Komplementäre Sourceschaltung

[Martin (martin79)]

In Halbleiter Schaltungstechnik 13. Auflage auf Seite 873 ist die 
angehängte Schaltung, die ich nachgezeichnet habe, enthalten. Eine 
Ausgangsstufe mit einstellbarer Verstärkung. Ich habe ein bisschen 
Verständnisprobleme bei folgender Aussage: "Eine weitere Verringerung 
des Ausgangswiderstands lässt sich erreichen, wenn man die Schaltung 
zusammen mit einem Vorverstärker gegenkoppelt". Zunächst einmal ist mir 
dann nicht klar wie sich der Ausgangswiderstand ändern soll, der von R1 
und k abhängig ist.

Mein Ziel ist es diese Schaltung für bis zu einigen Hundert Volt durch 
Stacking der Mosfets zu dimensionieren.

Dazu vorgeschaltet einen diskret aufgebauten Operationsverstärker und 
diese Ausgangsstufe hängt dann direkt am VAS Ausgang. Müsste ich hier 
noch die beiden Ausgangstransistoren mit einem Bias versehen? Nach 
meinem Verständnis nein, da ein Ruhestrom am Ausgang eingestellt wird.

Dazu ist die Frage wie man die Stromquellen am besten dimensioniert. Ich 
würde da intuitiv Depletion mode Mosfets als Stromquelle nehmen. Welche 
Mosfet Typen sind hier für Q1 bis Q7 am besten zu wählen?

[Jörg R. (solar77)]

Martin schrieb:
> In Halbleiter Schaltungstechnik 13. Auflage auf Seite 873 ist die
> angehängte Schaltung, die ich nachgezeichnet habe,

Sorry, aber ich sehe nur schwarze Punkte und Fliegenschiss:-(

[Georg M. (g_m)]

> out.svg

[Martin (martin79)]

Danke war gerade dabei das umzuwandeln.

[Roland D. (roland_d284)]

Moin,

Martin schrieb:
> Verständnisprobleme bei folgender Aussage: "Eine weitere Verringerung
> des Ausgangswiderstands lässt sich erreichen, wenn man die Schaltung
> zusammen mit einem Vorverstärker gegenkoppelt". Zunächst einmal ist mir
> dann nicht klar wie sich der Ausgangswiderstand ändern soll, der von R1
> und k abhängig ist.

Mal OffTopic: Der Ausgangswiderstand ist leider undefiniert, weil die 
Schaltung gar keinen Ausgang hat.

Gruß, Roland

[Michael B. (laberkopp)]

Martin schrieb:
> Zunächst einmal ist mir dann nicht klar wie sich der Ausgangswiderstand
> ändern soll, der von R1 und k abhängig ist.

Unsinn, R1 bestimmt nur die Verstarkung.

Der Ausgangswiderstand ist definiert dadurch, wue weit die Spannung 
einbricht, wenn man den Ausgang belastet.

Also Eingang so beschicken, dass am Ausgang im Leerlauf 10V anliegen, 
mit einem 10 Ohm Widerstand belasten so dass 1A fliesst, Spannung messen 
und wenn sie auf 9.9V zurück gegangen ist, beträgt der 
Ausgangswiderstand 0.1 Ohm.

Ein Vorverstärker der nun 10-fach die Differenz zwischen Soll (10V) und 
Ist (9.9V) verstärkt, regelt nach und senkt damit den Ausgangswiderstand 
auf 0.01 Ohm, weil die Spannung dank Nachregelung bei 1A Belastung nur 
um 0.01V absinkt.

[Martin (martin79)]

Michael B. schrieb:
> Unsinn, R1 bestimmt nur die Verstarkung.

Dann ist die Gleichung in der Hableiter Schaltungstechnik falsch. Ich 
habe diese Schaltungs gerade mit ngspice simuliert und mit Verstärkung 
kann man nur einen begrenzten Strom damit bei voller Aussteuerung 
treiben. Ich habe hier V1 mal in einer DC Analyse von -100V bis 100V 
durchlaufen lassen. Ausgangsspannung kann bei einer ohmschen Last von 
400Ohm nicht gehalten werden.

Also mal geschaut was passiert wenn man R1 kurzschließt und R2 wegnimmt. 
Dann kann man die Ausgangsspannung von -100V bis 100V setzen. Dann habe 
ich allerdings keine Verstärkung mehr und ein vorgeschalteter disketer 
Operationsverstärker müsste die volle Verstärkung liefern.

[Hp M. (nachtmix)]

Martin schrieb:
> Mein Ziel ist es diese Schaltung für bis zu einigen Hundert Volt durch
> Stacking der Mosfets zu dimensionieren.

Dann zeig doch mal deine Schaltung.
So, wie auf dem Bild wird es schon ohne Ansteuerung die 
Eingangstransistoren killen.
Eine Ugs von 100V oder mehr halten die wenigsten aus...

[Martin (martin79)]

Hp M. schrieb:
> Dann zeig doch mal deine Schaltung.
> So, wie auf dem Bild wird es schon ohne Ansteuerung die
> Eingangstransistoren killen.

Die Schaltung habe ich angehängt. Wenn man die Real aufbaut kommt noch 
ein Pulldown und Zener Dioden an die Mosfets aber da wird nichts 
gekillt.