Ich bin mal auf diese Schaltung gestoßen: https://www.researchgate.net/profile/Tadej-Kotnik/publication/10815859_Cell_membrane_electropermeabilization_with_arbitrary_pulse_waveforms/links/00b49518e835fb8af0000000/Cell-membrane-electropermeabilization-with-arbitrary-pulse-waveforms.pdf?origin=publication_detail Prinzipiell ist das ja eine Kaskade von Mosfets um die Last über drei Transistoren zu verteilen. Meine Frage ist nun, ob und wie man diese Schaltung für den DC Betrieb modifizieren könnte.
Gustav G. schrieb: > Meine Frage ist nun, ob und wie man diese Schaltung für den DC Betrieb > modifizieren könnte. C1 weglassen, aber +/-300V, also 600V, macht heute 1 MOSFET, man braucht den wackeligen Kram nicht. Interessanter ist die Betrachtung des SOA
Michael B. schrieb: > C1 weglassen, aber +/-300V, also 600V, macht heute 1 MOSFET, man braucht > den wackeligen Kram nicht. Welcher Mosfet macht das bei 600V und 1A im DC Betrieb? Ich habe nicht vor das ganze im Stickstoffbad zu kühlen.
Gustav G. schrieb: > Welcher Mosfet macht das bei 600V und 1A im DC Betrieb? Schau ins Datenblatt. > Ich habe nicht vor das ganze im Stickstoffbad zu kühlen. "Zweiter Durchbruch" ist keine Frage der Kühlung. Es gibt allerdings immer weniger FETs, die im Datenblatt beim SOA eine DC-Linie zeigen, da die meisten für den Schaltbetrieb gedacht sind.
Gustav G. schrieb: > Michael B. schrieb: > Welcher Mosfet macht das bei 600V und 1A im DC Betrieb? Ich habe nicht > vor das ganze im Stickstoffbad zu kühlen. IXTH30N60L2 knapp (0.8A bzw. 500V), IXTB30N100L 2 parallel.
Gustav G. schrieb: > Welcher Mosfet macht das bei 600V und 1A im DC Betrieb? Warum nicht IGBT? FGA60N65SMD 600V / 1A DC bei 25°C
Gustav G. schrieb: > Prinzipiell ist das ja eine Kaskade von Mosfets um die Last über drei > Transistoren zu verteilen. Meine Frage ist nun, ob und wie man diese > Schaltung für den DC Betrieb modifizieren könnte. Das hatten wir schon mal. Beitrag "Re: 1500V Linearverstärker"
Harald W. schrieb: > "Zweiter Durchbruch" ist keine Frage der Kühlung. Es gibt allerdings > immer weniger FETs, die im Datenblatt beim SOA eine DC-Linie zeigen, > da die meisten für den Schaltbetrieb gedacht sind. BINGO!
Michael schrieb: >> Welcher Mosfet macht das bei 600V und 1A im DC Betrieb? > Warum nicht IGBT? > FGA60N65SMD > 600V / 1A DC bei 25°C Ja, im Datenblatt. Und in der Realität? Wie willst du die 600W aus dem Gehäuse bekommen?
Falk B. schrieb: > Michael schrieb: > Ja, im Datenblatt. Und in der Realität? Wie willst du die 600W aus dem > Gehäuse bekommen? Wieso 600 W? Gibt's keine Last?
Jemin K. schrieb: >> Ja, im Datenblatt. Und in der Realität? Wie willst du die 600W aus dem >> Gehäuse bekommen? > > Wieso 600 W? Gibt's keine Last? Klar, die gibt es. Dann hat man aber auch keine 600V und 1A gleichzeitig am MOSFET/IGBT. Trotzdem muss man sich Gedanken über einen möglichen Kurzschluß machen, die reine Strombegrenzung reicht da nicht.
Was macht es für einen Sinn diese Schaltung für DC zu modifizieren? Da wird es einfacher sein einen Schaltregler zu verwenden. Dann klappt es auch mit dem 600V MOSFET wieder. Geht natürlich nur, wenn der TO nur DC bis einige Hz braucht. Wenn es DC bis einige 100Hz sind, dann geht das natürlich schnell nicht mehr. Grüße
Jens W. schrieb: > Geht natürlich nur, wenn der TO nur DC bis einige Hz braucht. Wenn es DC > bis einige 100Hz sind, dann geht das natürlich schnell nicht mehr. AHA! Und zeig mir mal einen Schaltregler mit bipolarer Ausgangspannung an EINEM Ausgang!
Gustav G. schrieb: > Meine Frage ist nun, ob und wie man diese > Schaltung für den DC Betrieb modifizieren könnte. Einfach C1 im Schaltbild durch eine Brücke bzw. 0 Ohm Widerstand ersetzen.
Falk B. schrieb: > Ja, im Datenblatt. Und in der Realität? Wie willst du die 600W aus dem > Gehäuse bekommen? 600V 1A SOA im DB war gefragt und das schafft der. Ich habe nicht mal lange gesucht. Gibt deutlich leistungsfähigere auch als Modul mit ein paar KW. 600W zuviel für das Gehäuse? Man nehme mehrere IGBTs mit positiven Temperaturkoeffizienten, die für einfache Parallelschaltung gedacht sind. Mit CU Heatspreader, Flüssigmetall Wärmeleitpaste und einer anständigen Kühlung bekomt man aber auch 600W weg. Bekommt man eben nicht geschenkt. Wenn man sich stattdessen lieber mit einer Mosfet Reihenschaltung und ihren Nettigkeiten herumplagt, kann man das ja ersatzweise tun. Viele Wege führen zum Ziel.
Michael schrieb: > 600V 1A SOA im DB war gefragt und das schafft der. Im Datenblatt. Im Laboraufbau. In einer realen Schaltung? Wie lange? Mit welcher Kühlung? > Ich habe nicht mal lange gesucht. Gibt deutlich leistungsfähigere auch > als Modul mit ein paar KW. > 600W zuviel für das Gehäuse? Ganz sicher, der hat nur TO-3PN. > Man nehme mehrere IGBTs mit positiven Temperaturkoeffizienten, die für > einfache Parallelschaltung gedacht sind. Im Schaltbetrieb! Nicht im Linearbetrieb! > Mit CU Heatspreader, Flüssigmetall Wärmeleitpaste und einer anständigen > Kühlung bekomt man aber auch 600W weg. Mach mal, ich bin gespannt.
Falk B. schrieb: > Im Datenblatt. Das ist nunmal die Bibel und die Grundlage aller Entscheidungen. > Im Laboraufbau. > In einer realen Schaltung? Ein Laboraufbau ist eine reale Schaltung. >Wie lange? Mit welcher Kühlung? Vorzugsweise mit einer ausreichenden und dann beliebig lange. Von 600W Dauerleistung war nie die Rede. Der IGBT muss Kurzschluss aushalten bis die Schutzschaltung greift. Er kann also das Problem lösen das EIN IGBT mit sich bringt, oder die Probleme die VIELE Mosfets in Reihenschaltung + zahlreicher Umgebungsbeschaltung mit sich bringen. Geschenkt bekommt man beides nicht.
Michael schrieb: > Falk B. schrieb: >> Im Datenblatt. > Das ist nunmal die Bibel und die Grundlage aller Entscheidungen. Dort liegt dein Problem. Du nimmst die Bibel wörtlich und glaubst alles ;-) Wiederspruch ist Ketzerei, nicht wahr? >> Im Laboraufbau. >> In einer realen Schaltung? > Ein Laboraufbau ist eine reale Schaltung. Jaja. >>Wie lange? Mit welcher Kühlung? > Vorzugsweise mit einer ausreichenden und dann beliebig lange. Bist du Theo- oder Tautologe? > Von 600W Dauerleistung war nie die Rede. > Der IGBT muss Kurzschluss aushalten bis die Schutzschaltung greift. Dafür muss er kein DC bei 600V/1A aushalten, denn soche Schutzschaltungen sind übelicherweise eher schnell. Mikro bis Millisekunden. > Er kann also das Problem lösen das EIN IGBT mit sich bringt, oder die > Probleme die VIELE Mosfets in Reihenschaltung + zahlreicher > Umgebungsbeschaltung mit sich bringen. > Geschenkt bekommt man beides nicht. So wenig wie eine Schwalbe einen Sommer macht, so wenig macht ein 600V IGBT einen +/-300V Linearverstärker. Denn da braucht es incl. Reserve eher 800-900V Sperrspannung.
Falk B. schrieb: > Jens W. schrieb: >> Geht natürlich nur, wenn der TO nur DC bis einige Hz braucht. Wenn es DC >> bis einige 100Hz sind, dann geht das natürlich schnell nicht mehr. > > AHA! Und zeig mir mal einen Schaltregler mit bipolarer Ausgangspannung > an EINEM Ausgang! Naja, du beziehst den aufs negative Rail. Und 0V am Ausgang entsprechen dann 50% Tastverhältnis.
Jens W. schrieb: > Naja, du beziehst den aufs negative Rail. Und 0V am Ausgang entsprechen > dann 50% Tastverhältnis. Und der kann dann auch Zweiquadrantenbetrieb? Im Dokument ist von 500Hz-35/55kHz die Rede. Mach mal!
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Falk B. schrieb: > Wiederspruch ist Ketzerei, nicht wahr? Wieder und wieder sprechen, weil man es nicht aushalten kann nicht die einzige Koryphäe für einfach alles auf mc.net zu sein? Nö, das ist nur langweilig. Falk B. schrieb: > Mach mal, ich bin gespannt. Ach die Nummer schon wieder? Mach Du mal und beweise das Du Recht hast. Dir scheint das ja sehr viel zu bedeuten, also warum sollte ich dir etwas beweisen das ich mir längst bewiesen habe? Halten wir fest: Es gibt mehrere Methoden: 1: Reihenschaltung von zu schwachen Einzelhalbleitern. 2. Parallelschaltung von zu schwachen Einzelhalbleitern 3. Einen Halbleiter verwenden der das alleine packt. Jede dieser Methoden hat ihre Vor- und Nachteile.
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