jeder kann sich ja ein eigenes Bild machen, wenn man sich hier ALLE Deine Sach-Beiträge zum Thema "Verständnisfrage Transistor" aufmerksam durchliest: * "Du könntest versuchen dich in Schaltplänen auszudrücken, und dein eigentliches Problem zu beschreiben, nicht die vermeintliche Lösung." * "Und um die Sache mit dem Apfel zu berechnen, unbedingt die Allgemeine Relativitätstheorie verwenden!" * "Missionierungswahn!" * "War doch schon lange geklärt." * "Dann hör doch endlich auf." * "Sigmund Freud auch." * "Sagt der, über den schon längst alle lauthals lachen." * "Hoffentlich in Behandlung." * "Und nicht zur Therapie genutzt."
Könnt ihr dieses winzige und völlig uninteressante persönliche Scharmützel, wo jeder dem anderen mit gleicher Münze zahlt, bitte per PN auskaspern? Edit: und natürlich wird der bipolare Transistor über Ströme gesteuert. Das ist ja eines seiner Nachteile.
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Lothar M. schrieb: > Könnt ihr dieses winzige und völlig uninteressante persönliche > Scharmützel, wo jeder dem anderen mit gleicher Münze zahlt, bitte per PN > auskaspern? > > Edit: und natürlich wird der bipolare Transistor über Ströme gesteuert. > Das ist ja eines seiner Nachteile. Diese nun nicht mehr sehr originelle Behauptung kann man hier nicht zum ersten Mal lesen. Reicht Dir das wirklich, oder hast Du Dich mal um einen Nachweis gekümmert? Den findest Du nämlich nirgends ! Aber zur Spannungssteuerung gibts die haufenweise - ich hab etliche erwähnt. Kurze sachliche Erwiderung: Der Nachteil des BJT ist der vergleichsweise (zum FET) kleinere Eingangswiderstand, der mit dem leider fließenden Basisstrom zu tun hat. Aber die Tatsache, dass dieser Strom existiert, hat ja noch nichts mit seiner Steuerungsfähigkeit zu tun. Das ist doch kein Beweis - verstehst Du das denn nicht? Und - ist Dir eigentlich aufgefallen, dass die von Dir zu Recht angesprochenen/bedauerten "persönlichen Scharmützel" wirklich ausschließlich nur von der Seite kamen, die - mangels Argumentation - damit meine Erklärungen versuchten, ins lächerliche zu ziehen?
Dieses Forum ist wirklich die beste Ausstellung fragiler Männlichkeit. Von Lutz kann man schon ein bisschen was über Elektronik mitnehmen. Aber viel mehr noch über die Psyche so vieler verletzlicher Menschen die sich Anerkennung wünschen..
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Lutz V. schrieb: > Reicht Dir das wirklich Im Grunde schon. Diese überaus praxisnahe Betrachtung des Transistors als "Stromverstärker" reicht aus, dass ich alle nötigen Schaltungen so gut und erfolgreich auslegen kann, dass dies mir einen überaus guten Broterwerb ermöglicht. Wenn ich einen Apfel vom Baum schütteln will, dann fange ich auch nicht mit mit Kräftedreiecken oder der Quantenmechanik an. > Und - ist Dir eigentlich aufgefallen, dass die von Dir zu Recht > angesprochenen/bedauerten "persönlichen Scharmützel" wirklich > ausschließlich nur von der Seite kamen Schurzegal, woher die ursprünglich mal "kamen". Was schrieb ich mit der Münze, die jetzt von beiden gezahlt wird. > ausschließlich nur von der Seite kamen Du unterstellt immerhin jedem, der deinen Ansichten nicht folgt, dass er nicht denken kann oder es nicht will. Das finde ich sehr anmaßend. Und es ist kein Wunder, dass bei derartigem Herumzündeln mal ein Brand ausbricht.
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Lutz V. schrieb: > Aber die Tatsache, dass dieser Strom existiert, hat ja noch nichts mit > seiner Steuerungsfähigkeit zu tun. Das ist doch kein Beweis - verstehst. Na guck mal einer schau, ich dachte immer nur, dass die RLZs im BJT lediglich von der Anzahl der in die Basis geschobenen Ladungsträger abhängt. Wusste gar nicht, dass das gar nichts damit zu tun hat. Hab ich in Festkörperphysik in der Uni sicher falsch verstanden. Für ne 1,3 hat's dennoch gereicht.
Lothar M. schrieb: > Du unterstellt immerhin jedem, der deinen Ansichten nicht folgt, dass er > nicht denken kann oder es nicht will. Das finde ich sehr anmaßend. Und > es ist kein Wunder, dass bei derartigem Herumzündeln mal ein Brand > ausbricht. Von einem Moderator erwarte ich eigentlich etwas anderes: 1.) Keine unwahren Behauptungen (wie im oben zitierten Satz) - es sei denn Du kannst das durch Zitate belegen; im vorliegenden Fall ist das Wort "Herumzündeln" eines fairen Moderators unwürdig! Hier beteiligt sich die Moderation an Lügen und Beleidigungen - unglaublich! 2.) Die Fähigkeit zwischen "praxisnagen Betrachtungen" und der eigentlichen Fragestellung (Physik des Transistors) zu unterscheiden; 3.) Vor allem: Das Absinken des Niveaus dieses Forums dadurch zu verhindern, dass von Anfang an persönliche Angriffe unterbunden bzw. angemahnt werden. Das ist hier leider nun überhaupt nicht der Fall (im Gegensatz zu allen anderen mir bekannten Foren englisch und/oder deutsch). Man sehe sich bitte nur mal die Reaktionen auf meinen allerersten Beitrag zu diesem Thema an (03.08. 15:07). Im Gegenteil: Hier kann jeder ohne anonym rumpöbeln und Beleidigungen ausstoßen, weil er das wohl so aus den "asozialen Schwätzwerken" so kennt. Das Thema "mobbing" wird ja derzeit in der Öffentlichkeit oft genug diskutiert. Ein Beispiel dafür habe ich ja heute um 11:31 gegeben. Oder hat die Moderation dieses alles wohlwollend übersehen? Schade - es gibt hier im Forum viele kompetente Praktiker, von denen jeder Theoretiker was lernen kann (nämlich praktischen Umgang mit theoretischen Erkenntnissen) - vorausgesetzt man bemüht sich um einen fairen und sachlichen Umgang miteinander. Daran sollte die Moderation interessiert sein - und nicht noch die Sache anheizen ("Herumzündeln").
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Lutz V. schrieb: > Hier beteiligt sich die Moderation an Lügen und Beleidigungen Gehts noch? Das hier ist "Herumzündeln", was Lutz V. schrieb: > man muss nur beobachten, messen und denken können (und wollen!). Und das hier ist auch eine seltsame Wahrnehmung von Ursache und Wirkung: Lutz V. schrieb: > Man sehe sich bitte nur mal die Reaktionen auf meinen allerersten > Beitrag zu diesem Thema an (03.08. 15:07). Schon dein allererster Beitrag ist herumgezündelt, weil du die Qualifikation anderer Leute auf billige Weise in Frage stellst, indem du ihre Seriosität anzweifelst: Lutz V. schrieb: > unter Zuhilfenahme eines "seriösen" Buches (Vorschlag: Tietze-Schenk) > und nicht irgendwo im Internet. Lutz V. schrieb: > Das ist hier leider nun überhaupt nicht der Fall (im Gegensatz zu allen > anderen mir bekannten Foren englisch und/oder deutsch). Du musst hier nicht posten, wenn dir das Forum und die anderen Forenteilnehmer nicht behagen. Nachdem aber zum Thema an sich dann wohl alles gesagt und der TO seit 3 Wochen erfolgreich vergrault ist, mache ich den Laden hier dicht.
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