Hallo, eine kurze Frage, ist das so richtig?: NPN-Transistor: an Basis, Spannung angelegt: Strom wird geleitet; an Basis, Ground angelegt: Strom wird nicht geleitet. PNP-Transistor: an Basis, Ground angelegt: Strom wird geleitet; an Basis, Spannung angelegt: Strom wird nicht geleitet.
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Ob an der Basis Spannung anliegt hat nichts mit dem Sperren oder Leiten des Transistors zu tun, Es kommt darauf an in welchem Verhältnis die Spannung von Basis zu Emitter steht. NPN wird leitend wenn die Basis positiver als der Emitter ist. Beim PNP ist es änderst herum. Schau dir doch mal das Wiki hier im Forum an.
Es geht eher um die Potentialdifferenz zwischen Emitter und Basis. Bei PNP ist die Basis (in der Regel) negativer, und NPN hat die Basis (in der Regel) positiver. Bei NPN hängt der Emitter am negativeren Potential, bei PNP am positiveren. Alle Klarheiten beseitigt?
Weder Spannung noch Potentialdifferenz schalten hier irgendwas, sondern ein (Basis-)STROM.
Insbesondere zu den Standardtypen findest Du z.B. bei der Wikipedia, jede Menge an Informationen. Ob die Dinger in dieser oder jener Konfiguration leiten oder nicht hängt fast ausschließlich relativen Spannungen (Bezügen) ab. Also z.B. die Spannung am Basisanschluss in Bezug auf die anderen Anschlüsse positiv oder negativ ist und in welchem Maße. Also ohne konkretes Beispiel wird Dir hier niemand Auskunft geben können.
cyblord ---- schrieb: > Weder Spannung noch Potentialdifferenz schalten hier irgendwas, sondern > ein (Basis-)STROM. Warum zum Teufel macht hier jemand eine negative Wertung! Es ist die einzig richtige Antwort!
Entgegen weit verbreiteter Vorurteile ist ein Transistor ein spannungsgesteuertes Bauteil. Die Basis-Emitter-Spannung macht die isolierende Sperrschicht dicker oder dünner und bestimmt damit wieviele Elektronen aus dem Emitter die Schicht überspringen und zum Kollektor gelangen können. Das funktioniert wie ein Wasserhahn, mit der kleinen Besonderheit daß der Hahn nicht ganz dicht ist sondern etwas Wasser herausläuft (und zwar umso mehr je weiter man den Hahn öffnet), indem eben einige Elektronen (so ca. 1 von 200 bei Kleinleistungstransistoren) auf ihrem Weg zum Kollektor in der Basis hängen bleibt und dort einen Basisstrom verursacht. Das ist ein parasitärer Nebeneffekt den man durch alle möglichen Tricks so weit wie möglich versucht zu minimieren, aber es ist nicht das Funktionsprinzip des Transistors. Das sieht man schon daran, daß sich der Kollektorstrom aus dem Basisstrom überhaupt nicht zuverlässig berechnen läßt, aus der Basis-Emitter-Spannung dagegen mit größter Exaktheit (Ebers-Moll-Modell). Sowohl bei NPN als auch bei PNP liegt zwischen Basis und Emitter ein PN-Übergang, sprich eine Diode, und dessen Sperrschichtdicke wird von der Basis-Emitter-Spannung gesteuert. Der Unterschied ist die Polung: Beim NPN ist die Basis positiv und der Emitter negativ dotiert; die Diode leitet wenn an der Basis eine positivere Spannung als am Emitter liegt. Beim PNP ist die Basis negativ und der Emitter positiv dotiert; die Diode leitet wenn an der Basis eine negativere Spannung als am Emitter liegt. Der Ausdruck "Spannung an Basis angelegt" ist übrigens irreführend, weil eine Spannung immer zwischen 2 Punkten definiert ist.
kennie schrieb: > Entgegen weit verbreiteter Vorurteile ist ein Transistor ein > spannungsgesteuertes Bauteil. Die Basis-Emitter-Spannung macht die Und entgegen deinem Vorurteil wird er durch den Basisstrom gesteuert! Wenn du an die Basis eine Spannung von >0.7V anlegst, aber die Spannungsquelle zu hochohmig ist, um den erforderlichen Basisstrom zur Verfügung stellen, dann kannst du mal das Ohr an den Transistor halten. Du hörst ihn dann lachen :-) Das heißt, nur wenn der erforderliche Basisstrom fließt, wird er dir den Gefallen tun und leiten.
ich schrieb: > kennie schrieb: >> Entgegen weit verbreiteter Vorurteile ist ein Transistor ein >> spannungsgesteuertes Bauteil. Die Basis-Emitter-Spannung macht die > > Und entgegen deinem Vorurteil wird er durch den Basisstrom gesteuert! > Wenn du an die Basis eine Spannung von >0.7V anlegst, aber die > Spannungsquelle zu hochohmig ist, um den erforderlichen Basisstrom zur > Verfügung stellen, dann kannst du mal das Ohr an den Transistor halten. > Du hörst ihn dann lachen :-) > Das heißt, nur wenn der erforderliche Basisstrom fließt, wird er dir den > Gefallen tun und leiten. Eben, wir reden doch hier von Bipolartransistoren!? Und da ist die obige Aussage von kennie einfach irgendwie falsch. gruß cyblord
ich schrieb: > Und entgegen deinem Vorurteil wird er durch den Basisstrom gesteuert! > Wenn du an die Basis eine Spannung von >0.7V anlegst, aber die > Spannungsquelle zu hochohmig ist, um den erforderlichen Basisstrom zur > Verfügung stellen, dann kannst du mal das Ohr an den Transistor halten. > Du hörst ihn dann lachen :-) Quatsch, Kennie hat natürlich Recht. Wie willst du den an der Basis-Emitter-Strecke eine Spannung von 0,7V erreichen OHNE den dazu nötigen Strom zu liefern? > Das heißt, nur wenn der erforderliche Basisstrom fließt, wird er dir den > Gefallen tun und leiten. Und auch nur dann liegen dort 0,7V an.
ArnoR schrieb: > > Und auch nur dann liegen dort 0,7V an. Okay, dann haben wir hier das Problem mit der Henne und dem Ei :-)
Auch wenn man manche Haare beliebig dünn spalten kann, tut man dennoch niemandem einen Gefallen, wenn man Bipolartransistoren mit etwas Gewalt als spannungsgesteuert kennzeichnet.
ArnoR schrieb: > ich schrieb: > >> Und entgegen deinem Vorurteil wird er durch den Basisstrom gesteuert! >> Wenn du an die Basis eine Spannung von >0.7V anlegst, aber die >> Spannungsquelle zu hochohmig ist, um den erforderlichen Basisstrom zur >> Verfügung stellen, dann kannst du mal das Ohr an den Transistor halten. >> Du hörst ihn dann lachen :-) > > Quatsch, Kennie hat natürlich Recht. Wie willst du den an der > Basis-Emitter-Strecke eine Spannung von 0,7V erreichen OHNE den dazu > nötigen Strom zu liefern? Was für eine Erkenntnis! Die Tatsache dass Spannung und Strom irgendwie zusammengehören, ruft nicht nur Captain Obvious, sondern auch noch Herrn Georg Simon Ohm auf den Plan. Dann wirds hier aber ungemütlich. Damit könnte man jedes Stromgesteuerte Bauteil als Spannungsgesteuert umdefinieren. LEDs z.B. auch. gruß cyblord
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cyblord ---- schrieb: > Damit könnte man jedes Stromgesteuerte Bauteil als Spannungsgesteuert > umdefinieren. LEDs z.B. auch. ...bitte erwähne jetzt die LEDs nicht, sonst kommt gleich die Frage, mit welcher Spannung man eine LED betreibt und den Vorwiderstand kann man ja sowieso weglassen! ;-))
ArnoR (Gast) schrieb: > Quatsch, Kennie hat natürlich Recht. Wie willst du den an der > Basis-Emitter-Strecke eine Spannung von 0,7V erreichen OHNE den dazu > nötigen Strom zu liefern? Wie machen das denn ECHTE spannungsgesteuerte Bauteile wie beispielsweise ein OPV? Spannungsgesteuert ist ein Bauteil dann, wenn der Stromfluß in den entsprechenden Anschluss des Bauteils i.d.R. vernachlässigt werden kann. Das ist beim OPV der Fall und beim MOSFET, aber ganz und gar nicht beim Bipolartransistor. Du kannst ja mal probieren einen 2N3055 an der Basis nur mit einer Spannung zu steuern, ohne dass ein nennenswerter Stromfluss damit verbunden ist. Viel Erfolg!
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In der Gleichung für den Kollektorstrom kommt der Basisstrom gar nicht vor. Spannungsgesteuert heißt in diesem Zusammenhang, dass der Basisstrom irrelevant ist, d.h. er kann eine beliebige Höhe haben, die von Transistor zu Transistor eben anders ist. Bildquelle: Tietze/Schenk, Halbleiter-Schaltungstechnik 11.Auflage
ArnoR schrieb: > In der Gleichung für den Kollektorstrom kommt der Basisstrom gar nicht > vor. Spannungsgesteuert heißt in diesem Zusammenhang, dass der > Basisstrom irrelevant ist, d.h. er kann eine beliebige Höhe haben, die > von Transistor zu Transistor eben anders ist. Ist das ein Test? Oder willst du uns veralbern? Bloß weil die Herren Tieze und Schenk den Basisstrom aus der Gleichung heraussubstituiert haben, heißt doch nicht daß dessen Größe beliebig ist. Zumal sie ja selber oben drüber schreiben, daß Basisstrom und Kollektorstrom die gleiche exponentielle Abhängigkeit von der Basis-Emitterspannung haben. Allerdings vermisse ich in der Gleichung den Stromverstärkungsfaktor (B, \beta oder wie man ihn nennen mag). Den kann man zwar in I_s reinziehen, aber damit verwirrt man die Leute bloß. Weil die ja denken das I_s hier wäre das gleiche wie in der Shockley-Gleichung für die Basis-Emitter-Diode. XL
Axel Schwenke schrieb: > Ist das ein Test? Oder willst du uns veralbern? > Bloß weil die Herren Tieze und Schenk den Basisstrom aus der Gleichung > heraussubstituiert haben, heißt doch nicht daß dessen Größe beliebig > ist. Mit beliebig hatte ich natürlich nicht gemeint, dass der frei wählbar wäre, sondern, dass die Gleichung für jeden Transistor gilt, unabhängig von seiner Stromverstärkung. > Zumal sie ja selber oben drüber schreiben, daß Basisstrom und > Kollektorstrom die gleiche exponentielle Abhängigkeit von der > Basis-Emitterspannung haben. Genau so ist es auch, der Basisstrom hängt exponentiell von Ube ab. > Weil die ja denken das I_s hier > wäre das gleiche wie in der Shockley-Gleichung für die > Basis-Emitter-Diode. I_s IST der Sättigungssperrstrom des Transistors.
ArnoR (Gast) schrieb: > In der Gleichung für den Kollektorstrom kommt der Basisstrom gar nicht > vor. Der kommt dafür in der anderen, allgemein bekannten und für den Berechnung von Strom-Spannungsverhältnissen am Transistor wichtigsten Gleichung vor, nämlich der Gleichung für die Gleichstromverstärkung B B = IC / IB und der Zusammenhang ist auch schön linear, während die Funktion IC = f(UBE) wie oben aufgezeigt exponentiell verläuft. Du solltest bei der Formel vom Tietze-Schenk nur nicht vergessen, dass ein Bipolartransistor bei angelegter UBE und leitender Basis-Emitter-Diode zwangsläufig einen (Basis-)Stromfluss zur Folge hat. Auch wenn der nicht in obiger Gleichung auf den ersten Blick ersichtlich ist, er ist vorhanden und steckt damit (über den Basis-Emitter-Widerstand) auch inherent in der Gleichnung vom T-S (ohne diesen Strom würde sich keine UBE abbilden!). Bei leistungslos gesteuerten Bauteilen sieht das wieder ganz anders aus. Dort fließt wirklich kein Strom im Gegensatz zum Bipolartransistor.
ArnoR schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Ist das ein Test? Oder willst du uns veralbern? > > Mit beliebig hatte ich natürlich nicht gemeint, dass der *frei wählbar* > wäre, sondern, dass die Gleichung für jeden Transistor gilt, Dann ist es ja gut :) > unabhängig von seiner Stromverstärkung. Aber hier muß ich nochmal widersprechen. >> Weil die ja denken das I_s hier >> wäre das gleiche wie in der Shockley-Gleichung für die >> Basis-Emitter-Diode. > > I_s IST der Sättigungssperrstrom des Transistors. Es ist trotzdem eine andere Größe. Sie heißt in der Shockley-Gleichung für die Diode zwar auch Sättigungssperrstrom und hat auch das gleiche Formelzeichen I_S - bezeichnet aber dämlicherweise trotzdem nicht das selbe. Denn die Shockley-Gleichung ist für den Zusammenhang von Strom und Spannung an einem pn-Übergang während die Transistor-Gleichung von T&S den Strom im Kollektor-Emitterkreis mit der Spannung im Basis-Emitterkreis in Verbindung setzt. Es gibt überhaupt keinen Zweifel, daß für die Basis-Emitter-Diode die Shockley-Gleichung gilt, die den Basisstrom als I_B = I_S * exp (U_BE/U_T) ausweist. Die Ströme I_S in den beiden Gleichungen sind aber eben nicht gleich groß, sondern unterscheiden sich durch einen (in diesem Modell) konstanten Faktor, der landläufig als Stromverstärkungsfaktor des Transistors bezeichnet wird. Es ist für das Verständnis der Gleichungen absolut abträglich, diesen Faktor einfach unter den Tisch fallen zu lassen indem man ihn in die Konstante I_S hineinzieht. Man hätte mindestens ein anderes Formelzeichen wählen sollen. XL
Skeptiker schrieb: > Gleichung für die Gleichstromverstärkung B > B = IC / IB B ist doch nichts weiter als eine Proportionalitätskonstante, weil Ib auf Ic bezogen wird. Ib ist aber nicht die Ursache für Ic, sondern nur eine "Begleiterscheinung". > während die Funktion > IC = f(UBE) wie oben aufgezeigt exponentiell verläuft. Es ist schon verständlich, dass man lieber in linearen als in exponentiellen Zusammenhängen denken will.
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Axel Schwenke schrieb: > Die Ströme I_S in den beiden Gleichungen sind aber eben nicht gleich > groß, sondern unterscheiden sich durch einen (in diesem Modell) > konstanten Faktor, der landläufig als Stromverstärkungsfaktor des > Transistors bezeichnet wird. Nein, das stimmt eben nicht, es ist jeweils der gleiche Is. Quelle: Tietze/Schenk...
>Zumal sie ja selber oben drüber schreiben, daß Basisstrom und >Kollektorstrom die gleiche exponentielle Abhängigkeit von der >Basis-Emitterspannung haben. Genau DAS ist doch ein klarer Hinweis daß VBE die Stellgröße ist und IC und IB lediglich Funktionen von VBE. Die Proportionalitätskonstante beta zwischen IB und IC ist auch wirklich nicht mehr als ein grobe Annäherung die man für Schaltanwendungen benutzen kann; konstant ist da nämlich herzlich wenig. Beta schwankt von Transistor zu Transistor stark, und ist selbst bei exakt gleichen Transistoren wiederum eine Funktion von Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Spannung und Temperatur. Wenn Profis einen Transistorverstärker berechnen dann rechnen Sie meist mit der sog. Transkonduktanz, die sich direkt aus der exponentiellen IC/VBE-Abhängigkeit herleitet. Beta kommt da überhaupt nicht vor weil man dessen Wert eh nicht kennt. Mit der IC=beta*IB Formel kann man lediglich anhand des Datenblatts (da steht dann "hFe: 400...900" oder ähnlich) den minimal notwendigen Basisstrom berechnen um einen Kollektorstrom x fließen zu lassen. Für Verstärkeranwendungen ist die Formel weitgehend nutzlos. >Die Tatsache dass Spannung und Strom irgendwie zusammengehören, ruft >nicht nur Captain Obvious, sondern auch noch Herrn Georg Simon Ohm auf >den Plan. Dann wirds hier aber ungemütlich. >Damit könnte man jedes Stromgesteuerte Bauteil als Spannungsgesteuert >umdefinieren. LEDs z.B. auch. Es gibt Spannungen ohne Ströme und man kann durch Induktion in z.B. einem Stück Kupfer einen so heftigen Strom fließen lassen daß dieses schmilz, ohne daß Du da irgendeine Spannung messen könntest. Das ohmsche Gesetz gilt einzig und allein an Widerständen, sonst nirgendwo. Wie etwas gesteuert wird ist eine Frage von Ursache und Wirkung (Kausalität), reine Korrelation muss man davon unterscheiden. Wenn ich mit dem Auto abbiege setze ich auch immer den Blinker. Trotzdem wird das Auto mit dem Lenkrad gesteuert und nicht mit dem Blinker. Das ist der Unterschied.
ArnoR schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Die Ströme I_S in den beiden Gleichungen sind aber eben nicht gleich >> groß, sondern unterscheiden sich durch einen (in diesem Modell) >> konstanten Faktor, der landläufig als Stromverstärkungsfaktor des >> Transistors bezeichnet wird. > > Nein, das stimmt eben nicht, es ist jeweils der gleiche Is. Ähhm. Nein. Oder was soll der Faktor B_0 in der Formel sein? Wie gesagt: T&S haben einfach den I_S aus der Shockley-Gleichung "geklaut" und verwenden ihn jetzt für was anderes. kennie schrieb: >>Zumal sie ja selber oben drüber schreiben, daß Basisstrom und >>Kollektorstrom die gleiche exponentielle Abhängigkeit von der >>Basis-Emitterspannung haben. > > Genau DAS ist doch ein klarer Hinweis daß VBE die Stellgröße ist und IC > und IB lediglich Funktionen von VBE. Ähhm. Jetzt wird es aber philosophisch. Wir haben da einen gesicherten Zusammenhang zwischen Basisstrom und Basis-Emitter-Spannung (Shockley-Gleichung). Der übrigens unabhängig von der Beschaltung des Kollektors gilt. Und wir haben eine Proportionalität zwischen Basisstrom und Kollektorstrom. In diesem Modell sogar eine exakte Proportionalität. Nun könnte man natürlich annehmen, die strikte Proportionalität von I_B und I_C sei nur ein Nebeneffekt. Oder man könnte wie so ziemlich jeder Wissenschaftler hier einen kausalen Zusammenhang vermuten. Ein Beweis sind die Formeln allein für keines von beidem. Und da man weder einen Basisstrom ohne die entsprechende Spannung noch eine Basisspannung ohne den entsprechenden Strom bekommen kann, kann man das auch nicht nachprüfen. Man ist in der gleichen Situation wie mit dem Baum im Walde. Man kann nicht beweisen, daß er auch dann Lärm macht wenn es keiner hört. > Die Proportionalitätskonstante beta > zwischen IB und IC ist auch wirklich nicht mehr als ein grobe Annäherung > die man für Schaltanwendungen benutzen kann; konstant ist da nämlich > herzlich wenig. Beta schwankt von Transistor zu Transistor stark Da hilft uns das "neue" Modell herzlich wenig. Da schwankt jetzt nämlich der Transistor-Sättigungssperrstrom entsprechend. Und zwar zusätzlich zum Paramter B_0. Einen Vorteil kann ich da ehrlich gesagt nicht erkennen. Ein Anhalt würde eine Untersuchung geben, ob der Verlauf der BE-Kennlinie bei unbeschaltetem Kollektor von der Stromverstärkung abhängt. Ob also der I_S aus der Shockley-Gleichung für die BE-Diode tatsächlich schwankt oder nicht vielmehr relativ konstant ist. XL
Axel Schwenke schrieb: > Ähhm. Nein. Oder was soll der Faktor B_0 in der Formel sein? Eben waren`s noch zwei angeblich um B verschiedene Is, jetzt ist es B0, was soll das eigentlich? B0 ist die (extrapolierte) Stromverstärkung für Uce=0, weil anderenfalls in der Gleichung für Ib auch der Term stehen müsste, der die Abhängigkeit von Uce beschreibt. Warum schlägst du nicht den T/S auf und liest das selbst nach?
ArnoR (Gast) schrieb: > B ist doch nichts weiter als eine Proportionalitätskonstante, weil Ib > auf Ic bezogen wird. Ib ist aber nicht die Ursache für Ic, sondern nur > eine "Begleiterscheinung". Was heißt hier "Ursache"? Ursächlich braucht man immer eine Spannung um einen Stromfluss zu bewirken. Das ist gewissermaßen trivial. Aber von "Begleiterscheinung" im Sinne von irgend einer unwichtigen Größe kann hier überhaupt keine Rede sein. Dein UBE allein nützt dir gar nichts ohne einen Stromfluss IB. Ohne IB kommt kein IC zustande. Bipolartransistoren sind nun mal keine FET oder MOSFET, die man nur mit einer Spannung steuern kann.
Skeptiker schrieb: > Aber von > "Begleiterscheinung" im Sinne von irgend einer unwichtigen Größe kann > hier überhaupt keine Rede sein. Dein UBE allein nützt dir gar nichts > ohne einen Stromfluss IB. Ohne IB kommt kein IC zustande. Das hatte kennie oben bereits erläutert, es gibt keinen Grund, jetzt wieder damit anzufangen. Beitrag "Re: Transistor - Was NPN, was PNP"
ArnoR schrieb: > Skeptiker schrieb: >> Aber von >> "Begleiterscheinung" im Sinne von irgend einer unwichtigen Größe kann >> hier überhaupt keine Rede sein. Dein UBE allein nützt dir gar nichts >> ohne einen Stromfluss IB. Ohne IB kommt kein IC zustande. > > Das hatte kennie oben bereits erläutert, es gibt keinen Grund, jetzt > wieder damit anzufangen. > Beitrag "Re: Transistor - Was NPN, was PNP" Was es aber nicht wahrer macht. Das könnt ihr auch noch 5 mal behaupten.
ArnoR (Gast) schrieb: > ... Das hatte kennie oben bereits erläutert, es gibt keinen Grund, jetzt > wieder damit anzufangen. > Beitrag "Re: Transistor - Was NPN, was PNP" Dann sollte er es auch richtig beschreiben oder was sollen solche Sätze wie dieser hier: kennie schrieb: > Der Ausdruck "Spannung an Basis angelegt" ist übrigens irreführend, > weil eine Spannung immer zwischen 2 Punkten definiert ist. ??? Wenn von "Spannung an der Basis" gesprochen wird ist i.A. jedem klar was gemeint ist, nämlich eine im Falle eines NPN-TRansistors positiv gerichtete Spannung gegenüber dem Emitter. Ich wüsste nicht, dass man hier von nur einem Punkt sprechen würde. Irgendwie werde ich das Gefühl nicht los, dass hier bewusst versucht wird Verwirrung zu stiften.
Lustig !!!!! Von aaaaaaaaabsolut einfachen Verhältnissen über die "richtige Beschaltung" eines Transistors (die der OT gestellt hatte) über eine fast schon akademische Abhandlung darüber, wann zwischen Collector und Emitter ein Strom fliesen kann und welche Größe das bewirkt, wieder zurück zur Einfachheit. Hier wird wohl darüber gestritten, damit irgendwie jemand doch recht hat !!! Wenn ich einen Bergsee habe und ein Rohr und ein Tal, dann benötige ich das Rohr um Wasser vom Berg ins Tal fließen zu lassen. Welche Größe lässt nun das Wasser nach unten fließen? Die Höhe des Berges oder der Durchmesser des Rohres? Der Berg kann noch so hoch sein wie er will, habe ich kein Rohr, fließt kein Wasser hinab. Ich kann allerdings ein noch so dickes Rohr haben, hab ich keinen Berg, hab kann ich in ein waagrecht liegendes Rohr dennoch kein Wasser fliesen sehen ! Bei einem NPN fließt ein Strom von der Basis zum Emitter und er fließt dann, wenn ich einen Berg von ca. 0,7V habe (heeeey, ich bin ein alter Sack und hab auch noch mit Germaniumtransitoren gearbeitet, es gab also auch Berge die nur 0,3V hoch waren). Allerdings auf den Transistor gesehen hinkt es etwas: Der Strom der in die Basis "getrieben" wird (und laut Kirchhoff am Emitter wieder "herauskommt") wird an der P und N dotierten Schicht eine Spannung von ca. 0,7V einstellen sofern die Spannungsquelle das kann. Kann sie es nicht, wird auch der Strom nicht fließen! Für den Topic-Ersteller: Fließt ein positiver Strom in die Basis bei einem NPN Transistor, dann kannst du von Basis nach Emitter eine Spannung von ca. 0,7 V messen. Ein größere Strom in die Basis wird lt. Diodenkennlinie die Basis-Emitterspannung im Millivolt oder 10-Millivoltbereich steigen lassen. Oder auch anderst geht es: erhöhst du die Spannung zwischen Basis und Emitter um eben besagte Zehntelmillivolt, wird sich ein größerer Strom in die Basis einstellen. Hmmmmmm.... allerdings gibt es zur Funktionsweise und zur Benutzung von Transistoren im Netz wirklich Millionen von Abhandlungen. War der Themeneröffner ein "Troll" und freut sich jetzt über die ellenlangen Threads?
Zum NPN Transistor: Beitrag "Transistor als Schalter?" Die Zeichnung die ich für hier extra mal gemacht hatte: Beitrag "Transistor als Schalter?"
ArnoR schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Ähhm. Nein. Oder was soll der Faktor B_0 in der Formel sein? > > Eben waren`s noch zwei angeblich um B verschiedene Is, jetzt ist es B0, > was soll das eigentlich? Ja rede ich Suaheli oder was? Bist du das Alter Ego von JanR? [1] Schau dir halt einfach die beiden Formeln für I_C und I_B an, die du da aus dem T&S rauskopiert hast. Und vergleiche sie einfach mal mit der Shockley-Gleichung. Z.B. von hier: http://de.wikipedia.org/wiki/Shockley-Gleichung Dann sollte dir jetzt auffallen, daß alle 3 Gleichungen die gleiche Struktur haben. Die für I_C hat da noch einen Korrekturfaktor für U_CE und U_A; aber wenn wir den mal weglassen, dann sind sie bis auf einen konstanten Faktor B_0 (oder meinetwegen B oder \beta oder h_21) gleich. > B0 ist die (extrapolierte) Stromverstärkung für > Uce=0 Ja. Das ist schlicht und einfach die Stromverstärkung. Und an der Stelle muß ich die Herren T&S fragen, ob sie noch alle Latten am Zaun haben. Oder ob ihnen ein Zacken aus der Krone gebrochen wäre, wenn sie den Faktor B_0 einfach in die Gleichung für den Kollektorstrom geschoben hätten, damit in der Gleichung für den Basisstrom und in der Shockley- Gleichung das Formelzeichen I_S den gleichen verdammten Wert bezeichnet hätte, nämlich den Sättigungssperrstrom des (Basis-Emitter) pn-Übergangs. Ich meine, I_S ist doch ohnehin nur ein Proportionalitätsfaktor, der anhand von Meßwerten passend festgelegt wird. Er hat zwar die Dimension eines Stroms, aber direkt messen kann man diesen Strom ja ohnehin nicht. Es geht also einzig und allein um Konventionen. Und ich verlange nichts weiter, als daß die Konventionen durchgängig eingehalten werden. Einfach nur um Konsistenz zu wahren und schlichte Gemüter nicht zu verwirren. Verlange ich da zu viel? > Warum schlägst du nicht den T/S auf und liest das selbst nach? Weil das Buch nicht in meinem Regal steht. Und wie sich gerade herausstellt, zurecht. Wenn ich statt dessen das (anscheinend) deutlich bessere Buch "Rumpf, Pulvers: Transistorelektronik" aufschlage, dann sind sich die Herren auf Seite 25 nicht zu fein, die grundlegenden Parameter der einzelnen pn-Übergänge mit eigenen Suffices zu versehen und nicht alles unterschiedslos (hirnlos?) I_S zu nennen. EOD. XL [1] Ja, mir ist klar daß das beleidigend ist. Mußte hier mal sein.
Haaaaaaaallo, entwickelt ihr alle neue Transistoren, oder wollt ihr die auch mal benutzen ? Hab ich mir doch glatt nach Jahren mal wieder den Tietze / Schenk (den ich seit der Technikerschule ins Regal verbannt hatte) heraus genommen! Iiiiiiiiirgendwie will man die Dinger doch glatt einfach mal verwenden, oder?
Das was Arno und Kennie hier machen, wird auch gerne mal als "Hirnwichsen" bezeichnet. Mehr isses nicht. Jeder WEIß wie Transistoren funktionieren, niemand der noch bei Verstand ist, würde die als Spannungsgesteuert bezeichnen, aber diese beiden Herren, Kramen ein paar Formlen hervor und lassen es hier mal so richtig krachen.
cyblord ---- schrieb: > Das was Arno und Kennie hier machen, wird auch gerne mal als > "Hirnwichsen" bezeichnet. Mehr isses nicht. Jeder WEIß wie Transistoren > funktionieren, niemand der noch bei Verstand ist, würde die als > Spannungsgesteuert bezeichnen, aber diese beiden Herren, Kramen ein paar > Formlen hervor und lassen es hier mal so richtig krachen. Ich finde diese Fragestellung als ganz natürlich für wissensbegierige Menschen. Im Prinzip nehme ich im Moment an, dass es bei dieser Frage nur um Detailfragen bezüglich eines Models geht. Für mich als Einsteiger in der E-Technik funktionieren ja schon die ganz einfachen Modelle. Wie das wirklich auf dem momentanen Wissenstand abläuft möchte ich gar nicht wissen und wäre für mich auch nie verständlich, selbst wenn ich Tutoren hätte die mich bei der Hand nehmen würden. Wir denken in Modellen. Und so lange wir keine Religion daraus machen wollen, sollten wir uns auch vernünftig darüber austauschen können.
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