Hi ich habe gesehen, dass manche Mosfets zwischen Source und Drain eine Scotty Diode haben. wofür wird die benötigt?
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Die wird nicht benötigt, die ist wegen dem physikalischen Aufbau einfach da. Die haben alle MOSFETs und es gibt auch nichts, was man dagegen tun kann.
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Ben B. schrieb: > Ich sehe bei beiden Dioden. Richtig. ...und beim linken Bild siehst Du zusätzlich eine Schottky-Diode. Nun darfst Du erklären, WOZU die dient, denn die ist NICHT zwangsläufig drin. Auf geht's, großer Meister und Alleswisser!
Simon Geiger schrieb: > eine Scotty Diode bist du dir sicher mit dem Namen? ich kenne nur welche mit Schottky Diode ;-)
Simon Geiger schrieb: > Ben B. schrieb: >> Die haben alle MOSFETs > > nö Jeder MOSFET hat eine solche Diode. Wenn du alles besser weißt, dann frag doch einfach nicht. Und fang erstmal damit an, grundlegende Bezeichnungen korrekt schreiben zu lernen, dann versteht man dich vllt auch.
Kein Hersteller wird daran gehindert, zusätzlich zur parasitären und immer vorhandenen eine zweite Diode einzubauen, die evtl. bessere Parameter bringt als die parasitäre Diode.
Simon Geiger schrieb: > Ben B. schrieb: >> Die haben alle MOSFETs > > nö Hallo Simon, mir sind die Mosfets mit Schottky-Dioden bisher gar nicht aufgefallen. Danke für den Hinweis. Infineon hat hier in der Tat zusätzlich eine Schottky-Didoe integriert. Dies hat folgende Vorteile. a) eine wesentlich kürzere Ausschaltzeit als die "intrinsic" Si-Diode. b) eine kleinere Durchlassspannung, c) man spart die externe Diode (Preis, Platzbedarf) Helmut
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Totes Pferd in der Ausfahrt Merseburg schrieb: > Richtig. ...und beim linken Bild siehst Du zusätzlich eine > Schottky-Diode. > Nun darfst Du erklären, WOZU die dient, denn die ist NICHT zwangsläufig > drin. > > Auf geht's, großer Meister und Alleswisser! Für viele Anwendungen werden Dioden in Sperrrichtung benötigt, da die Bodydiode rein aus physikalischen Gründen existiert, aber nicht zur technischen Verwendung genutzt werden sollte. Beispiel ist das Schalten von Wechselspannung mittels zweier in Reihe geschalteter MOSFETs.
Domenik schrieb: > Totes Pferd in der Ausfahrt Merseburg schrieb: >> Richtig. ...und beim linken Bild siehst Du zusätzlich eine >> Schottky-Diode. >> Nun darfst Du erklären, WOZU die dient, denn die ist NICHT zwangsläufig >> drin. >> >> Auf geht's, großer Meister und Alleswisser! > > Für viele Anwendungen werden Dioden in Sperrrichtung benötigt, da die > Bodydiode rein aus physikalischen Gründen existiert, aber nicht zur > technischen Verwendung genutzt werden sollte. Beispiel ist das Schalten > von Wechselspannung mittels zweier in Reihe geschalteter MOSFETs. Ich weiß das. Es ging mir nur darum, daß man (wie so oft hier) den TO für dumm verkaufen und sein Nichtwissen mit der großen Fresse kaschieren wollte. Bevor man Hals über Kopf antwortet, sollte man vielleicht die vom TO angefügten Bilder anschauen. Da kommen dann auch die allgegenwärtigen Bilder-Fetischisten auf ihre Kosten. SCNR
Das solltest Du mal großen Herstellern von UPS-Geräten verklickern. Die verwenden diese Dioden standardmäßig als Gleichrichter im Ladebetrieb.
Simon Geiger schrieb: > Ben B. schrieb: > Die haben alle MOSFETs > > nö Was jetzt ein blödes Beispiel war, weil beide wirklich eine Diode parallel geschaltet haben wie schon das Schaltbild auf der ersten Seite zeigt, eine sogar eine zweite Diode als Schottky parallel. Für MOSFETs ohne Diode muss man schon ein bischen suchen. BSS83, UT2312... Es gibt sie also schon, nur nicht als Leistungs-FETs (vertikal).
MaWin schrieb: > Was jetzt ein blödes Beispiel war, weil beide wirklich eine Diode > parallel geschaltet haben wie schon das Schaltbild auf der ersten Seite > zeigt, eine sogar eine zweite Diode als Schottky parallel. > > Für MOSFETs ohne Diode muss man schon ein bischen suchen. > BSS83, UT2312... Die haben sicher beide auch eine Diode... Die Diode vom Substrat zum Drain kann! man bei einem Mosfet konstruktionsbedingt nicht vermeiden. Bei einem n-Kanal MOSFet sind Drain und Source n-dotierte Bereiche in einem p-dotierten Substrat. Über dem Bereich zwischen D und S ist eine Oxidschicht (Isolator) und darüber der Gate-Kontakt. Beim Einschalten sammeln sich Ladungsträger in der p-dotierten Zone unter dem Gate und ein n-Kanal entsteht. Aber da D und S n-dotiert sind und der Rest p-dotiert ist, sind parasitäre Dioden vom Substrat zu beiden unvermeidlich! Für die meisten Anwendungen wird allerdings der Anschluss am Substrat (Bulk oder B genannt) gar nicht hinaus geführt, sondern direkt an Source verbunden, da das in fast allen Fällen sowieso nötig ist.
Alex D. schrieb: > Die haben sicher beide auch eine Diode Scheisse, guck doch einfach in ein Datenblatt, besserwisserischer Ignorant.
Alex D. schrieb: > Die Diode vom Substrat zum > Drain kann! man bei einem Mosfet konstruktionsbedingt nicht vermeiden. Doch kann man! Indem man nämlich das Substrat separat herausführt als BULK. Wir hatten das Thema erst vor Kurzem: Beitrag "MosFet Bulk Anschluss Anwendung" So z.B. beim BSS833, 3N128, 3N143, 3N170, 3N171, 3N163, 3N164. Theoretisch auch beim CD4066 und artverwandten. Der Zitierte UT2312 von UniSonic hat aber tatsächlich eine Body-Diode.
Marek N. schrieb: > Doch kann man! > Indem man nämlich das Substrat separat herausführt als BULK. Da hat man aber genauso Dioden, aber eben von BULK auf S und von BULK auf D.
Ja, es geht hier aber um die parasitäre Body-Diode Simon Geiger schrieb: > zwischen Source und Drain Bei FETs sind allgemein sogar Source und Drain vertauschbar. Erst durch das Verbinden eines dieser Anschlüsse beim MOSFET mit dem Substrat entsteht die die Definition von S und D und die Body-Diode. Ohne die Verbindung zum Substart hast du einen latenten npn oder pnp Bipolar-Transistor.
Marek N. (bruderm) >Alex D. schrieb: >> Die Diode vom Substrat zum >> Drain kann! man bei einem Mosfet konstruktionsbedingt nicht vermeiden. >Doch kann man! >Indem man nämlich das Substrat separat herausführt als BULK. Wir Die Diode haste trotzdem, und zwar zw. Bulk und S+D.
Der pn-Übergang der parasitären Diode ist da auch drin, aber nicht extra kontaktiert. Damit hat die Diode miese Eigenschaften und stört noch mehr, als dass diese sinnvoll verwendet werden kann. Einige interessante Eigenschaften werden hier beim Vergleich mit SiC angesprochen: https://www.elektroniknet.de/elektronik/power/eigenschaften-und-strukturen-von-sic-komponenten-108809-Seite-2.html
MaWin schrieb: > Alex D. schrieb: >> Die haben sicher beide auch eine Diode > > Scheisse, guck doch einfach in ein Datenblatt, besserwisserischer > Ignorant. Auch deine Kraftausdrücke und Beleidigungen ändern nichts daran, dass Alex recht hat. Und was die Datenblätter betrifft, solltest du vielleicht auch selber mal einen Blick hineinwerfen, bevor du hier lospolterst. Sowohl der BSS83 als auch der UT2312 sind ganz gewöhnliche Mosfets, bei denen das Substrat mit Source verbunden ist, so dass die BS-Diode kurzgeschlossen und nur die BD-Diode von außen zugänglich ist. Es gab zwar vor langer Zeit von Philips eine Variante des BSS83, bei der der Substratanschluss getrennt herausgeführt wurde, so dass beide Dioden (BS und BD) von außen zugänglich waren. Da dieser Philips-BSS83 zwei antiserielle Dioden als Gate-Schutz integriert hatte, enthielt er streng genommen sogar 4 Dioden. Diesen Mosfet gibt es heute aber nur noch auf dem Trödelmarkt zu kaufen.
Yalu X. schrieb: > Und was die Datenblätter betrifft, solltest du vielleicht auch selber > mal einen Blick hineinwerfen, bevor du hier lospolterst. Stimmt. Das ist bedauerlich, aber es gibt sie https://www.mouser.de/datasheet/2/302/BSS83_N-1126056.pdf und http://www.utc-ic.com/uploadfile/2015/0529/20150529112535563.pdf und http://instrumentation.obs.carnegiescience.edu/ccd/parts/SST211.pdf und http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/mic94030.pdf und https://www.aldinc.com/pdf/ALD1101.pdf und (ohne jetzt noch mal ins Datenblatt geguckt zu haben) SD5000 SD5400 Serie, 2N4351, BSD22, CD4007, ALD1101 ALD1102 ALD1103 ALD1104 ALD1105 ALD1106 ALD1107 all die MOSFETs die keine Diode von Drain nach Source haben. Und mir platzt die Hutschnur, wenn Besserwisser Alex D. die Frage von Simon hier absichtlich missverstehen will und irgendwelche PN Übergänge im Chip sucht. Es ist jedem klar, daß es Simon nicht um irgendwelche PN Übergänge geht, sondern um die Rückwärtsdiode "zwischen Source und Drain" geht, und die sogar als Schottky-Diode erwartet was sie nicht in jedem Chip ist. Und laterale MOSFETs haben sie noch nicht mal intrinisch.
MaWin schrieb: > Das ist bedauerlich, aber es gibt sie ... > all die MOSFETs die keine Diode von Drain nach Source haben. Es gibt sie, aber sie sind Exoten. Genauso wie es Menschen gibt, die von Frankreich nach England schwimmen. Das heißt aber nicht, daß das der normale Weg für eine solche Reise wäre. MOSFET mit separat herausgeführtem Substrat sind schwer beschaffbar. Und den Preisen nach scheinen sie aus Unobtainium zu bestehen, dotiert mit Latinum und nur an einer Stunde der Mondphase von Jungfrauen hergestellt. > mir platzt die Hutschnur, wenn Besserwisser Alex D. die Frage von > Simon hier absichtlich missverstehen will und irgendwelche PN Übergänge > im Chip sucht. > > Es ist jedem klar, daß es Simon nicht um irgendwelche PN Übergänge geht, > sondern um die Rückwärtsdiode "zwischen Source und Drain" Und die ist kein pn-Übergang? Und was Simon meinte, ist ganz und gar nicht klar. Eigentlich hat er so gut wie alles flahsc gemacht: - er schreibt Walters [1] Namen falsch. Der Mann hieß nicht Scotty (zu viel Star Dreck geschaut?) und auch nicht Shottky oder Schrotti. - er spricht nebulös von "manchen MOSFET", statt einfach mal einen Link auf ein Datenblatt zu zeigen (hat er später gemacht, das gehört aber in den Eröffnungspost). - er macht nicht klar, daß ihm die Existenz der Body-Diode klar ist und daß es ihm um eine zusätzliche Diode geht. Um das nochmal klar zu sagen: ja, es gibt Bauteile die zusätzlich zum MOSFET auch noch Schottky-Dioden enthalten. Manchmal parallel zur Body- Diode, dann kann man sie als Flyback-Diode in einer Vollbrücken- Konfiguration verwenden. Manchmal einseitig mit dem Drain des MOSFET verbunden (z.B. IRF7422) und dann geeignet als Flyback-Diode in einem Buckregler. Manchmal auch komplett isoliert als zwei Bauteile in einem gemeinsamen Package (z.B. NTLJF3117) und dann beliebig verschaltbar. Ja, gibt es. Hat seine Anwendungsbereiche. Macht man, weil es Platz und Lötstellen einspart. [1] https://de.wikipedia.org/wiki/Walter_Schottky
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