Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Diskreter MOSFET Treiber macht Probleme - immernoch


von Chris (Gast)


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Hallo,

ich habe vor kurzem schon mal um euren Rat gebeten und muss es wieder 
tun.

Alter Beitrag hier: Beitrag "Diskreter MOSFET Treiber mit Push Pull funktioniert nicht."

Der Motor läuft so weit gut, die Strom und Spannungsverläufe sahen FAST 
gut aus...

In Schaltplan2.png sieht man den generellen Aufbau EINER Phase - diesen 
Aufbau gibt es in meiner Elektronik entsprechend dreimal. Jeweils für 
Phase U, V und W. Wenn man nun einen Statischen Betriebspunkt der 
Kommutierungstabelle herauspickt und sie die Zustände anschaut, ist 
immer eine Phase floatend , während eine Phase mit PWM versorgt wird und 
die andere auf GND liegt.

Dies Bewirkt allerdings, dass die Floatende Phase mit der PP-Spannung / 
2 (Spannungsteiler an Induktivitäten) und der PWM Frequenz beaufschlagt 
wird.

Im LT-Spice Schaltbild habe ich nur den relevanten Teil der High-Side 
der Floating Phase herausgepickt. Bild spice2.png.

Es wirkt also Quasi, als wäre der Phasenausgang eine PWM Quelle mit 
halber Spannung der original PWM. Nun passiert folgendes: der PNP 
Transistor der Push-Pull Stufe wird Reverse-Leitend weil sein Collector 
größer als die Basis wird. Damit fließt ein Strom von Collector zur 
Basis und über den Basis-Vorwiderstand der Push Pull Stufe gegen GND.

Das alleine wäre jetzt nicht so schlimm, jedoch bewirkt der Stromfluss, 
dass der Spannungszweig der Basen der PushPull Stufe eine relativ hohe 
Spannung annimmt, sodass genug Strom in die Basis des NPN fließen kann 
um diesen zu öffnen.

Das Resultat sieht man im Graphen spice_graph2.png - das Gate des 
Mosfets wird auf einige Volt hochgezogen, sodass dieser leicht zu öffnen 
beginnt und mir die Kommutierung versaut.

Habt ihr eine Idee, wie ich das Problem vermeien kann?

Gruß
Chris

von Purzel H. (hacky)


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Die Schaltung ist viel zu kompliziert. Vergiss das so. Highside schaltet 
man anders. Ich bezieh mich auf das mittlere Schema.
Einen PFet muss man nur runterziehen. Also D1 und alles links davon weg, 
und R1 an Vcc. R4 weg. Q3 durch eine Stromquelle aus Q3 und einem 
Emitter widerstand erstezen. Dort soviel Strom runterlassen, dass an R1 
genuegend spannung abfaellt, um den PFET durchzuschalten. R3 weg.

: Bearbeitet durch User
von Chris (Gast)


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Zitat: "Also D1 und alles links davon weg...."

Wie soll denn dann der Leistungs-FET M1 sauber durchsteuern, wenn die 
Diode fehlt, kann das Potential nicht mehr unabhängig floaten.

Das mit der Konstantstrom-Quelle ist aber vielleicht ne gute Idee, das 
werde ich mal ausprobieren.

Gruß
Chris

von Purzel H. (hacky)


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Weshalb floaten ? Bei einem PFet als highside schalter muss man das Gate 
4..7V unter VCC ziehen, dann schaltet er durch.

von Achim S. (Gast)


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Chris schrieb:
> Das Resultat sieht man im Graphen spice_graph2.png - das Gate des
> Mosfets wird auf einige Volt hochgezogen, sodass dieser leicht zu öffnen
> beginnt und mir die Kommutierung versaut.

Das glaube ich noch nicht. Die Gatespannung geht zwar nach oben, aber 
nicht mehr als die Sourcespannung (die rote und die grüne Kurve liegen 
im interessanten Bereich gerade übereinander).

VGS bleibt also unterhalb der Schwelle und der Higheside-FET sperrt 
durchgehend. Trage bitte mal in deiner Simu V(gatehs,output) in LTSpice 
auf, dann sieht man die Aufsteuerung des FETs direkt.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Siebzehn Zu Fuenfzehn schrieb:
> Die Schaltung ist viel zu kompliziert. Vergiss das so. Highside schaltet
> man anders. Ich bezieh mich auf das mittlere Schema.
> Einen PFet muss man nur runterziehen.

Blöd nur, daß Chris (Gast) sowohl auf H- als auch L-Side je einen 
n-Kanal-MOSFET verbaut hat. Und selbst wenn da ein p-Kanal-MOSFET auf 
der H-Side wäre, dann würde man dessen Gate nicht nur durch einen 
Widerstand von 2.2K entladen wollen. Die Gegentakt-Treiberstufen von 
Chris (Gast) sind schon richtig.


XL

von Chris (Gast)


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Danke erstmal für die vielen Zuschriften.

@Siebzehn Zu Fuenfzehn: Die N-MOS als Leistungsschalter sind schon so 
verbaut und P-MOS haben eben viel schlechtere Eigenschaften als N-MOS, 
wesshalb ich hier auch auf das Bootstrap-Verfahren gesetzt habe.

@Achim S.: Du hast vollkommen recht! Die Gate-Spannung schwankt zwar, 
aber im Gleichtakt mit der Sourche Spannung - Der Mosfet macht überhaupt 
nicht auf, die schlechten Stromverläufe lagen an einem Fehler in der 
Kommutierungs-Tabelle (Software). Jetzt schaut alles gut aus. ABER...

... jetzt ist mir ein neues Phänomen aufgefallen!
Die Widerstände vor der PushPull Stufe (R300, R301 im ersten Bild) 
werden teuflisch Heiß, mit Infrarot Thermometer gemessen 95 Grad! Ich 
kann nicht genau sagen, welcher jetzt so heiß wird, da es mit dem 
Infrarot Ding ja nicht so punktuell messen geht. Aber ich vermute mal es 
ist R301, der in diesem Betriebspunkt ja gegen Masse geschalten ist.

Da fließt dann der ganze Strom durch, der über die Basis des PNP 
rausfließt und fällt halt hier ab. Ist dieser Betriebszustand evtl. auch 
für den PNP Transistor der PushPull Stufe kritisch? Wie könnte man hier 
etwas dagegen wirken?

Gruß
Chris

von Achim S. (Gast)


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Chris schrieb:
> Jetzt schaut alles gut aus. ABER...
>
> ... jetzt ist mir ein neues Phänomen aufgefallen!

musst du den unbedingt noch einen drauf setzen ;-)

Chris schrieb:
> Die Widerstände vor der PushPull Stufe (R300, R301 im ersten Bild)
> werden teuflisch Heiß, mit Infrarot Thermometer gemessen 95 Grad!

2,2kOhm an 21V machen 0,2W. (wenn der FET dauerhaft ausgeschaltet ist, 
beim Pulsen reduziert sich die Leistung). Wenn du 1/4W Widerstände 
verbaut hast, wird der schon recht warm, obwohl 95° übertrieben klingt - 
aber die Messgenauigkeit mit IR-Thermometer muss auch nicht immer super 
sein.

Bau einen Widerstand ein, der 1/2W abkann oder teile die Leistung auf 
mehrere Widerstände auf (zwei mal 4k4 parallel) und achte beim Einlöten 
darauf, dass die Wärme vernünftig abgeführt werden kann.

Chris schrieb:
> Ist dieser Betriebszustand evtl. auch
> für den PNP Transistor der PushPull Stufe kritisch?

Na ja, am Widerstand fallen ca. 20V ab, am Transistor ca. 0,2V. Den 
sollte das kalt lassen.

von Achim S. (Gast)


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Achim S. schrieb:
> am Transistor ca. 0,2V

Das bezieht sich auf den NPN (Q3 bzw. T301). Wieso du meinst, dass der 
pnp kritisch belastet werden kann, verstehe ich momentan nicht.

Was war eingentlich noch mal der Grund, warum du keinen integrierten 
Halbbrückentreiber verwendest?

von Chris (Gast)


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Hallo Achim S.,

danke für deine Mühe!

Also ich hab noch mal Aufgezeichnet, wie der Strom meiner Meinung nach 
in diesem Betriebspunkt fließt (siehe Bild). Klar hast du recht, wenn 
alles gepulst ist, dann schwächt sich das ab.

Aber jetzt mal nur für diesen Betriebspunkt: Vor dem PNP an dessem 
Collector messe ich etwa 11 V, was ungefähr der Halben Betriebsspannung 
des Motor-PWMs entspricht. So weit noch klar.

Dieser fließt jetzt durch den PNP rückwärts ab - am PNP bleiben 0,3 
hängen, am R300 10,7V - Mit U²/R = P komm ich auf 0,76 Watt am 
Wiederstand - was wohl auch die 95° C erklärt. Ein Wunder, dass er nicht 
hopps geht.

Den Widerstand könnte ich noch etwas vergrößern bzw., eben wie du 
vorgeschlagen hast, zwei einbauen. Das ist nicht so das Problem.

Aber mag der PNP diesen Rückwärtsstrom? Kann der das länger ab?

Wieso ich keinen integrierten nehme... naja ich wollte gerne mal das 
komplette Konzept verstehen und mir dieses Thema mal genau ansehen. Hat 
keinen Tieferen Sinn. Und ich hatte alle Bauteile dafür hier.

Dank und Gruß
Chris

Also

von Achim S. (Gast)


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ok, jetzt sehe ich was du meinst. In der Simu hattest du als 
Basiswiderstand 2k2, in der Schaltung sind es 150Ohm. Mit den 2k2 wäre 
der Strom aus meiner Sicht unkritisch. Mit den 150Ohm ist zwar 
(offenbar) nicht unmittelbar tödlich für den pnp, aber schön finde ich 
es auch nicht.

Eine kleine Schottkydiode am Kollektor sollte den Inversbetrieb 
verhindern, in dieser Betriebsphase sieht der FET dann wahrscheinlich 
ein negatives U_GS (oder doch nicht? Man müsste sich mal alle 
Betriebszustände und alle Strompfade durchdenken). Was dann an Strom 
über R216 zum Gate fließt, kann über R218, die BE-Diode und R301 
abfließen.

Der FET sollte sich auch mit dem Spannungsabfall an der Schottky noch 
halbwegs abschalten lassen. Ausprobieren würde ich es an deiner Stelle 
mal, aber das geht schon ziemlich in Richtung Gepfrimel.

von Purzel H. (hacky)


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Sorry, dass ich das mit dem PFet falsch verstanden habe. Ein Selbstbau 
einer Halbbruecke macht eigentlich nur Sinn wenn sie DC koennen muss. 
Und dann nimmt man PFets.
Hinter einem Treiber, der einen einzelnen FET ansteuern muss, benoetigt 
man keinen Gate Widerstand. Ich wuerd da die Gegentaktstufe direkt aufs 
Gate verbinden.

von Chris (Gast)


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Hi Leute,

also vielen Dank für eure Beteiligung - ich hab jetzt den Widerstand 
erhöht und die Wärmeentwicklung ist weg, bei gleicher Performance.

Eine Diode hab ich jetzt nicht drin, ich schau mal wie lange das jetzt 
so hält und wenn es dann kaputt geht, weiß ich ja ziemlich sicher wo ich 
zuerst suchen muss.

Dank und Gruß
Chris

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