Anstiegszeit eines MOSFET

[Lora M. (lora)]

Hallo zusammen,

ich untersuche die Anstiegszeit eines MOSFETs. Laut Datenblatt beträgt 
sie 30ns, bei einem bestimmten Strom ID und einer bestimmten Spannung 
VDS. Bei meiner Messung war die Anstiegszeit doppelt so hoch. Ich habe 
viele Artikel über Gatespannung, Miller-Plateau usw. gelesen, aber ich 
habe es tatsächlich empirisch geschafft, die Anstiegszeit durch Erhöhung 
des Drainstroms zu reduzieren. Offenbar benötigte der MOSFET einen etwas 
höheren Strom, den ich durch Parallelschalten einer Pufferkapazität zur 
Spannungsquelle für kurze Zeit erreichte.
Nun stellt sich die Frage, wie die Anstiegszeit mit dem Drainstrom 
zusammenhängt, und da bin ich hängen geblieben.
Alles, was ich gelesen habe, besagt, dass die Anstiegszeit von der 
Gate-Spannung abhängt. Oder vielleicht gibt es etwas mit mehr Strom=mehr 
Ladungsträgheit im Kanal des Transistors.
Wenn mir jemand ein paar Tipps geben kann, wäre ich sehr dankbar, denn 
im Moment habe ich einen Blackout und drehe mich im Kreis.

Vielen Dank,
Lora

[Michael B. (laberkopp)]

Lora M. schrieb:
> aber ich habe es tatsächlich empirisch geschafft, die Anstiegszeit
> durch Erhöhung des Drainstroms zu reduzieren

Zu hohe Leitungsinduktivität im Testaufbau ?

[Falk B. (falk)]

Lora M. schrieb:
> Wenn mir jemand ein paar Tipps geben kann, wäre ich sehr dankbar, denn
> im Moment habe ich einen Blackout und drehe mich im Kreis.

Wie sieht denn den Testaufbau sowie der Messaufbau GENAU aus? Bei den 
Zeiten muss man wissen was man tut. Siehe

https://www.mikrocontroller.net/articles/Oszilloskop#Tastk%C3%B6pfe_richtig_benutzen

Zeig uns Schaltpläne und Bilder.