Diode BAS33 (I_R typ. 0,5nA) nur noch kurze Zeit erhältlich

[Johannes Fe (jofe)]

Hallo,

ich möchte hier mal in die Runde werfen, dass die Diode BAS33, die sich 
durch sehr geringen Sperrstrom auszeichnet (Datenblatt angehängt) bei 
Digikey (der letzte mir bekannte Distributor, der sie überhaupt noch im 
Angebot hat) nur noch bis 23. September erhältlich ist:
https://www.digikey.de/de/products/detail/vishay-general-semiconductor-diodes-division/BAS33-TAP/4825747?s=N4IgTCBcDaIEYEMDOBmFIC6BfIA

ELV hat diesen Typ (a.k.a. "DX400") früher sehr gern in seinen Mess- und 
Labornetzgeräteschaltungen eingesetzt.

Ersatztypen scheint es nicht wirklich zu geben, zumindest konnte mir die 
parametrische Suche von Digikey keinen mit ähnlich geringem I_R liefern.

Vielleicht als Tipp für den einen oder anderen, der sich (so wie ich) 
noch gern schnell einige auf Lager legen möchte.

Grüße
Johannes

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Johannes Fe schrieb:
> Ersatztypen scheint es nicht wirklich zu geben, zumindest konnte mir die
> parametrische Suche von Digikey keinen mit ähnlich geringem I_R liefern.

Wenn man mal bei den Herstellern sucht, bei Nexperia finde ich 
beispielsweise auf Anhieb welche, die 1 nA sogar für 125 V Sperrspannung 
angeben.

[H. H. (hhinz)]

Noch gibts JFETs, die wesentlich weniger Sperrstrom haben.

[Johannes Fe (jofe)]

Jörg W. schrieb:
> Wenn man mal bei den Herstellern sucht, bei Nexperia finde ich
> beispielsweise auf Anhieb welche, die 1 nA sogar für 125 V Sperrspannung
> angeben.

Ahja, BAS45A – sogar in THT-Bauform, danke für den Tipp. Das scheint ja 
dann wirklich ein vollwertiger Ersatz zu sein. Auch für den 
"stilgerechten" Nachbau von ELV-Schaltungen.

[Michael B. (laberkopp)]

Macht eine TPD4E1B06 das heute nzocht besser und billiger ?

Und selbst ein billiger MMBT3904 erlaubt kein Nanoampere

https://x.artofelectronics.net/wp-content/uploads/2019/11/2xp1_actual_BJT_FET_leakage.pdf

[Werner H. (werner45)]

Der Vorteil von als Dioden verschalteten Fets im alten TO-18-Gehäuse 
ist, daß der Abstand zwischen den Drähten für G und S größer ist als bei 
TO-92 oder SMD. Der Isolationswiderstand ist also größer. Außerdem ist 
das Teil nachträglich besser zu reinigen.

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Werner H. schrieb:
> Der Isolationswiderstand ist also größer.

Bis du in solche Regionen kommst, dass das wirklich einen Einfluss hat, 
musst du aber ziemliche Kopfstände mit deinen Boards machen.

[Arno H. (arno_h)]

Werner H. schrieb:
> Der Vorteil von als Dioden verschalteten Fets im alten TO-18-Gehäuse
> ist, daß der Abstand zwischen den Drähten für G und S größer ist als bei
> TO-92 oder SMD. Der Isolationswiderstand ist also größer. Außerdem ist
> das Teil nachträglich besser zu reinigen.

Und man muss keine Rücksicht auf die Beleuchtung nehmen.

Arno

[Andrew T. (marsufant)]

BAV199 hilft in vielen Fällen dank geringen Sperrstrom auch

[Lu (oszi45)]

BAV199 =SMD SOT23 Low leakage current: typ. 3 pA
Datenblatt: https://www.nexperia.com/product/BAV199

[Michael B. (laberkopp)]

Lu schrieb:
> BAV199 =SMD SOT23 Low leakage current: typ. 3 pA

Max aber 5nA und nicht 1nA.

[Jens G. (jensig)]

Michael B. schrieb:
> Lu schrieb:
>> BAV199 =SMD SOT23 Low leakage current: typ. 3 pA
>
> Max aber 5nA und nicht 1nA.

Unter denselben Bedingungen haben die BAS33 & BAS45A max. 500nA (125°C) 
bzw. 2µA (150°C) bei max. Vr, wo für die BAV199 nur 80nA bei 150°C/max 
Vr angegeben ist. Ist also allgemein wohl besser ...

[Falk B. (falk)]

BAV116W, SOD123
Die typischen Sperrströme liegen um Größenordungen unter den 
garantierten Maximalwerten! Ich hab die mal vor ein paar Wochen schnell 
getestet, bei 60°C mit Warmluft waren es unter 100pA. (max. 5nA @75V / 
25°C)