Guten Tag, innerhalb einer größeren Schaltung verwende ich die Schaltung des im Anhang gezeigten Impulsgenerators. Diese Schaltung erhält am Eingang eine fallenden 1 µs Impuls und soll aus dessen steigender/hinterer Flanke einen neuen Impuls generieren, ebenfalls 1 µs lang oder etwas kürzer. Bei einer Betriebsspannung von 5 V stellt dies natürlich kein Problem dar. Nun verwende ich aber in meiner Schaltung 15 V, was hinsichtlich der Ube von Q2 möglicherweise problematisch ist. Zwar funktioniert die Schaltung (siehe unbearbeiteter Anhang), jedoch wird der negative Sägezahn an der Basis von Q2 nur etwa -5V groß (vermutlich Leckströme der Basis-Emitterdiode?). Im Ruhezustand ist Q1 durchgesteuert, bis ein 1µs Impuls diesen sperrt. Dadurch lädt sich C1 auf +15V auf. Wenn nun der Impuls vorüber ist, steuert Q1 durch und entlädt C1. Auf der rechten Seite von C1 wird nun die Spannung auf (theoretisch) -15V heruntergezogen. Um nun Q2 vor dieser negativen Spannung zu schützen, ergänzte ich eine (Schottky)-Diode vor dessen Basis. Leider bleibt nun Q2 die ganze Zeit über durchgesteuert, selbst während der 1 µs, in welcher vor der Diode (praktisch) bis zu -10V anliegen. Kann es sein, daß der Transistor zuvor in die Sättigung geraten ist, und nun nicht schnell genug sperrt? Macht sich das bei 1 µs schon bemerkbar? Ohne die Diode funktioniert die Schaltung, aber zum Wohle des Transistors und um den Sägezahn steiler zu machen, wollte ich diese gerne einbauen. Wenn ich die Zeitkonstante übermäßig erhöhe (R3=1M; C1=100pF), beginnt der Transistor nach ungefähr 4 µs zu sperren. Bei den Transistoren handelt es sich um BC547C. Gibt es für diesen Zweck besonders gut geeignete Transistoren? R3 hatte ich auf 10k und auf 100k ausprobiert, C1 entsprechend angepasst um auf 1 µs zu kommen. In beiden Fällen kein Unterschied. Für geeignete Hinweise oder Schaltungsvorschläge bin ich sehr dankbar.
Was stört Dich an einem fertigen Monoflop (CD4538), 1µs schafft der auch.
Da genügt eine antiparallele Diode 1N4148. In Reihe zu C1 könnte man noch einen 100R als Strombegrenzung einbauen, um die Diode vor Überstrom zu schützen. Insbesondere bei hohen Frequenzen.
Marcel V. schrieb: > Da genügt eine antiparallele Diode 1N4148. > > In Reihe zu C1 könnte man noch einen 100R als Strombegrenzung einbauen, > um die Diode vor Überstrom zu schützen. Insbesondere bei hohen > Frequenzen. Und damit Q2 nicht sättigt, mache eine kleine Schottkydiode (BAT43 oder so) antiparallel zu dessen CE-Strecke. Also A an B, und K an C. Wäre bei Q1 aber auch nicht verkehrt ...
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Bearbeitet durch User
Marcel V. schrieb: > Jens G. schrieb: >> antiparallel zu dessen CE-Strecke. > > Du meinst bestimmt BC-Strecke. Nee, noch verrückter - CB-Strecke ;-) Also hast schon erkannt - A an B, und K an C
Jens G. schrieb: > Marcel V. schrieb: >> Jens G. schrieb: >>> antiparallel zu dessen CE-Strecke. >> >> Du meinst bestimmt BC-Strecke. > > Nee, noch verrückter - CB-Strecke ;-) > > Also hast schon erkannt - A an B, und K an C Andersrum wirds die BACK-Schaltung.
Marcel V. schrieb: > Da genügt eine antiparallele Diode 1N4148. Das genügt leider nicht, denn dadurch würde der negative Sägezahn, welcher ja zeitbestimmend ist, auf Masse abgeleitet werden. Also im Prinzip wie wenn man R3 überbrückt. Der von mir rot eingezeichnete Spannungsverlauf am C1 muß also gegeben bleiben.
Heinz schrieb: > . Gibt es für diesen Zweck besonders gut geeignete Transistoren MOSFET wie BS170, 2N7000. Halten -20V aus und sättigen nicht.
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