Anderer Source-Drain Widerstand bei Mosfet. Defekt?

[Bene (okt7)]

Hallo,

Versuche gerade eine Lötstation zu retten.
Funktioniert momentan auch aber befürchte eines der Mosfets ist 
vorgeschädigt.
Wenn aus hat drain zu source bei drei der Mosfets 56MΩ , das vierte hat 
nur 12MΩ.
 Austauschen ?

Leider finde ich zum Aufdruck keine exakte Übereinstimmung.
Gäbe eines mit sehr ähnlicher Bezeichnung, ist aber nirgends verfügbar.
Falls Austausch nötig ist, was kann ich machen ? Oder wüsste jemand 
Ersatz?

Am Mosfet steht:
HYGO60N08  ,
A3C03NS1B

Sehr ähnliches:
HYG060N08NS1B  (NS1B steht bei meinem in der zweiten Zeile am Ende ? ) ,
Mosfet Code: G060N08 (Wie meine erste Zeile aber ohne HY am Anfang , das 
die Produktbezeichnung dieses Mosfets aber hat?).
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=51257

[H. H. (Gast)]

Du hast Mist gemessen.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Bene schrieb:
> Wenn aus hat drain zu source bei drei der Mosfets 56MΩ , das vierte hat
> nur 12MΩ.
> Austauschen ?
Mit einer Wahrscheinlichkeit >>99,9% verwendest du den falschen 
Messaufbau.

Du musst die Parameter der Bauteile so messen, wie es im Datenblatt 
angegeben ist.

Wenn Mosfets kaputt sind, dann normalerweise wegen einer thermischen 
Überlastung. Dann hat eine kleine Siliziumschmelze stattgefunden und das 
Ding ist ständig leitend.

Bene schrieb:
> Versuche gerade eine Lötstation zu retten.
Probieren wir es mal so: was geht denn nicht?

[Steffen E. (steffene)]

Ohne Gewähr und überflieg auch vieles

Damit auch das richtige Datenblatt verfügbar ist/ allg Beantwortung der 
Frage nach Typ

Bene schrieb:
> Leider finde ich zum Aufdruck keine exakte Übereinstimmung

Laut Datenblatt Screenshot im Anhang ein HYG060N08NS1D
Man sieht dass das Zeichen D bei der Markinginfo eine Rolle spielt
Untere Zeile XYMXXXXXX ist definiert als "Datecode"(/Sonstiges)

Bene schrieb:
> NS1B steht bei meinem in der zweiten Zeile am Ende

"NS1B" steht auch hier beim besagten HYG060N08NS1D im Bild erkennbar.
Im Link auch das Datenblatt

https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_HUAYI-HYG060N08NS1D_C2827238.html

[Steffen E. (steffene)]

Steffen E. schrieb:
> Laut Datenblatt Screenshot im Anhang ein HYG060N08NS1D

Ich schreibe immer "vielleicht" normalerweise, hatte ich vergessen

Hatte vergessen auch das (NUR BEISPIEL) zu posten, hier ist bei lcsc auf 
dem Bild des Mosfet auf dem Gehäuse die Zeichenfolge "HYG053N10N" zu 
sehen, aber im (hoffentlich passenden) V1.0 Datenblatt auf der Seite 
zeigen die Markinginformationen nur "G053N10".
NUR BEISPIEL
https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_HUAYI-HYG053N10NS1D_C18236201.html

[Bene (okt7)]

Steffen E. schrieb:
> https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_HUAYI-HYG060N08NS1D_C2827238.html

Danke.

Lothar M. schrieb:
> Mit einer Wahrscheinlichkeit >>99,9% verwendest du den falschen
> Messaufbau.

Ok, danke. Habe nur mit Multimetern Gemessen.

Alle anderen gemessenen Werte passen - Diode / Widerstände…

 Source - Drain Widerstand wenn es Hochohmig ist steht auch keiner im 
Datenblatt. Wenn es gut ist passt alles. Hatte nur einen Hitzeschaden 
vermutet weil der Wert bei diesem einen 5 mal niedriger ist als bei den 
anderen.
Zum messen nur das Gate entladen und gemessen.

Lothar M. schrieb:
> Probieren wir es mal so: was geht denn nicht?

Momentan Funktioniert die Station eh wieder wie sie soll wollte nur kein 
Risiko eingehen falls das Mosfets vorgeschädigt ist.
Einige Bauteile , ein Teil des PCB , das Flachkabel zum Handteil Stecker 
und dessen Anschlüsse waren teilweise halb abgefackelt / angeschmolzen….
Die Relais direkt neben den Mosfets auch , haben jetzt immer Kontakt zu 
beiden Polen gleichzeitig (waren mal Wechsler) . Wurden aber überbrückt 
statt getauscht weil es eh kein Handteil für die zweite Spannung gibt & 
die bestehenden jetzt fest verbunden sind.
Mir ist leider auch nicht ganz klar wie der Schaden entstanden ist - 
gehörte jemand anderen und wäre sonst im Müll gelandet.